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"aln" 검색결과 161-180 / 244건

  • [화학공학]금속 산화물 및 질화물의 합성 및 특성 조사
    목적알루미늄 착물을 이용하여 질화알루미늄(AlN)분말을 합성하고, AlN이 생성되는 반응과정, 즉 반응메카니즘을 추정해 본다.2. ... 생성물(AlN의 전구물질)의 무게를 달며, (IR 스펙트럼을 측정하여 생성물의 구조식을 예측해 본다. ... 실험방법알루미늄의 숙신산 착물을 전구물질로 하며, 별도의 탄소의 혼합없이 질화반응을 시켜 AlN분말을 합성한다.4.1.
    리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.10.26
  • GaN 발광소자, 발광소재 현황
    Pendeo-Epitaxy방법은 6H-SiC기판위에 buffer층으로 AlN을, seed로 GaN를 적층하여, 건식 에칭방법(가스 : Cl2,Al)으로 6H-Sic기판의 일정부분까지
    리포트 | 53페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.10.29
  • 알제리의 독립운동사
    의 투쟁 노선의 변화 민간인에 대한 테러 공격 프랑스군의 강력한 화력 국제 사회의 이목을 끌기 위해 프랑스 , FLN 에 대해 전면전 선포 제 3 장 알제리 전쟁알제리 해방군 (ALN
    리포트 | 38페이지 | 2,500원 | 등록일 2009.07.15
  • OS) Sugioka op 수술절차
    Pad & gauze & needle & instrument의 2차 count를 돕는다.⑧많은 양의 salne irrigation 후에 hemovac insertion하고 fascia
    리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.05.17
  • LED에 대한 자료와 효율개선,방열 설계 특허 기술
    질화물계 반도체는 1986년 아가사키 교수가 저온 AlN 버퍼를 이용한 GaN MIS 구조에서 발광현상을 발표하였으며 1993년 일본 니치아 화학공업주식회사의 버퍼를 이용한 청색일반
    리포트 | 23페이지 | 3,000원 | 등록일 2010.05.02 | 수정일 2018.04.26
  • 전자용 세라믹스에 관한 조사
    소성온도를 낮춰줌· 유전성이 있으며 비유전율도 비교적 커서 전기신호전달이 약간 느림2) 고열전도성 세라믹스알루미나계보다 열전도가 좋고 방열성과 절연성 또한 좋다.① 질화알루미늄(AlN
    리포트 | 19페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.04.17
  • 연소 화학 기상 증착법(Combustion Chemical Vapor Deposition)
    rate가 낮음 접착력이 좋다 균일한 deposition합금NiCo,NbGe,Al2O3,Cr2O3비금속In2O3,SiO2,TaO5,TiO2 VO2,BaTiO3,WO3화합물ZnO,AlN
    리포트 | 18페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.12.17
  • 박막증착 장비의 종류 및 원리와 GaN LED의 이해
    질화물 반도체는 1986년 일본의 아카사키 교수가 AlN 버퍼층을 이용하여 고품위 GaN 결정을 성장하여 1987년에는 이를 이용하여 최초로 MIS 구조의 발광을 보고하면서 그 발전의
    리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.11.30
  • 고온용 솔더 합금의 특성 및 신뢰성 평가 Characteristics and Reliability Evaluation
    (bold체는 Interface layer를 의미함)Ni/Al/AlN/Al/Ni, Cu/FeNi/Cu/Cu 조성으로 제작 되어졌다.
    리포트 | 68페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.06.13
  • SPUTTER
    degradation )Facing Target Sputtering (대향 타겟 스퍼터링)SO3, In2O3, SnO2, SiO2, Ta2O5 Nitrides : TaN, TiN, AlN
    리포트 | 27페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.06.07
  • [생물전산학, 생물정보학] AnnHyb의 기능과 활용방법
    에서와 같이 *.aln 형식의 CLUSTAL format file을 열 수 있으며 이를 이용하여 sequence 간의 alignment를 확인 할 수 있다. ... Multi-alignment menuMulti-alignment menu에는 기존 FASTA 형식의 *.aln file을 불러올 수 있으며, sequence 간의 alignment를 ... 결과는 example.aln 이라는 file을 미리 만들어 두고 그것을 열어 alignment를 확인 한 것이다.그림 26. nucleotide sequence alignment 확인결과4
    리포트 | 14페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.12.10
  • 반도체 레이저 다이오드
    흡열재료나 부착재료는 Cu, Si, SiC, AlN, 다이아몬드 등이 사용된다.
    리포트 | 6페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.10.19
  • LED 특성과 기존 조명 기구 특성 조사
    질화물계 반도체는 1986년 아가사키 교수가 저온 AlN 버퍼를 이용한 GaN MIS 구조에서 발광현상을 발표하였으며 1993년 일본 니치아 화학공업주식회사의 버퍼를 이용한 청색일반
    리포트 | 21페이지 | 2,500원 | 등록일 2009.06.13 | 수정일 2018.04.26
  • 평형분배
    ^{PHI } (B,0)-RT LEFT { cln {q _{C.m} ^{PHI }} over {N _{A}} +dln {q _{D.m} ^{PHI }} over {N _{A}} -aln
    리포트 | 18페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.05.30
  • 고휘도 LED
    질화물계 반도체는 1986년 아가사키 교수가 저온 AlN 버퍼를 이용한 GaN MIS 구조에서 발광현상을 발표하였으며 1993년 일본 니치아 화학공업주식회사의 버퍼를 이용한 청색그림
    리포트 | 9페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.05.28 | 수정일 2018.04.26
  • LED 개요와 특성
    질화물계 반도체는 1986년 아가사키 교수가 저온 AlN 버퍼를 이용한 GaN MIS 구조에서 발광현상을 발표하였으며 1993년 일본 니치아 화학공업주식회사의 버퍼를 이용한 청색일반
    리포트 | 11페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.05.25 | 수정일 2018.04.26
  • 세라믹의 개요
    이용한 액상 소결 공법 등으로 점차 치밀한미세조직을 가진 소결체 제조가 가능하게 되었다.대표적인 것으로탄화물 :B₄C, SiC, TiC, ZrC, Mo₂C, WC질화물 : BN, ALN
    리포트 | 12페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.07.29
  • IGC
    , Zn, Ga, Se, Ag, Cd, In, Sn, Te, Au, Pb, Bi, Ti, W, Fe-Ti, Fe-Cr산화물: SnO2, TiO2, Y2O3, ZrO2및 질화물 : AlN
    리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.11.14
  • [건축] 철골구조의 슬래브 공법(데크 플레이트)
    , ALN12, ALN16, ALN23 등이다. ... 데크플레이트형상중 국내에서 생산, 시공되고 있는 형상은 ALB12, ALB16, ALC12, ALC16, ALH12, ALH16, ALK12, ALK16, ALK23, ALL12, ALL16, ALN10
    리포트 | 35페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.11.17
  • 폐암(Lung Cancer)
    Mucosten Inj 2ml(300ml).약효분류: 점액분해제, Acetaminophen해독제.용법용량: ①점액분해제- cap: 성인 1회 1cap, saln:1회 4ml씩 1일
    리포트 | 16페이지 | 3,500원 | 등록일 2009.07.16 | 수정일 2020.08.29
  • 아이템매니아 이벤트
  • 유니스터디 이벤트
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2024년 09월 15일 일요일
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- 작별인사 독후감
방송통신대학 관련 적절한 예)
- 국내의 사물인터넷 상용화 사례를 찾아보고, 앞으로 기업에 사물인터넷이 어떤 영향을 미칠지 기술하시오
5글자 이하 주제 부적절한 예)
- 정형외과, 아동학대