"plasma cutting" 검색결과 161-167 / 167건

• 

  [반도체공학] 반도체 제조공정

  ASHERDevice processProbe test DIE cut - 반도체 표면 위에 보호막을 씌운 후 backside preparation(후면공정)을 거침 - 얇은 웨이퍼로 ... 보트 위에 금속을 녹여 증류(차가운 웨이퍼 표면에서 응축)시키는 것Device processSputtering - 이온 생성을 위해 플라즈마 사용 - 플라즈마 內에서 생성된 이온들로 ... 內에 어떠한 불순물 투입 금지 ＊항상 clean bench 사용 ＊작업자 : 보안경, 비닐장갑 사용으로 오염방지 Step1. preparation of charge 2. melting

  리포트 | 29페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.01.02

  다운로드 장바구니
• 

  [통신전자과학]차세대디스플레이

  관계투명전극의 일함수 비교Flexible 기판 증착 장비유기 박막 증착 실험실Shorting barShorting barSeal-lineActive areaTABTABGlass cutting ... 그러나 대형화 공정에 고난이도의 기술을 요하고 있어 주로 10인치 이하급 제품에 주로 적용되고 있음 ⃝ PDP는 기체(He, Ne, Ar 등의 혼합기체)를 이용하여 플라즈마 방전을 ... (유기물, cathode) Encapsulation 공정 후공정 (aging, scribing, POL부착, TAB공정 )Photo공정증착 공정Encap.공정후공정Bare glassITO

  리포트 | 68페이지 | 4,900원 | 등록일 2005.12.21

  다운로드 장바구니
• 

  D.C Magnetron Sputterimg 으로 증착한 Cu 박막 결과 보고서

  생성된 막의 겉보기 경도와 증착 도중 성장 속도도 변화시킨다.(3) 기판 표면에서 이온 충돌의 영향을 완전히 이해하기 위해서는 화학적, 물리적 특성의 조사 이외에도 특히 기판 근처 플라즈마의 ... function)로 알려져 있으며, mi = mt일 때최대 값을 갖으며 mi ≪ mt일 경우는 4mi/mt가 되고, mi ≫ mt일 때는 4mt/mi가 된다.따라서 mi ≫ mt일 때 ut ... ratio was changed from pure Ar to 70:30.

  리포트 | 3페이지 | 2,000원 | 등록일 2003.07.17

  다운로드 장바구니
• 

  [기계공학] 기계공작법 개요

  아아크 절단 (plasma arc cutting)일반 아아크전단과는 달리 플라즈마 열원을 사용하여 행하는 절단법이 있다. ... 주목적으로 사용자동선반 (automatic lathe)캠이나 유압기구를 사용하여 자동화한 선반(bolt, pin, 자동차 부품 등을 능률적으로 대량생산에 적합)다인선반 (multi-cut ... lathe)형판과 같은 모양의 제품 가공relieving lathe-back off 선반탭, 밀링커터 등의 2면각을 절삭나사 절삭 선반 (screw cutting lathe)수치제어선반

  리포트 | 21페이지 | 1,000원 | 등록일 2001.03.07

  다운로드 장바구니
• 

  [의학] 개방형 신경관결손과 AFP

  {정상군과 개방형 신경관결손군의 각 중심점(midpoint)은 좌측 그림에서 보는 바와 같이 멀리 떨어져 있기 때문에 대부분의 검사실에서 upper cut-off value로 정해 ... 그러나 지금까지 MSAFP 프로그램이 임신 2기에서 1:270으로 시행되어 왔기 때문에 많은 검사 기관에서는 혼선을 막기 위해 1:270의 risk cut-off로 설정하여 사용하고 ... 감소된다고 보고하였으며 이는 다운증후군 태아의 미성숙으로 말미암아 uE3의 생산이 저하되기 때문이라고 생각하고 있다.4) 기타free β-hCGPregnancy associated plasma

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.10.05

  다운로드 장바구니
• 

  Al-Cu-Si계 합금 제조 및 조직관찰

  psi3분1diamond on napless pad5 psi2분0.05alumina on napped pad5 psi30초《 일반적인 시편준비과정 》절단(Sectioning or cutting ... Etching은 화학조성, 응력, 결정구조 등에 따라 방법이 다른데 가장 일반적인 방법은 화학부식 방법이며 이외에도 molten salt 방법, 전해부식, 열 및 plasma 부식 ... )Abrasive cutter, diamond cutter 등을 사용하여 원하는 크기로 시편을 절단하는 과정이다.

  리포트 | 11페이지 | 2,000원 | 등록일 2004.06.23

  다운로드 장바구니
• 

  HF-CVD법에 의한 CNT의 증착 및 특성

  liquid crystal display), LED(light emitting diode), PDP(plasma display panel), FED 등의 평판 디스플레이가 주역으로 ... (급격하게 올릴 경우 filament의 cutting & 휨 발생)⑪ Filament 온도는 1800～2000℃로 조절한다.⑫ Thermoetching 의 효과를 얻기 위해서 시간( ... 플라즈마 화학기상증착법(PE-CVD)142-4-2. Hot Filament 화학기상증착법(HF-CVD)152-4-3. 수소원자의 역할162-5.

  논문 | 6페이지 | 3,500원 | 등록일 2008.05.10

  다운로드 장바구니