"게르마늄 다이오드" 검색결과 1-20 / 780건

• 

  2주차 결과보고서 - 다이오드 기본특성

  게르마늄 다이오드의 V-I 특성 ]0. 이론게르마늄 다이오드는 순방향 전압이 작지만 역전류가 큰 것이 특징이다. ... 따라서 데이터 시트 상의 값과 실험 결과가 일치한다고 볼 수 있다.실리콘 다이오드와 게르마늄 다이오드를 비교했을 때, 게르마늄 다이오드의 장벽전위가 실리콘다이오드보다 낮아 먼저 해소됨을 ... 게르마늄 다이오드의 경우 장벽전위는 0.32V정도로 나타나며, 누설 전류도 실리콘 다이오드보다 큰 값으로 나타난다. 또한 항복전압도 실리콘 다이오드에 비해 작다.

  리포트 | 20페이지 | 2,500원 | 등록일 2023.11.24

  다운로드 장바구니
• 

  물리화학실험 basic electronics 실험보고서

  , 역방향 저항 측정DIODE순방향 저항역방향 저항역방향/순방향게르마늄(Ge)0.3942MΩ0.37359kΩ실리콘(Si)∞1.83MΩ0게르마늄 다이오드의 순방향 전류+전압(mA)0.1020.2030.3080.4070.503 ... 측정하여 다이오드의 전압-전류 특성을 이해한다.제너(Zener)다이오드를 이용한 실험으로부터 제너 다이오드의 전압-전류 특성을 알아본다.실험 결과게르마늄, 실리콘 다이오드의 순방향 ... Si0.0490.5250.5450.5560.568(mA)1.0212.0673.0134.0265.0136.019(V) Si0.5990.6330.6500.6630.6740.6822+3) (게르마늄

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2023.04.09

  다운로드 장바구니
• 

  [전자회로]실험1 반도체 다이오드의 특성

  전형적인 순방향 I-V특성은 그림 1-5와 같다.실리콘 다이오드의 전형적인 도통전압은 0.7V이고, 게르마늄 다이오드의 도통전압은 0.3V이다.다이오드가 역방향바이어스 될 때, 특정 ... 게르마늄 다이오드에 대해서도 실험과정 5-6을 되풀이하여 표 1-3을 작성하라.● 실험 결과표 1 - 1바이어스V[V]I[mA]R(다이오드)순 방 향0.719mA36.8Ω역 방 향1.50mA ... 도체와 부도체의 중간 정도의 저항을 갖는 고체로서 게르마늄 또는 실리콘 결정체이다.

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.10.10

  다운로드 장바구니
• 

  접합다이오드 특성 예비레포트

  접합다이오드를 저항계로 시험하는 법을 익힌다.반도체는 저항률이 도체와 절연체 사이에 존재하는 고체를 말하며, 주로 사용되는 원소 반도체는 게르마늄과 실리콘인데 현재는 게르마늄보다 높은 ... 또한 게르마늄의 에너지대의 금지대 폭 Eg는 0.67eV 이나 실리콘의 금지대 폭 Eg는 1.1eV이므로, 실리콘이 게르마늄보다 열적으로 보다 더 안정하다.n형 반도체에는 Sb, P ... 게르마늄, 실리콘을 유용한 반도체 재료로서 사용 하려면 순도가 99.99%정도로 불순물을 정제하여야 한다.

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.09.03

  다운로드 장바구니
• 

  [컴퓨터로 하는 물리학 실험 (북스힐)] 13. 다이오드 1 결과보고서 (A+)

  실험목적과 배경이론· 다이오드의 기초적인 작용을 이해한다.· 교류 전류와 직류 전류의 차이를 이해하고 교류를 여과하고 정류하는 과정을 이해한다.실리콘이나 게르마늄은 4족 원소(최외각 ... 순수한 상태의 실리콘이나 게르마늄은 진성반도체라고 불린다. 진성 반도체는 전류를 잘 흐르게 하지 못한다. 반도체 소자로 쓰기 위하여 불순물을 첨가하여 전도 도를 증가 시킨다. ... 작아지는데, 이것이 바로 광전효과이다.2. p형 및 n형 반도체의 차이를 설명하라.P형 반도체 : P형반도체란 전하를 옮기는 운반자로써 정공이 사용되는 반도체이다.Si(실리콘), Ge(게르마늄

  리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2023.12.31

  다운로드 장바구니
• 

  오실로스코프 및 함수발생기 동작 그리고 다이오드 분석

  이러한 다이오드의 특성을 이용해 주로 전류를 한 방향으로 정류시키는 소자로 활용된다.다이오드를 만드는 재료를 실리콘으로 하면 실리콘 다이오드, 게르마늄으로 하면 게르마늄 다이오드가 ... 실리콘의 장점은 게르마늄보다 역방향에서의 저항성이 더 강하고 보다 높은 온도에서 사용할 수 있어 현재 대부분의 다이오드는 게르마늄이 아닌 실리콘 다이오드를 사용하는 추세이다.2. ... 실험 : 다이오드 특성실험 목적 : 실리콘과 게르마늄 다이오드의 특성곡선을 계산하고, 비교하고, 측정한다.

  리포트 | 7페이지 | 4,000원 | 등록일 2021.10.12

  다운로드 장바구니
• 

  [A+ 4.5 예비레포트] 기초전자공학실험 - 다이오드 특성

  다이오드(Diode) 1-1 다이오드의 정의 다이오드(diode)는 게르마늄(Ge)이나 규소(Si)로 만들어지고, 주로 한쪽 방향으로 전류가 흐르도록 제어하는 반도체 소자를 말한다. ... 제목다이오드 특성실험 목적실리콘과 게르마늄 다이오드의 특성곡선을 계산하고, 비교하고, 그리고 측정한다.실험 장비1. 다이오드(Diode)2. 저항(Resistance)3. ... 다이오드의 용도는 전원장치에서 교류 전류를 직류전류로 바꾸는 정류기로서의 용도, 라디오의 고주파에서 꺼내는 검파용 전류의 ON/OFF를 제어하는 스위칭 용도 등, 매우 광범위하게 사용되고

  리포트 | 3페이지 | 5,000원 | 등록일 2021.04.20

  다운로드 장바구니
• 

  전자회로 실험 결과 보고서 다이오드 이론 및 특성

  다이오드 특성곡선실험 장면실리콘 다이오드게르마늄 다이오드6.결론실리콘소재 다이오드 와 게르마늄 소재 다이오드를 이용하여 다이오드의 순방향 및 역방향 바이어스를 측정해보는 실험이었다 ... 게르마늄 다이오드에 대해서도 실험과정 5-6을 되풀이하여 표 1-3을 작성하라.5.실험 결과 및 분석바이어스V[V]I[mA]R(다이오드)순방향0.711.05mA63.34OMEGA역방향1.50 ... 중간정도의 저항을 갖는 고체로서 게르마늄 또는 실리콘 결정체이다.순수 게르마늄의 저항은 45[OMEGA BULLET cm]정도 이고 순수 실리콘의 저항은 수천[OMEGA BULLET

  리포트 | 6페이지 | 2,500원 | 등록일 2021.02.01

  다운로드 장바구니
• 

  접합 다이오드의 특성

  흐르지 않는다.따라서 정방향에 대해서는 낮은 저항이 되어 전류를 흐르게 하지만, 역방향으로는 높은 저항이 되어 전류가 흐르지 않게 한다.게르마늄 다이오드의 경우 고 순도의 N형 게르마늄을 ... 벗어나지 않는다.[4] 결론 및 고찰본 실험을 통해 실리콘 다이오드와 게르마늄 다이오드의 정방향의 경우 어떻게 작동하는지 멀티테스터를 통하여 확인 할 수 있었고, 두 접합 다이오드의 ... 게르마늄 다이오드의 차이점에 대해 설명한다.실리콘 다이오드는 P형, N형 반도체를 결합한 것으로, 정 방향에는 작은 전압으로도 전류가 흐르지만, 역방향으로는 큰 전압이 가해져도 전류가

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.09.02

  다운로드 장바구니
• 

  전기전자공학기초실험-직렬 및 병렬 다이오드 구조

  3주차 기초전자 공학 실험 예비 리포트박**의****제목 : 직렬 및 병렬 다이오드 구조(diode configurations)목적 :1. ... , Ge(게르마늄), 전원 - 직류전원1. ... 약 0.7V, 게르마늄 다이오드에서는 약 0.2 V 이상에서 전류가 급격히 증가하는데, 이때의 전압을 다이오드의 문턱전압(threshold voltage)이라고 한다.- 전압이 걸렸을

  리포트 | 5페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.02.09

  다운로드 장바구니
• 

  경북대 기초전기전자실험 A+ Semiconductor

  diode)k - 볼츠만 상수 (Boltzmann constant), 값은 k= 1.38054×10 ^{-23} J/Ke - 기본전하 (elementary charge).e=1.6021 ... 다이오드 특성실험1. 실험 목적게르마늄 다이오드와 실리콘 다이오드의 원리와 특성을 알아보고, 이를 통해 회로를 이해한다.2. ... 실험 결과 그래프를 자세히 보면 1V부근에서는 게르마늄 다이오드에 전류가 더 많이 흐른 것을 알 수 있는데 이는 게르마늄 다이오드가 조금의 전압변화에도 민감하게 반응하여 불안정해졌기

  리포트 | 14페이지 | 3,000원 | 등록일 2019.09.15

  다운로드 장바구니
• 

  다이오드 기본특성 실험보고서

  다이오드의 장벽전위가 실리콘 다이오드의 장벽전위보다 낮아 게르마늄 다이오드의 장벽전위가 먼저 해소됨을 볼 수 있다.EX2-4) 다이오드의 Turn-off 과도전류 특성D1N4002로 ... 디지털 멀티미터의 측정한계로 정확한 전류값을 측정하지 못하여 매끄럽지 못한 파형이 나왔지만 그래프 개형이 모의실험하고 비슷함을 확인 할 수 있다.EX2-3) 게르마늄 다이오드의 V-I ... 0.4V부근임을 확인할 수 있다.D1N914일 때의 V-I개형과 D1N60일 때의 V-I개형이다.D1N914의 장벽전위는 약 0.7V, D1N60의 장벽전위는 약 0.4V로 볼 수 있고 게르마늄

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.04.02

  다운로드 장바구니
• 

  다이오드 특성 결과보고서

  다이오드는 게르마늄(Ge) 다이오드인 것을 확인할 수 있었다. ... 그림 2-3처럼 연결하면 DMM 내부의 약 2mA 정전류원이 접합부를 순방향 바이어스 시키고 실리콘에서는 약 0.7V, 게르마늄에서는 약 0.3V 전압 강하를 발생시킨다. ... 다이오드 검사다이오드 검사 단자DMM의 다이오드 검사 기능을 사용하여 다이오드의 동작 상태를 파악할 수 있다.

  리포트 | 13페이지 | 1,500원 | 등록일 2021.05.25

  다운로드 장바구니
• 

  울산대학교 전자실험결과레포트 1장 PN 접합 다이오드 특성곡선 측정과 기준전압

  따라서 낮은 전압으로 동작시키는 경우는 게르마늄다이오드가 유리하다고 생각이 된다. ... 실리콘 다이오드는 순방향시 문턱전압은 0.65V정도 된다. 반면에 게르마늄은 0.2~0.3V정도 되는 것을 결과 값을 통하여 확인 할 수 있다. ... 되어 다이오드에 낮은 전압을 넣었을 때 다이오드에서 전압이 측정되지 않을 것을 실험을 통해 확인할 수 있다.Si 다이오드와 Ge다이오드 차이점은 순방향 바이어스일 때 문턱전압이다.

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2023.11.14 | 수정일 2023.11.17

  다운로드 장바구니
• 

  2장 다이오드 특성 예비보고서

  게르마늄 다이오드는 고 순도의 N형 게르마늄을 사용한 접촉형 다이오드로 실리콘 다이오드보다 예민하며 내열성, 내전압 특성이 나쁘기에 현재는 잘 사용하지 않는다. ... , Ge Diode- Diode의 Anode와 Cathode 극을 확인하여 정확하게 연결하여 실험한다.- 다이오드 회로의 전압 및 전류의 출력이 문턱전압 전후로 크게 변하므로 DMM으로 ... 실험 제목: 다이오드 특성조: 이름: 학번:실험에 관련된 이론- 다이오드(Diode)다이오드는 주로 한쪽 방향으로 전류가 흐르도록 제어하는 반도체 소자로서 하나의 몸체 위에 2개의

  리포트 | 6페이지 | 1,500원 | 등록일 2019.12.22 | 수정일 2022.03.28

  다운로드 장바구니
• 

  A+받은 접합다이오드 예비레포트

  대부분의 반도체는 밴드갭이 게르마늄(Ge)보다 비교적 커 열에 의한 변화에 덜 민감한 실리콘(Si)로 만들어지고 있다. ... 실험목적(1) 접합 다이오드의 극성을 판별한다. (2) 접합 다이오드의 동작특성을 이해한다. (3) 접합 다이오드의 전압-전류특성을 측정한다.2. ... 이때의 실리콘은 P형 실리콘이라 한다.2) 다이오드의 극성(1) 저항계에 의한 접합 다이오드의 시험다이오드의 저항을 측정하여 전기적 특성을 알아볼 수 있다.

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2023.06.23

  다운로드 장바구니
• 

  전자회로실험1 예비보고서 직렬 및 병렬 다이오드 구조

  (b) 게르마늄 다이오드: 고 순도의 N형 게르마늄을 사용한 접촉형의 다이오드로, 실리콘 다이오드에 비하여 내열성 및 내전압 특성이 나쁘기 때문에 현재는 제작이 중지되었다. ... 반면 게르마늄은 0.2~0.3V정도이다. 따라서 낮은 전압으로 동작시키는 경우는 게르마늄다이오드가 유리하다. ... (실리콘 다이오드와 게르마늄 다이오드의 문턱전압 그래프)실험회로 및 시뮬레이션 결과1.

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2019.09.29 | 수정일 2019.09.30

  다운로드 장바구니
• 

  A+맞은_전기전자기초실험2_일반실험2_결과보고서_다이오드특성실험(누설전류,turn-off과도응답,trr측정)

  ※측정치전류증가량이 선형적으로 증가하는 구간을 확인하기 위해 0.1V단위마다 전류증가치를 계산하고 증가치가 계속 같아지기 시작할 때를 그래프의 선형구간의 시작점, 즉 D1N914의 장벽전위라고 할 수 있다.측정값에서 0.1V단위로 전류증가량을 계산했을 때 0.7V에서 ..

  리포트 | 19페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.06.29

  다운로드 장바구니
• 

  인천대 신소재 접합 다이오드의 특성 실험

  실리콘 다이오드와 게르마늄 다이오드의 차이점에 대하여 요약해 보라.실리콘 다이오드는 정방향에서는 작은 전압으로도 전류가 흐르지만, 역방향으로는 수백 V에서도 전류가 흐르지 않는다. ... (Al), 붕소(B), 인듐(In) 등의 도너를 도핑하면 이들 불순물이 실리콘이나 게르마늄 등과 공 유 결합을 하기 위해서는 한 개의 전자가 부족하여 실리콘이나 게르마늄 원자 중에서 ... 정류 작용과 축전지에서 발전기로 전류가 역류하는 것을 방지하는 역할을 한다.게르마늄 다이오드는 순방향 전압이 작은 것이 특징이나, 역전류가 비교적 크다.

  리포트 | 11페이지 | 2,000원 | 등록일 2020.07.01 | 수정일 2021.04.06

  다운로드 장바구니
• 

  다이오드 특성곡선 예비레포트

  수 있다.위의 그림(1-1)은 실리콘과 게르마늄 다이오드의 특성곡선이다. ... Multi-meter), 오실로스코프, 함수 발생기부품◇저항500Ω: 2개, 1kΩ: 1개◇다이오드Si(1N4148) diode: 2개, Ge(1N60) diode: 1개실험이론대부분의 ... 다이오드 특성곡선실험목적전압과 전류사이에 Ohm의 법칙이 성립하지 않은 다이오드의 비선형 관계를 측정하고, 다이오드의 동작원리를 확인한다.실험준비물실험장비직류전원 공급기, DMM(Digital

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.12.03

  다운로드 장바구니