"광 다이오드" 검색결과 1-20 / 2,934건

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  발광다이오드, 형광등 및 자연광 하에서 육묘된 파프리카의 묘소질 및 정식 후 초기 수량

  한국생물환경조절학회 이재수, 이혜인, 김용현

  논문 | 8페이지 | 4,000원 | 등록일 2023.04.05

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  유기발광다이오드를 위한 SiO2 나노파티클-전도성 고분자 기반의 내부 광추출 구조 개발

  한국화상학회 한주원, 김진희, 김용현, 윤창훈

  논문 | 5페이지 | 4,000원 | 등록일 2023.04.05 | 수정일 2024.01.29

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  광센서 - 광기전력 발표자료 (다이오드,포토다이오드)

  종류로는 ①전자를 방출하는 광방출 효과(외부광전효과), ②기전력을 발생하는 광기전 효과, ③저항값의 변화를 발생하는 광도전 효과가 있다.광기전효과(Photovoltaic effect ... 광기전 효과를 이용한 센서로는 대표적으로 포토다이오드 가 있다.다이오드란?포토다이오드란?포토다이오드란?포토다이오드란?{nameOfApplication=Show}

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.08.25 | 수정일 2021.09.05

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  인체편평세포암세포주에서 9-HpbD-a 과 632 nm 다이오드 레이저를 이용한 광역학치료의 항암효과

  대한구강악안면병리학회 오충훈, 정필상, 안진철, 천재식

  논문 | 7페이지 | 4,000원 | 등록일 2023.04.05

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  cds광도전셀, photo diode 원리 및 활용

  량으로 변환시킨다.LED의 발광시 순바이어스를 인가하는 것과는 반대로 PN접합 Photo Diode는 역바이어스를 인가하여 동작하는 소자로써 PN접합 소자와 쇼트키다이오드가 이용된다.먼저 ... Cds 광도전셀과 photo diode의 원리 및 활용법Cds 광도전셀의 원리Cds 광도전셀은 광도전체로 CdS, CdSe를 사용하는 센서로 원리는 광도전효과를 이용한다. ... 광스위치로 사용된다.Photo diode의 원리광을 흡수하여 전자를 방출하는, 즉 광 에너지를 전기 시스템에서 응용할 수 있도록 전류로 변환하는 광전변환소자로써 입력된 광세기를 전류의

  리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.04.13

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  Web-패턴 Si 광다이오드의 감도특성 개선

  한국재료학회 장지근, 이상열, 김장기

  논문 | 4페이지 | 3,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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  적색, 녹색, 청색 발광 형광체와 보라색 발광 다이오드를 이용한 백색 광원의 광 특성

  한국재료학회 권석순, 박종윤, 허영덕

  논문 | 6페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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  광다이오드

  광다이오드광다이오드 확대광다이오드(빛다이오드, 문화어: 빛이극소자,빛2극소자)란 광검출기같은 기능이 있는 반도체 다이오드이다. 포토다이오드 (photodiode)라고도 한다. ... 그러나 광트랜지스터는 광다이오드보다 반응속도가 느리다.원리광다이오드는 PN 접합이나 PIN 구조로 되어있다. ... 실리콘 기반의 광다이오드는 게르마늄 기반의 광다이오드보다 낮은 잡음을 발생시키지만, 게르마늄 광다이오드는 대략 1 μm보다 긴 파장에 항상 사용된다.특징?

  리포트 | 3페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.05.28

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  QLED(quantum dot-light-emitting diode(양자점발광다이오드))

  주제 : quantum dot-light-emitting diode(양자점발광다이오드), QLED- 양자점은 실제로 수백~수천 개의 원자가 뭉친 덩어리지만 지름이 10nm(나노미터· ... 이 때문에 기존 반도체 소자에 비해 문턱전압이 낮으며, 낮은 전류로 동작이 가능하므로 광전자 소자 분야에 많이 응용되고 있다.3. ... 이론적 배경2.1 QLED의 원리- QLED는 2~10나노미터(nm, 10억분이 1미터) 크기의 반도체 입자인 퀀텀닷 물질을 활용, 유기발광다이오드(OLED)처럼 백라이트유닛(BLU

  리포트 | 2페이지 | 1,500원 | 등록일 2016.10.12 | 수정일 2016.11.21

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  LED(Light Emitting Diode)와 광효율 개선

  초 록LED(Light Emitting Diode)의 정의와 LED의 광효율에 관련된 이론과 수식을 알아보고 장, 단점을 포함한 특징을 정리하였다. ... Light Emitting Diode와 광효율 개선목 차1.초 록 ································································ ... LEDp.38[그림 29]PBC(photonic bandgap crystal) 적용예p.39[그림 30]양자점의 재료와 크기에 따른 방출 파장 비교p.40Light Emitting Diode의

  리포트 | 44페이지 | 3,000원 | 등록일 2010.05.21

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  광센서 - 포토 다이오드와 포토 트랜지스터(Photo diode And Photo Transistor) {{광센서 - 포토다이오드와 포토트랜지스터(Photodiode And PhotoTransistor), 포토 트랜지스터,sensor,센서공학,전자,회로}}

  Photo diode(1) 정의포토다이오드는 광에너지를 전기 에너지로 변환하는 광센서의 일종이며 그 구성은 반도체의 PN 접합부에 광검출 기능을 추가한 것이다.(2) 특징1) 플래너 ... 구조이기때문에 diode특성이 좋고 부하를 걸었을때의 동작특성 이 우수하다 2) 저조도에서 고조도까지 광전류의 직선성이 양호하다 3) 소자간의 광출력의 편차가 동일조립상태에서 적다 ... Photo diode(3) 구조Photodide는 PN접합 diode에 빛이 투과할 때 Photovolaieffect[광기전력효과]로인해 전자, 정공이 접합사이를 투과하면서 역전류가

  리포트 | 18페이지 | 3,000원 | 등록일 2014.06.01 | 수정일 2017.04.12

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  광센서 - 포토 다이오드와 포토 트랜지스터(Photo diode And Photo Transistor) {{광센서 - 포토다이오드와 포토트랜지스터(Photodiode And PhotoTransistor), 포토 트랜지스터,sensor,센서공학,전자,회로}} 한글파일

  광센서Photo diode와 Photo transistor1. ... Photo diode(1) 정의포토다이오드는 광에너지를 전기 에너지로 변환하는 광센서의 일종이며 그 구성은 반도체의 PN 접합부에 광검출 기능을 추가한 것이다.(2) 특징1) 플래너 ... 인터럽터는 발광 다이오드와 포토트랜지스터를 조합한 것으로서 발광 다이오드가 내뿜는 빛을 포토트랜지스터가 수광해서 트랜지스터를 작동시키는 반도체소자.

  리포트 | 8페이지 | 3,000원 | 등록일 2014.06.01 | 수정일 2017.04.12

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  다이오드 및 광소자의 특성 실험 결과 레포트

  이 점에서 다이오드의 오프셋 전압 특징을 찾아 낼 수 있었으며 YELLOW 광소자가 전압의 변화가 매우 작기 때문에 효율이 높다고 할 수 있다. ... 7장 응전 실험 결과 보고서● 실험 제목 : 다이오드 및 광소자의 특성● 실험 일자 : 2008년 4월 11일● 실 험 자 : 김다미● 학 번 :① 실험 5.1에 따른 실험결과를 아래의 ... 또한 LED 광소자를 역으로 연결하였을 경우에는 RED, YELLOW 광소자에 전류가 흐르지 않는 것을 알 수 있다. 이 때 전류가 흐르지 않는 것일 뿐 전압은 흐르고 있다.

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.04.21

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  [전자공학]광다이오드

  단락회로에 이용 －opAMP 에 연결사여 사용３．외부 바이어스 없이 부하저항에 phto diode를 연결한는 경우－photo voltaic mode （solar diode)＊광기전력효과－빛 ... 쪼임으로 기전력 발생을 광기전력 효과(photovoltaic effect)라고 한다＊참고 leakage current(dark current)－수광소자에 광을 조사하지 않을때 흐르는 ... ( PN접합 )p형 반도체와 n형 반도체를 접합시킨 것2) 다이오드 접합과정① 전압이 가해지지 않은 상태(방금 막 접합된 순간)- p형과 n형 반도체를 접합시킨다.② 전자의 확산-

  리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2003.05.30

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  [기최회로실험] 접합 다이오드의 특성, 지너 다이오드의 특성, 광전자 소자의 특성 실험보고서

  결과보고서- 접합 다이오드의 특성,지너 다이오드의 특성, 광전자 소자의 특성실험 22. ... 광전자 소자의 특성- 실험결과표 24.1 LED 데이터104.772.05207.652.223010.512.414013.352.59표 24.2 세그먼트 데이터표시된 숫자접지된 핀02, ... 접합다이오드의 특성- 실험 결과표 22.1 다이오드 측정치단 계다이오드 저항20.7V0.455㎃1538.463, 40.818V0A∞5순방향 : 6.42㏀역방향 : 0Ω표 22.2 전압-전류

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.12.21

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  반도체를 이요한 포토다이오드(Photo Diode) 광검출기

  Photo Diode2-1. Photo Diode일반적인 다이오드가 순방향의 바이어스를 사용하지만, 포토다이오드는 역방향의 바이어스 또는 개방회로(무 바이어스)를 사용한다. ... 반도체 다이오드 재료에 따른 PD의 반응 파장다이오드에는 반응하는 파장이 있는데, 이 파장은 Photo Diode 재료의 가전자대와 전도대 사이에 따라 결정되어 진다. ... DFB 1550nm LaserDistributed feedback laser diode (DFB-LD)는 광전송의 고속화 및 대용량화를 통해 초고속 광대역 광통신 시스템이 요구됨에

  리포트 | 10페이지 | 2,500원 | 등록일 2006.11.20 | 수정일 2019.06.20

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  Si와 Ge다이오드의 반응 특성 및 Photo diode를 이용한 광검출 및 특성 실험

  광의 세기에 따른 출력파형을 관찰한다.기본이론? ... Photo diode일반적인 다이오드가 순방향의 바이어스를 사용하지만, 포토다이오드는 역방향의 바이어스 또는 개방회로(무 바이어스)를 사용한다. ... PD의 종류에는 PN접합, PIN접합, APD(avalanche photodiode)가 있다.PIN diode는 P형과 N형 사이에 진성 반도체 층(instrinsic layer)을

  리포트 | 14페이지 | 2,000원 | 등록일 2006.11.03 | 수정일 2019.06.18

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  [광통신] Semiconductor Laser Diodes

  ..PAGE:1Semiconductor Laser DiodesDFB (Distributed feedback) LaserDBR (Distributed bragg reflector) Lasers..PAGE:2DFB(Distributed feedback) LaserFP la..

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2001.11.08

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  [광통신] Distributed Feedback Laser Diode

  ..PAGE:1Distributed Feedback Laser Diode..PAGE:2등 장 배 경광전송의 고속화 및 대용량화초고속 광대역 WDM광통신 시스템 요구각 채널마다 서로 ... laserDFB-LD의 중앙에서 회절격자의 위상을 λ/4 만큼 phase shift 시킨 구조..PAGE:7..PAGE:8Spatial Hole Burning Effect레이저 다이오드의 ... 발진 모드와 cavity 내부에서 비선형 분포를 가지는 광파워의 세기 사이에서 발생

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2001.11.08

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  지너다이오드의 특성/광전자 소자의 특성

  적색 가시광 LED의 출력은 660㎚일 때 로와 접속하여 광결합 응용에 사용된다.LED(Light Emitting Diode)란 발광다이오드의 약자로 화합물반도체의 특성을 이용해 전기신호를 ... 그리고 역방향 전류는 매우 작어 수μA에서 수 mA이며, 다이오드의 종류에 따라 다르다.-광전자 소자의 특성-발광 다이오드(LED)의 기본적인 동작은 다음과 같다. ... -광전자 소자의 특성-(1)적색 LED에 대한 데이터를 살펴보고 이를 이용하여 7세그먼트 표시 소자로 숫자를 나타낸다.(2)광커플러를 통해 전달하는 방법을 배운다.2.실험이론-지너

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2001.06.12

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