"단결정주입이온" 검색결과 1-20 / 1,147건

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  단결정 실리콘 기판에 이온주입된 불순물이 TaSi2형성에 미치는 영향

  한국재료학회 조현춘, 최진석, 고철기, 백수현

  논문 | 6페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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  한양대학교 일반대학원 원자력공학과 학업계획서

  ·저준위 방사성폐기물 포장물의 표면 방사선량률 제한치 상향 연구, 증기발생기용 적응형 예측 제어기 설계 연구, 플라즈마 중합 플로로탄닌과 향상된 생물학적 활성 연구, 업그레이드된 단결정 ... 분산 간섭계(SCDI-U) 개발 및 부서진 펠릿 주입 중 KSTAR의 선 적분 전자 밀도에 대한 최초 측정 연구, 방사선량 감소를 위한 적대적 신경망을 이용한 치과용 파노라마 영상의 ... 양성자화된 티로신 이온의 유효 온도 연구, 상업용 전신계수기를 이용한 내부 및 외부 오염 식별 및 측정 방법에 관한 고찰 연구, 제주 배경지역 미세먼지 중 자연 방사핵종의 방사능

  자기소개서 | 1페이지 | 3,800원 | 등록일 2024.09.05

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  반도체공정 기말정리

  가우스 분포 상, 투시거리에 대한 표준편차를 의미한다.Channeling : 채널링, 수로실리콘은 단결정이기 때문에 방향이 잘 맞다면 이온 원자가 Si 원자와 충돌하지 않고 쭉 뚫고 ... 기판에는 단결정으로, 다결정 기판에는 다결정으로 성장한다.1) Mass transfer limited : 공급양보다 표면에서 반응하는 양이 더 많아 표면에 도달하는 족족 반응을 하게 ... Annealing) : 이온주입공정을 하면 높은 운동에너지로 실리콘 내부를 때리므로 실리콘 원자가 원자위치에서 벗어나서 lattice를 손상시킬 수 있는데, 이 때 발생된 결정 결함을

  리포트 | 4페이지 | 3,000원 | 등록일 2022.10.22 | 수정일 2024.04.30

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  고려대학교 일반대학원 화학과 연구계획서

  나노결정질 Sb6O13, MgSb2O6, ZnSb2O6 기반 전극의 광전기화학적 특성 연구, 폴리피롤 나노섬유로의 템플릿 없는 경로, Macromol 연구, 음이온 인식에 대한 지방족 ... 과도 격자 분광 기법을 이용한 유기금속 할로겐화물 페로브스카이트에서 정공 수송층으로의 전하 주입 연구, 저농도 암모니아 검출을 위한 하이드로겔 기반 인쇄 가능한 비색 식품 센서 제작 ... 흡습성 거동 연구, 다중 반복 주파수 안정화 레이저를 사용한 펨토초 다차원 분광학 연구, 연속적인 C-N 및 C-C 결합 형성을 통한 고성능 근적외선 염소화 릴렌카르복스이미드 형광단

  자기소개서 | 2페이지 | 3,800원 | 등록일 2024.01.29

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  동국대 대학원 융합에너지신소재공학과 자기소개서 및 연구계획서

  및 균형 달성 연구, 가공첨가제가 유기태양전지에 미치는 영향 분석 연구, 밀리미터 도메인 규모의 유기 단결정 반도체 필름에 관한 연구, 산성 물 전기산화 동안 격자 산소 산화로부터 ... 대학원 졸업 후 산업계에서는 전기화학적 리튬 삽입 동안 결정질 실리콘의 이방성 부피 팽창, 리튬 이온 배터리용 과충전된 음극 재료의 열 불안정성 원인 연구를 위한 투과 전자 현미경 ... 가능해진 바이어스 변조 다색 식별 연구, Solution-Processed Polymer Light-Emitting Diodes에서 낮은 전기화학적 도핑으로 효율적인 전하 캐리어 주입

  자기소개서 | 2페이지 | 3,800원 | 등록일 2023.03.07

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  경희대학교 일반대학원 정보디스플레이학과 학업계획서

  주입을 이용한 리세스 게이트 AlGaN/GaN MOSFET의 리세스 게이트 성능 연구 등을 하고 싶습니다.저는 또한 디퓨저가 없는 투사형 일체형 영상시스템의 영상 가시성 분석 연구 ... 연구, LED 디스플레이 패널의 레이저 공정을 위한 접합 소재의 가사시간 연구, 플라즈마 디스플레이 패널의 2차 전자 방출을 위한 전이금속 도핑 MgO의 결함 상태 연구, Mg 이온 ... 유기발광다이오드의 아웃커플링 효율에 미치는 영향에 관한 시뮬레이션 연구, 코르비노 구조의 저온 Poly-Si 산화물 박막 트랜지스터를 사용한 고이득 2단 증폭기 연구 등을 하고 싶습니다.저는

  자기소개서 | 1페이지 | 3,800원 | 등록일 2024.03.15

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  반도체 공학 과제 (반도체 기본 공정 기술)

  단결정 실리콘을 내려서 녹아있는 실리콘 용액 위 표면에 접촉시키고 단결정 실리콘을 천천히 끌어올리는데 이때 단결정 실리콘이 끌어올려지면서 고상과 액상 사이의 계면에서 냉각이 일어나고 ... 마지막으로 웨이퍼 챔퍼는 이온을 주입 하기위해 웨이퍼를 위치시키는 곳이다.어닐링은 이온 주입 후 열처리 공정으로 온도를 올렸다가 천천히 시켜줘서 금속의 구조를 안정된 상태로 만들어 ... 도핑이란 반도체의 전기적 특성을 변화시키기 위해 확산 또는 이온주입에 의해 인위적으로 불순물을 주입하는 공정이다.

  리포트 | 20페이지 | 2,000원 | 등록일 2021.07.02

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  반도체 공정 정리본

  고체 단결정 실리콘과 액체 실리콘 사이 접촉면에서 냉각이 일어나 단결정 실리콘(Seed)와 같은 형태의 단결정 Ingot이 성장된다.따라서, 8대 공정 중 Wafer 공정은 딜 수 ... 세 가지 기본 패턴 전사 접근 방식이 있다: 감산 전사(에칭), 첨사제 전사(선택적 증착) 및 불순물 도핑(이온 주입). 에칭은 가장 흔한 전사 접근 방법이다. ... 실리콘을 고열로 녹여 액체상태로 만든 뒤에 단결정 실리콘(Seed)을 접촉시켜 Ingot을 성장시키는 방법.

  리포트 | 61페이지 | 4,000원 | 등록일 2022.07.15 | 수정일 2023.07.02

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  패터닝 예비

  이온 주입이란 원자 이온에 목표물인 고체 표면을 뚫고 들어갈 만큼의 큰 에너지를 공급하여 이온을 고체 내에 주입하는 것을 말한다. ... 이렇게 하여 실리콘 단결정을 얻을 수 있다. 불순물을 첨가하면 N형 또는 P형 단결정 덩어리(Ingot)를 얻을 수도 있다. ... 단결정 제조 방법은 여러 가지가 있으나, 가장 보편화되어 있는 방법은 Czochralski의 방법이다.

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.05.05

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  무기화학실험 A High-Temperature Superconductor 결과보고서

  “고온초전도체 단결정의 성장.” 기초과학연구. 5 : 89-99. 1996김채옥, 박정수, 한홍철. “전류 주입으로 제작된 고온초전도체 의 전자기적 특성 연구.” ... 반면, 전류주입방법에 의해 제작된 나머지 samples에서 grains간의 연결성이 향상된 것을 볼 수 있다.고온초전도체 단결정 성장은 도가니(crucible)를 사용하여 CuO와 ... 이 융제법을 이용한 단결정 성장에서 도가니의 선택은 매우 중요한 요소인데, 도가니 재료에 따라 단결정 표면 morphology가 다르게 나타난다.

  리포트 | 8페이지 | 2,500원 | 등록일 2024.07.15

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  이화여자대학교 일반대학원 화학 나노과학과 학업계획서

  저는 OOO 교수님의 연구실에서 팔라듐 나노입자 플라스몬 강화 광촉매 개발, 음이온상 재분배 및 선택적 정공 주입으로 인한 층상 혼합 할로겐화물 페로브스카이트의 스펙트럼 불안정성에 ... 그 결정적인 이유 중 하나가 바로 OOOO관 건물 및 실험장비가 굉장히 부실했기 때문입니다. ... OOOO실험 수업을 수강할 때는 단과대에 하나밖에 없던 NMR이 고장이 나서 실험이 연기되는 경우도 있었습니다.

  자기소개서 | 1페이지 | 3,800원 | 등록일 2022.04.29

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  반도체 8대 공정 정리

  이온 주입 공정의 경우 , 도핑하고 싶은 도핑 물질을 이온화한 후 , 가속하여 웨이퍼 표면 에 강하게 주입하는 기술이다 . ... 웨이퍼 제조 – INGOT GROWING 모래에서 추출한 실리콘은 반도체 원료로 쓰이기 위해 정제과정이 필요 다결정 실리콘을 녹여 고순도의 실리콘 용액을 만 듬 단결정 실리콘 기둥 ... 이에 따라 , 1) 전자를 충돌시켜 도핑물질을 이온으로 만 드는 과정 , 2) 발생하는 이온 중 원하는 이온을 선별하는 과정 , 3) 전기장을 통해 강제 로 웨이퍼에 주입하는 과정의

  리포트 | 56페이지 | 2,500원 | 등록일 2024.06.09

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  반도체 기본 공정

  웨이퍼반도체의 회로기판을 구성하는 판은 실리콘(Si)을 단결정기둥(ingot)으로 성장시켜 절단 후 연마하여 만들어지며 명칭은 웨이퍼(wafer)라 부른다.산화(Oxidation)산화공정이란 ... 플라즈마 상태의 원자와 이온의 양 또는 그 원자나 이온이 가지고 있는 에너지에 따라 식각의 빠르기가 결정된다. ... 다만 이온주입은 이온을 가속시켜 웨이퍼에 물리적으로 충돌시켜 주입하는 방식으로 이온의 충돌속도를 조절하여 주입 깊이를 조절할 수 있습니다.● 중요한 조건1.

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.12.06 | 수정일 2021.06.25

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  실험

  커지면 단파장, 에너지 차이가 작아지면 장파장의 빛을 방출한다. ... OLED에서 방출되는 빛의 색깔을 결정하는 것은 발광재료의 HOMO-LUMO 사이의 에너지 준위차이인 band gap에 의해 결정된다. hν=hc/λ 의 관계에서 에너지 준위차이가 ... 분자 MO이론에서 HOMO와 LUMO 사이의 에너지 차이에 의해 방출되는 빛의 파장과 에너지가 결정된다.

  리포트 | 6페이지 | 3,000원 | 등록일 2022.12.04 | 수정일 2023.07.12

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  반도체 공정 (간단 정리)

  ->단결정 규소봉2. ... 이온주입이온총으로 웨이퍼에 불순물(P, B 등) 투입불순물 투입 이유: 순수 반도체는 전기 통하지 X, 불순물 넣어줘야 전기소자의 특성 가짐12. ... 단결정 성장반도체 원료: 규소규소는 모래에 많은데, 반도체원료로 사용 위해 정제과정 필요모래(Si)를 뜨거운 열로 녹여 고순도 Si 용액 만듦->둥근 막대모양(Ingot) 만듦->식힘

  시험자료 | 1페이지 | 1,500원 | 등록일 2021.05.26

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  [A+] 킬레이트 예비레포트

  종말점까지 주입된 EDTA 표준용액의 소모량 측정 및 기록6. ... )간접적으로SO4 ^{2-} ,CN ^{-} ,PO4 ^{ 3-},SCN ^{ -}등의 음이온, 유기염기, 유기산 등도 적정 가능적정 종말점 결정법에는 전시적 방법(전위차 적정, 전도도 ... 단, 지시약 보다 금속 킬레이트 화합물의 안정도 가 더 높아야한다.표준용액의 조제0.01M EDTA의 조제EDTA분말(EDTA-2Na2H20 함량 99.5%) 시약의 칙량(0.9353g

  리포트 | 2페이지 | 1,500원 | 등록일 2023.09.18

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  반도체 7개공정 요약본

  1.1 INGOT 제조 - 쵸크랄스키법 (CZ) : 다결정의 실리콘을 고열로 녹여 액체상태로 만든 뒤 단결정 실리콘을 접촉시켜 성장시키는 방법 부유대역법 (FZ) : 잉곳을 다시 정제하는 ... - 증착이 끝나고 전기적 특성이 필요한 박막에 불순물인 이온 (Ion) 을 주입해 전류가 흐르게 하는 것 5. ... - 반도체 집적회로의 핵심 재료 - 실리콘 (Si), 실리콘카바이드 (4H-SIC), 갈륨 아세나이드 ( GaAs ) 등을 성장시켜 만든 단결정 기둥을 적당한 두께로 얇게 썬 원판

  리포트 | 18페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.12.06

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  [A+ 실험보고서]기초화학실험-원자이온 반지름의 계산

  또한 주사기에서 매스 실린더로 노말 헥세인을 주입할 때 압력에 의해서 일부 노말 헥세인이 주사기에서 옮겨지지 못했다. ... 단 세포의 종류에는 단순 입방 구조(SC), 면심 입방 구조(FCC), 체심 입방 구조(BCC), 육방 밀집 구조(HCP)가 있다.3. ... 이온 결합성 결정 구조이온 결합의 겨우는 좀 더 복잡온의 평균반지름이라고 놓고 이온의 반지름을 구한다.

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2024.06.30

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  가톨릭대) 바이오의약품개론) 중간고사 5~8주차 분량 요약노트

  시료주입 방법① 고전 : 이온화 -> 기체상태로 주입 => 전자 이온화 방법/ 화학적 방법② 현대 : 액체 상태로 주입 => 이온화 : 1) ESI or (전이) ... Sample : 모든 형태 가능O -> 1) 고체, 2) 액체, 3) 기체1) Sample 주입2) Ionization source : 조각 이온화! ... X-ray crystallography (XRC): x-ray beam을 사용 => 단백질 결정상에서 원자의 위치와 배열을 결정* 고전적인 방법 : 단일결정 x선 (Single x-ray

  시험자료 | 16페이지 | 3,000원 | 등록일 2021.06.17

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  [예비레포트] MOSFET에서의 전기적 특성 관찰(transfer curve)

  다결정 실리콘은 고농도로 이온이 주입되어 높은 전도도를 갖는다. 또한 산화막과 화학반응 하지 않으면서도 고온에 견딜 수 있다. ... 소스, 드레인의 구분은 인가 전압의 역할에 따라 정해진다.바닥층 (기판, Substrate/Bulk/Body)P형 또는 n형 실리콘 단결정 기판이다. ... : 얇은 산화막을 gate 산화막으로 성장Boron threshold adjustment implant: MOS 트랜지스터의 임계 전압을 조절하기 위해 붕소 이온을 주입한다.

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2019.11.26

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