"재료의 산화" 검색결과 1-20 / 14,546건

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  산화물 채널층 재료 IGZO의 문제 및 개선방안 연구(디스플레이재료, A+)

  채널층의 재료 중 가장 효율적으로 손꼽히고 있는 IGZO(인듐(In), 갈륨(Ga), 아연(Zn), 산화물(O)로 만든 디스플레이 재료)에 대한 조사를 한 결과 오랜기간 변하지 않고 ... 이에 따라 우리 조는 현재 산업적으로 양산되고 있는 oxide TFT의 공정과정과 그 결과물의 문제점을 파악한 뒤 이를 개선할 수 있는 방안을 재료적 관점으로 고안해 보았다.현재 산화물 ... 사용될 수 있는 「신뢰성」에 문제가 있음을 알 수 있었다.물론 모든 TFT가 그렇겠지만 신뢰도 면에서 가장 큰 문제인 ‘NBIS 신뢰성’은 산화물인 Oxide TFT는 ‘전기와 빛을

  리포트 | 3페이지 | 3,500원 | 등록일 2020.12.17

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  치과재료학 실습-고무인상재(폴리이써, 폴리썰파이드, 산화아연유지놀)

  -비탄성 비가역성 인상재이다.2.재료 및 방법검사항목폴리이써(Polyether)폴리썰파이드(Polysulfide)산화아연유지놀(ZOE)상품명Impregum softlight bodied ... 70ml91ml/34ml주요성분폴리이써폴리썰파이드20E Impression paste제품의 유형(viscosity)mediumlight bodyhard공급형태two-paste튜브-재료의 ... 사용해야 하는 경우 알지네이트 진공혼합기를 사용하여 공기의 유입을 차단하여 기포의 생성을 막을 수 있다.(3)접촉각젖음성이란 표면이 젖어 있는 치아에 잘 흘러들어가 접착할 수 있는 재료의

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.10.11

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  고체산화물 연료전지용 공기극재료로써의 LSM-YSZ 전극 연구

  한국재료학회 이유기, 김정열, 이영기, 박동구, 조범래, 박종완

  논문 | 8페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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  그래핀 산화물 분말 첨가에 의한 비스무스 텔루라이드 기지 복합재료의 열전에너지변환 특성 고찰

  한국분말야금학회 김경태, 민태식, 김동원

  논문 | 7페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.10.11 | 수정일 2023.04.05

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  탄소섬유-페놀수지 및 안정화 PAN섬유-페놀수지 복합재료의 열주기 산화저항

  한국재료학회 조동환, 안영석, 이상철, 윤관한, 민병길

  논문 | 7페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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  재료공학실험-재료의 산화 및 박막성장

  재료공학실험1재료의 산화 및 박막 성장-예비REPORT실험목표- 실리콘 집적 회로 제작에서 가장 기본적이며 자주 사용되는 열 산화막을 형성하는 방법을 알아본다.- 열 산화막의 성장기구 ... 따라서 산화실리콘의 성장률은 선형이 아니고 포물선 형태를 이룬다.R=X/(t)1/2[R=성장률, X=산화막 두께, t=산화시간]산화시간이 증가함에 따라 산화막의 성장률은 감소한다. ... 실제로 산소가 산화막을 뚫고 실리콘으로 확산되어 들어간다.산화막이 두꺼워질수록 산소가 산화막을 뚫기가 어려워져 산화하는 데에 시간이 걸리고 산화율이 낮아진다.

  리포트 | 9페이지 | 1,500원 | 등록일 2013.03.08

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  철강산업부산물인 전기로 산화슬래그 잔골재를 이용한 고성능콘크리트 포장 보수재료 개발 및 적용사례

  한국도로학회 정원경, 길용수, 배종오

  논문 | 12페이지 | 4,300원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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  재료산화실험

  재료의 산화실험1.반도체 공정에 있어서 실리콘 산화반도체 재료로서 실리콘은 산화실리콘을 형성하기 쉽다. ... - 화합물의 열분해를 통한 산화 막 형성900~1,250도 - 열산화(건식, 습식산화)2.실리콘의 산화 메커니즘열산화의 경우, 산화물과 실리콘의 경계면으로 산화제가 확산되어 실리콘 ... 그리고 산화막 성장공정에서는 산화막의 균일성, 재현성이 요구되며, 이물질에 오염이 되지 않은 양질의 산화막이 형성되어야 한다.i) 산화막을 통해 표면의 오염을 방지하고 새로운 표면을

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.12.06

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  재료의 산화실험

  다른 반도체 재료들에는 이같이 유용한 산화막(native oxide)이 없다. ... 재료의 산화실험(안진호 교수님 연구실)2001005558 박준영 (10조 조장)제출일 : 2006 . 10 . 271. ... Si 의 산화실리콘은 비교적 저가의 재료로서 표면이 매우 평활하고 이를 공정 처리할 수 있는 장치들이 많이 존재하므로 기판으로 사용하기에 적합하다.

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.12.26

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  [고려대 재료공학실험IV 예비보고서] Plasma electrolytic oxidation을 통한 산화막 코팅

  예비보고서Plasma electrolytic oxidation을 통한 산화막 코팅`1재료공학실험Ⅳ양극산화 및 PEO의 각 원리와 이용되는 분야에 대한 조사 및 비교IntroductionAl ... Titanium plasma 산화피막은 이러한 장점을 때문에 임플란트 재료로 사용되고 있다.MagnesiumMg 양극산화 기술에 대한 연구는 1990년대 이후 활발하게 이루어졌다. ... 그렇지만 이러한 재료들은 낮은 저항성이나 높은 마찰계수 등의 좋지 않은 마찰 성질들 때문에 사용이 제한되어왔다.

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2016.03.17

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  [고려대 재료공학실험IV 결과보고서] Plasma electrolytic oxidation을 통한 산화막 코팅

  Plasma electrolytic oxidation을 통한 산화막 코팅결과보고서재료공학실험 Ⅳa. ... 이렇게 만들어진 산화막에 대하여 XRD와 SEM 분석을 하여, 변화 과정을 알아보는 실험이다. 5L부피의 bath에 3L의 증류수와 전해질 용액을 넣어주고, 전극을 연결하고, 접지를

  리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2016.03.17 | 수정일 2017.04.06

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  [고려대 재료공학실험 예비보고서] 산화 아연의 소결, 미세 조직 관찰 및 경도 분석

  예비보고서산화 아연의 소결, 미세 조직 관찰 및 경도 분석11) Zinc Oxide의 성질과 구조1.1 Crystal structure대부분의 Ⅱ-Ⅵ족의 binary compound ... Crystalline 재료의 lattice parameter는 보통 Bond method를 사용하여 HRXRD (high-resolution X-ray diffraction)로 측정이 ... 다른 경도 시험법에 비해 깊으면서도 넓은 indentation을 만들기 때문에 multiple grain 구조를 가진 재료나 불균일한 부분에 대한 정확한 결과를 얻을 수 있다.2.3

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2016.03.17

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  재료공학실험 ( 재료의 산화실험( SiO2 ) )

  - 습식산화가 건식산화보다 빠르다. ... 산화가 다시 시작될 때, 성장 속도에 영향을 주지 않는다.- 할로겐의 첨가는 실리콘의 열산화 속도를 가속시킨다.습식산화 건식산화- 성장률비교- 단시간에 두툼한 산화막이 필요하면 습식 ... 산화막을 만들어 쓰게 되며 얇지만 빈틈없이 치밀한 산화막 (게이트 처럼)을 필요로 하면 건식 산화막을 만들어 쓴다.

  리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.07.01

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  [공학기술]재료의 산화실험.

  지역에 충분히 얇은 산화막을 기른다.산화막의 형성방법 (Thermal Oxidation)습식 산화 : Si + 2H2O -> SiO2건식 산화 : Si + O2 -> SiO2실리콘 ... 실리콘 산화가 반도체 공정에서 어떻게 사용되는가? ... 실리콘 산화의 용도- 불순물 도핑을 위한 MASK산화막 두께를 충분히 두껍게 형성한 부분은 도펀트가 웨이퍼 표면에 닿는 것을 막을 수 있다.- 소자의 분할 (LOCOS)반도체 진공관

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.05.07

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  [학부실험] 재료의 산화실험

  형성되어야 한다.● 실리콘 산화막의 용도1 불순물 도핑시 확산 방지 마스크 또는 주입 이온의 스크린 용도2 금속배선시에는 절연층 재료로 사용3 MOS트랜지스터 제작 시 매우 얇은 ... 게이트 산화막의 역할3. ... 그리고 산화막성장공정에서는 산화막의 균일성(uniformity), 재현성(reproductibility)이 요구되며, 이물질에 오염이 되지 않은 양질(hight quality)의 산화막이

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.11.23

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  TiO2 산화물의 광촉매 작용을 이용한 재료설계

  먼저 양극산화 전후의 금속 판의 질량을 측정하여 금속 산화물 피막의 질량을 측정한다. ... 또한 전자는 광촉매에 흡착되어 있는 산소를 산소이온으로생성시키는데 이 산소이온은 산화반응의 중간체와 과산화물을 생성하든가 과산화 수소를 통하여 물의 반응 등을 생성합니다.위의 반응에 ... 광촉매중 이산화티타늄이 가장 많이 사용되고 있다. 이는 이산화티타늄이 내산성, 내알카리성 등이 좋으며 인체에 무해하기 때문이다.

  리포트 | 12페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.12.02

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  [전자재료]반도체 제조공정에서 산화의 필요성

  실험제목 : 재료의 산화실험 성명 :1. 반도체연구하는데 왜 재료의 산화실험을 할까?실리콘 표면 위에 산화막 층을 형성하기 위한 방법으로 실리콘 표면을 산화시키는 공정이 있다. ... 건식 산화막이 습식 산화막보다 더욱 치밀한 물질이다.단시간에 두툼한 산화막이 필요하면 습식 산화막을 만들어 쓰게 되며 얇지만 빈틈없이 치밀한 산화막 (게이트 처럼)을 필요로 하면 건식 ... 반도체 공정에서 Si 기반 어느부분에서 산화를 쓰는가?전기적 부도체 성질을 갖고 있는 산화층은 반도체 소자 제조에 있어서 다용도로 사용되어 진다.1. 게이트 산화층 2.

  리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.01.08

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  [재료공학실험] 웨이퍼산화

  반도체 재료로서 실리콘의 장점의 하나는 산화 실리콘(SiO2)을 형성하기 쉽다는 점이다. ... 수분이 있을 때 성장률이 훨씬 높기 때문에 산화물의 대부분은 습식산화 단계를 통해 성장된다. 건식산화를 하면 습식산화보다 높은 밀도의 산화물을 얻을 수 있다. ... 건식산화의 경우 유사한 그림을 그리면 800-1200도 온도범위에서 초기 산화 두께는 250이 된다. 따라서 건식산화를 게산할 때 초기 산화 두께를 생각해 주어야 한다.

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.12.09

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  [재료공학]산화물 나노구조를 이용한 가스센서

  실험결과 각 데이터를 origin program을 이용해서 그래프를 그린 뒤, 그 값을 정리했다. 측정값이므로 최고값(Ra)과 최저값(Rg)을 잡을때 한 점(point)을 대표값으로 하기엔 오차 때문에 무리가 있다고 생각되어, 값 사이에 큰 변화(dominant ch..

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.09.29

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  [재료공학]산화티타늄(TiO2)나노입자의 광촉매 현상

  이 •OH가 유기화합물이나 바이러스 등을 산화분해 한다.2) 초신수성친수화란 재료의 표면에 물이 잘 어울려서 재료의 표면에 넓게 퍼지는 현상이다. ... Introduction과학기술의 발전은 우리에게 보다 우수한 재료를 요구한다. 이러한 요구를 충족시키기 위해 최근 나노 크기 재료에 대한 관심이 현저히 증대되고 있다. ... 분해효율도시공간의 공기정화의 경우 광촉매 반응이 일어나는 곳은 산화티탄 표면에 한정되기 때문에 오염물질을 산화티탄 표면에 효율 좋게 도달하도록 해야 하는 것이 최대 과제이다.수 처리에

  리포트 | 14페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.06.08

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