"플라즈마CVD" 검색결과 1-20 / 643건

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  메탄 플라즈마 CVD법으로 합성한 탄소나노튜브의 구조적 특성

  한국유화학회 김명찬, 문승환, 임재석, 함현식, 박홍수, 김명수

  논문 | 11페이지 | 4,200원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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  고밀도 플라즈마 CVD 방법에 의한 TiN barrier metal 형성과 특성

  한국재료학회 최치규, 강민성, 오경숙, 이유성, 오대현, 황찬용, 손종원, 이정용, 김건호

  논문 | 8페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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  ECR 플라즈마 CVD에 의한 대면적의 Si기판상에서의 다이아몬드의 핵생성

  한국재료학회 전형민, 이종무

  논문 | 8페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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  ECR plasma CVD법에 의한 저유전율 SiOF 박막의 특성

  한국재료학회 이석형, 오경희

  논문 | 5페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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  아세틸렌의 열 및 플라즈마 CVD법으로 제조한 탄소나노튜브의 물성과 구조적 특성

  한국유화학회 김명찬, 문승환, 임재석, 함현식, 김명수

  논문 | 8페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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  기판 바이어스 인가에 의한 ECR플라즈마 CVD에서의 다이아몬드 핵생성 증진효과

  한국재료학회 전형민, 이종무

  논문 | 8페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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  Biased Double Arc Plasma CVD법에 의한 초경합금의 TiN 증착에 관한 연구

  한국기계기술학회 양영호

  논문 | 7페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.01 | 수정일 2023.04.05

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  RF Planar Magnetron Plasma CVD에 의한 DLC박막합성에 미치는 RF Power와 반응가스 압력의 영향

  한국재료학회 김성영, 이재성

  논문 | 6페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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  Biased Double Arc Plasma CVD법에 의해 제조된 TiC 피복층의 온도와 압력이 미치는 영향에 관한 연구

  한국기계기술학회 양영호

  논문 | 6페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.01 | 수정일 2023.04.05

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  [공학]진공과학, 플라즈마, CVD, 스퍼터링, 진공증착

  .● 플라즈마(DC, RF-PLASMA)고온에서 음전하를 가진 전자와 양전하를 띤 이온으로 분리된 기체상태로서 전하분리도가 상당히 높으면서도 전체적으로는 음과 양의 전하수가 같아서 ... 섭씨 수만 도에서 기체는 전자와 원자핵으로 분리되어 플라즈마 상태가 된다. 일상생활에서는 플라즈마가 흔하지 않으나 우주 전체를 보면 월등히 흔한 상태라고 할 수 있다. ... 자기장 속의 플라즈마에 전극으로부터 강한 전류를 자력선에 수직으로 통과시키면 자기장과 전류 상호작용으로 생긴 힘이 플라즈마를 우주선 밖으로 뿜어낸다.이 반작용으로 우주선을 앞으로 힘을

  리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.04.17 | 수정일 2022.03.09

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  [반도체]열CVD 와 플라즈마CVD

  플라즈마CVD에서 주로 사용하는 것은 이상 글로우 방전영역이다. ... {플라즈마 CVD의 구조플라즈마 구조에서 발생 메카니즘, 유지 메카니즘, 주파수나 압력의 효과 및 혼합기체의 효과에 개하여 기술하였다. ... CVD구조에 대하여 설명하는 것이 의미가 있다고 생각한다.DC방전 플라즈마 CVD의 모델링구체적인 예로 SiH4 기체를 사용한 a-Si

  리포트 | 35페이지 | 4,000원 | 등록일 2003.01.10

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  [신소재공학실험]박막 실험

  연구에서는 magnetron plasma 자체에 대한 수치해석에 주안점을 두고 아울러 bulk plasma영역에서 target으로 입사하는 이온들의 입사에너지 및 입사각도 등을 Monte ... Co, 또는 세가지 촉매금속의 합금을 증착한 후, 이 촉매금속을 증착시킨 기판을 물에 희석시킨 HF로 식각처리를 한 다음, 이 시료를 석영보트에 장착시킨 후, 이어서 이 석영보트를 CVD ... 750 - 1050 ℃의 온도에서NH _{3} 가스를 사용하여 이 촉매금속막을 추가적으로 식각하여 나노크기의 미세한 촉매금속 파티클들을 형성시킨다.Fig.4 열화학 기상증착법 공정도CVD합성법에서

  리포트 | 9페이지 | 3,600원 | 등록일 2022.08.28

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  CNT 이론적 배경 및 물성

  CVD는 열 화학 기상 증착법(thermal CVD), 촉매 화학 기상 증착법(Catalytic CVD), 플라즈마 기상 증착법(Plasma Enhance CVD)이 있다.CVD는 ... 그림 26은 플라즈마 CVD 장치에 대한 대표적인 ... 일반적으로 플라즈마 CVD에서 반응가스 방전에 사용하는 전원은 DC, RF(13.56 MHz), Microwave(2.47 GHz)로 구분할 수 있다.

  리포트 | 11페이지 | 2,000원 | 등록일 2022.06.10

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  CVD - PECVD

  CVD(PECVD) 개발 PECVD 는 열에너지를 적게 사용하는 대신 플라즈마 에너지를 보충하여 증착시키는 방식 PECVD+ 플라즈마 (Plasma) 진공 챔버에 비활성 기체 를 ... 목차 CVD - PECVDCVD 종류 CVD 열에너지 (AP,LPCVD) 플라즈마 에너지 (HDP,PECVD) 원자층 (ALCVD)CVD 란 ? ... 3 요소 CVD 공정의 핵심요소 - 진공압력 , 온도 , 화학적 원소 챔버를 제어하는 요소 - 부피 변화를 포함한 진공압력과 온도와의 상관관계 CVD 는 막의 두께 ↓ 막의 밀도↑

  리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.07.09 | 수정일 2020.07.11

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  film deposition issue

  CVD는 PVD방식보다 adhesion, step coverage, uniformity, throughput이 더 좋기 때문에 최근에는 CVD방식을 많이 사용하고 있다.APCVD는 ... 이후 열을 가하며 전기장을 걸어주면 로 이온화 되고, 두 전극 사이에 플라즈마가 발생한다. ... 하지만 플라즈마를 이용하기 때문에 impurity가 많아서 막질이 떨어지고, mean free path가 짧아져서 step coverage가 떨어진다.

  리포트 | 4페이지 | 2,000원 | 등록일 2022.11.13

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  진공증착레포트

  PECVD(Plasma enhanced CVD)플라즈마를 이용한 CVD방법으로, 플라즈마내에 있는 라디칼(radical)을 반응시키게 됩니다. ... 반면에 PVD는 화학반응을 수반하지 않는 물리적 증착법이며 CVD에 비해 작업조건이 깨끗하고, 진공상태에서 저항 열이나 전자 beam, laser beam 또는 plasma를 이용하여 ... APCVD(Atmosphere Pressure CVD)가장 기본적인 CVD방법으로 상압, 고온에서 공정을 진행합니다.

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.04.11

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  반도체 8대 공정 제조기술 및 프로세스에 대한 자료

  CVD ( 플라즈마 화학 기상 증착 ) Electrochemical cathode oxidation ( 전기화학적 산화 ) + 900 ~ 1200 ° ... oxidation ( 열산화 ) dry oxidation (more dense): O 2 ( 건식 ) wet oxidation (less dense): O 2 , H 2 O ( 습식 ) Plasma-Enhanced ... Electrical Die Sorting) Packaging 패키징 Si 로부터 웨이퍼 형성 산화막으로 웨이퍼 보호 PR 을 이용한 회로 생성 PR, 산화막 제거 건식 습식 전도성 추가 CVD

  리포트 | 33페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.12.09 | 수정일 2021.12.13

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  재료공학실험1 - PECVD

  , 이 성질을 이용해 CVD증착을 한다.2. ... PECVD 공정플라즈마 화학 기상 증착법의 줄임말으로 플라즈마를 이용하여 원하는 물질을 기판에 증착시키는 공정을 의미하며, TFT의 절연막과 보호막 증착시 이용한다.여기서 플라즈마란 ... 고려해야 할 변수(1) Step Coverage- 벽면과 윗면에 얼마나 균일하게 쌓였는지 보여주는 척도로, 벽면과 균일하게 증착 되어야 좋으며, 일반적으로 PVD보다 CVD가 좋다.

  리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2019.09.20

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  Dielectric materials (유전체 재료들)

  , etc ) Low leakage current, Low EOT(Equivalent Oxide Thickness) Poor gate oxide reliability 8 ~ 25 CVD ... Processing method SiO 2 Good reliability, Easy to form Minimum thickness : 7Å 3.8 ~ 3.9 Thermal oxidation, CVD ... damage 2) SPA (Slot plane antenna) plasma oxidation Microwave frequency(2.45GHz), Good plasma uniformity

  리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2022.01.26

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  ALD 예비보고서

  CVD는 먼저 사용되는 활성화 에너지원에 따라 thermally-activated CVD(열CVD), plasma-enhanced CVD(PECVD), photochemical CVD ... 그 후 전자빔을 이용하여 층착물질을 가열하고 증발시켜 기판에 증착시킨다.증착하고자 하는 물질(타겟)을 막을 입힐 기판에 증착되게 하였을 때, 그 사이에 제4의 물질 상태인 플라즈마를 ... PVD와 CVD는 박막도포성이 낮은 한계를 가지고 있다.

  리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.12.16 | 수정일 2021.04.08

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