"1N4001 0.6V" 검색결과 1-20 / 225건

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  [아날로그 및 디지털 회로 설계실습] 결과보고서(과제)4

  mV 임을 알 수 있다.(2)1N4001의 surge forward Current를 찾고 무엇을 의미하는지 찾으시오.1N4001의 datasheet를 찾아보면 peak forward ... `=` {R _{2}} over {R _{1} +R _{2}} =` {19`k} over {20`k} =0.95`V/V 이다.3. ... + {1} over {jwC _{2}} =12k-j {1} over {w3.9n} =12k- {j} over {6.8 pi 3.9nk} =12k-j1.2 TIMES 10 ^{-9}

  리포트 | 1페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.09.14

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  다이오드 실험 결과보고서

  이 값을 ‘순방향 전압 강하’라고 한다. 1N4001, 1N4002의 경우 그 값이 1.1V이며, 1.1V만큼 입력 전압에서 제하게 한다. ... 8) (Case B, C, D)다이오드 종류 매칭1N4001 – D – Zener voltage(breakdown voltage) = 50 V1N4002 – B - Zener voltage ... (breakdown voltage) = 100 V1N4148 – C - Zener voltage(breakdown voltage) = 75 V1N5225B - A - Zener voltage

  리포트 | 5페이지 | 2,000원 | 등록일 2022.08.08 | 수정일 2022.10.02

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  중앙대 아날로그 및 디지털 회로 설계 실습 3학년 2학기 신호발생기 과제 6주차

  V _{i`n}} over {V _{out}} = {R _{2}} over {R _{1} +R _{2}} =0.95두 곱이 1이 나오는 것을 알 수 있다.3. ... mV)임을 알 수 있다.- 1N4001의 surge forward Current를 찾고 무엇을 의미하는지 찾으시오.아래 사진은 TGS사의 1N4001 data sheet 일부이다.forward ... UA741CN, 1N4001 datasheet를 참고하여 문제에 답하시오.- UA741CN의T _{amb} =+25( DEG C)일 때의 Large signal voltage gainA

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.06.28

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  PN 접합다이오드

  따라서 실리콘 다이오드인 1N4001의 turn-on전압은 문턱전압과 동일하므로 약 0.7V임을 알 수 있다. ... 인터넷을 찾아보니 항복전압이 6V인 1N5233다이오드나 항복전압이 6.2V인 1N5234, 1N4735 등의 다이오드를 쓰면 과제에 제시된 그래프대로 나온다고 하여 라이브러리에 없는 ... ◆연습과제 7항복전압 6.2V인 1N4735의 그래프이 항목 과제를 하기 위해서 조사를 하여 항복전압이 6V인 1N5233다이오드를 사용하면 나온다는 것을 알았다.

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.03.20 | 수정일 2020.03.25

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  전자회로실험 다이오드 및 BJT 특성 결과보고서 (충북대 및 타 대학교)

  (1) 의 회로를 다이오드(1N4001)를 이용하여 구현한다. ... 실험■ 실험기기 및 부품다이오드1N4001(1개)제너 다이오드 1N4739(1개)BJT CA3046(1개)저항1k OMEGA (1개),10k OMEGA (1개)4.1 다이오드의 특성 ... -v _{D2}} over {V _{T} `ln(i _{D1} )-ln(i _{D2} )} = {0.675-0.684} over {0.025ln(5.296)-ln(6.294)} =0.005005I

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.06.21 | 수정일 2022.12.10

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  전자회로실험 BJT 차동 증폭기 결과보고서 (충북대 및 타 대학교)

  -0.1031.3-9256-4-0.0060.5-74.2911.4-9249-3-0.0050.6-244.481.5-9196-2-0.0050.7-61192-8751-1-0.0010.8-88963 ... 실험■ 실험기기 및 부품BJT1N4001(4개)저항1k OMEGA (1개)4.1 전류 거울(1) 회로를 구성한다. 복사된 전류를 측정하시오.(2) 회로를 구성한다. ... 전류 거울을 이용한 차동 증폭기v _{i`n1} [V]v _{out} [mV]v _{i`n1} [V]v _{out} [mV]v _{i`n1} [V]v _{out} [mV]-5-0.0030.4

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.06.21 | 수정일 2022.12.10

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  pn 접합형 다이오드의 특성 실험 레포트

  순방향 실험 또한 문턱전압 이상의 전류의 크기 변화를 파악하는 것이 목적이기에 최대 6V 정도의 전압만 인가.· 실험에 사용된 1N4004 다이오드는 정류용 다이오드, 1N4148 ... 1대(3) 브레드보드(4) 다이오드 1N4148, 1N4001, 대체용 실리콘 다이오드와 게르마늄 다이오드(5) 점퍼선□ 관련 이론· 전압전류 특성곡선pn 접합형 다이오드는 애노드와 ... 실험결과 각 저항과 다이오드에 전압을 달리하였을 때 나타나는 전류의 변화전압(V)(역방향시VTIMES10)R=330OMEGAR=1KOMEGAR=100KOMEGAR=1MOMEGAI_FI_FI_RI_R1N41481N40041N41481N40041N41481N40041N41481N400400.01muA0.01muA0.01muA0.01muA0.01muA0.01muA0.01muA0.01muA0.10.03muA0.03muA0.14muA0.02muA0.01muA0.01muA0.01muA0.01muA0.20.26muA0.07muA0.36muA0.08muA0.02muA0.02muA0.02muA0.02muA0.33.86muA1.52muA0.6muA1.01muA0.03muA0.02muA0.02muA0.02muA0.410.0muA65.0muA8.9muA24.5muA0.05muA0.09muA0.08muA0.06muA0.564.0muA116muA53.0muA90.8muA2.34muA2.49muA1.98muA1.96muA0.6220muA210muA114muA119muA6.53muA6.42muA5.10muA5.32muA0.7430muA419muA195muA195muA17.8muA18.2muA13.8muA13.9muA0.80.66mA0.59mA240muA272muA26.6muA27.0muA21.2muA22.3muA0.90.80mA0.90mA313muA394muA36.4muA36.9muA29.9muA31.0muA11.00mA1.07mA459muA453muA46.7muA48.0muA37.1muA38ES10

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.09.07

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  전기전자기초실험2 다이오드1 결과레포트

  회로에서 제너 다이오드를 정류 다이오드(1N4001)로 교체했을 경우, 입력 전압이 10V일 때, VL에 몇 V의 전압이 걸리는가? ... (다이오드 1N4001)그림 1-1 순방향 바이어스 그림 1-2 역방향 바이어스실험을 위하여 구성한 회로의 사진을 첨부한다.1-1 순방향 바이어스 1-2 역방향 바이어스그림 1-1의 ... 값을 구해보면 ∆VZ 는 0.1V의 근사치를 가지고 ∆IZ 는 4mA의 근사치를 가진다 고로 동저항 RZ는 대략 25옴의 동저항을 가진다는 것을 알 수 있다.실험2의 그림 2-2

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.05.14

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  3주차-실험13 결과 - CMOS-TTL interface

  하지만 모두 0V에 가까운 값 이여서 0과 1의 출력 중 0에 해당한다고 볼 수 있었습니다.실험 (5)와 실험 (6)은 저희가 실험에 실패하였습니다. ... 10[㏀]47[㏀]V _{OUT} [V]0.936 [mV]0.579 [mV]0.792 [mV]인 가 전 압구형파의 전압레벨V _{DD}V _{B}4001 핀핀 1핀 3+5+5.0약 ... 의 회로를 구성하고, 4001의 핀 1과 핀 3의 파형을 관찰하여 구형파가 나오면 그 파형의 전압레벨을 측정하라.(6) CMOS에 TTL을 직접 연결한다는 것은 CMOS의 구동능력이

  리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.10.02

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  다이오드 응용회로

  제너 다이오드의 특성은 1N4001의 경우 1W, =9.1V, =28mA, =5의 값을 갖는다.4. ... 실험 결과실험 I(1) 다이오드(1N4001)와 와 같이 결선하고 주파수 발생기는 10V, 60Hz 입력 신호를 사용하고 과 같이 오실로스코프를 연결하여 전류-전압 특성을 측정하시오 ... 제너 다이오드의 특성은 1N4739A의 경우 1W,V _{{} Z=9.1V,I_Z=28mA,r_z=5OMEGA 의 값을 갖는다.▲ 브레드보드에 회로를 연결한 모습 ▲실험 결과 그래프

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.06.16

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  실습 4. 신호발생기 예비보고서

  (UA741CN) : 1개다이오드 1N4001 : 2개가변저항 10KΩ : 6개커패시터 100nF, ceramic disk : 2개사용장비오실로스코프(Oscilloscope) : 1대브레드보드 ... Av를 구한다.beta = {1} over {3+j(wt- {1} over {wt} )} 에서j(w tau - {1} over {w tau } )=0 위상이 0이므로beta = { ... {V _{O}} over {V _{+}} =1+ {R2} over {R1}이고{V _{-}} over {V _{O}} = {R1} over {R1+R2} 으로 연산증폭기OP AMP의

  리포트 | 4페이지 | 2,000원 | 등록일 2022.09.19

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  [A+보고서] 회로실험 CMOS-TTL Interface 예비보고서

  실험 준비물(1) SN7406(2) 4001(3) 4011(4) 4050(5) Resistor 470[ ^{prime } OMEGA ], 1[K ^{prime } OMEGA ], 2.2 ... VOH(TTL) ≥ 3.5[V]로 하는 방법을 사용하 고 R의 값은 보통 2~6[KΩ]이다.? ... 3.5[V] 이므로 CMOS를 구동하는 TTL은 VOL ≤ 1.5[V], VOH ≥ 3.5[V]를 만족해야 한다.- TTL의 낮은 레벨출력 VOL은 0.5[V] 정도로 VOL ≤

  리포트 | 6페이지 | 1,500원 | 등록일 2022.12.24

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  실험 6 . 다이오드 리미터 회로와 클램퍼 회로의 특성 실험

  6) 2차 축 전압이 25.2V인 중간 을 갖는 변압기 1개 (함수 발생기로 대체 가능)(7) 정류용 다이오드 1N4001 , 1N4148 혹은 대체용 실리콘 다이오드와 게르마늄 다이오드 ... 4개(8) 제너 다이오드: 1N751 5.I V 용 제너 1개,1N757 9V 용 1개 ,1N759 12V용 1개(8) 1/2W : 470Q, 1kQ, 10kQ, 100KQ(9) ... 이때 Ⅵ의 주기는T=1/f=1/1000=1ms이고출력은 바로 다이오드를 걸쳐서 나타나는데 이때의 시간 간격에서 0V이다.

  리포트 | 16페이지 | 1,000원 | 등록일 2023.07.12

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  실습 4. 신호발생기 예비보고서

  (UA741CN): 1개오실로스코프(Oscilloscope): 1대다이오드 1N4001: 2개브레드보드 (Bread board): 1개가변저항 10KΩ: 6개파워서플라이 (Power ... 출력전압이 ±15 V에서 왜곡되는 정현파를 기대했지만, peak값이 약 로 0에 가까운 전압이 출력되었다. ... 또한, 주파수 영역에서 발진주파수를 확인한 결과 0Hz에서 peak를 찍은 후 0V를 유지하는 것을 확인할 수 있다.위의 결과로 인해 이득을 증가시키기 위해 저항값을 로 살짝 증가시켰다.그

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.12.05

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  [A+] op-amp 응용 실험 레포트

  6개, 100kΩ 1개•capacitor: 0.0022uF 2개, 0.22uF 1개•브레드 보드, 전선 및 리드선3. ... 사용 계기 및 부품•DC power supply, 디지털 멀티미터, 오실로스코프, 함수발생기•Op-amp: LM741 1개•다이오드: 1N4001 1개•저항: 1kΩ 1개, 10kΩ ... 본다.커패시터 값을 증가시킨 경우 (0.22uF->2.2uF)

  리포트 | 23페이지 | 3,000원 | 등록일 2023.11.08 | 수정일 2023.11.15

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  실험 5제너다이오드 회로의 특성 실험

  2차 측 전압이 25.2V인 중간탭 올 갖는 변압기 1개 (함수 발생기로 대체 가능)(7) 정류용 다이오드 1N4001, IN4148 혹은 대체용 실리콘 다이오드와 게르마늄 다이오드 ... 응답에 대해서 자신의 () 지속적으로 변화 시키면서 자신의 단자 양단에는 항상 원정한 전압을 유지시키는 능력을 갖는다.임피던스 (b) 전압 (c)전력 정력 (d) 임피던스와 전력 정격1N7511N7571N7591V0.04μA0.04μA1.02V25.5x1V0.12 ... 4개(8) 제너 다이오드 1N751 5.1V 용 제너 1개, 1N757 9V 용 1개, IN759 12V용 1개(8) 1/2W : 680Ω, 470Ω, 4.7KΩ(9) 점퍼선(10

  리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2023.07.12

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  [전자회로실험] 5장 다이오드 정류회로 레포트

  9. 1N4001의 극성에 유의하여 의 전파 브리지 정류회로를 결선하라. ... 실험 순서1. 의 반파 정류회로를 결선하라. 1N4001 다이오드의 극성에 주의하고 변압기 1차 측에 110V를 연결할 때 감전되지 않도록 유의하라. ... V _{r(`````````)}0.75 V0.16 V피크-피크 리플 전압(측정값)V _{r(pp)}1 V200 mV% 리플계수(기댓값)% r6.99 %1.4 %토 론?

  리포트 | 12페이지 | 1,500원 | 등록일 2019.10.19

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  접합 다이오드 특성 결과보고서

  【준비물】다이오드 1N4001, 1N60가변저항 10K VR【3. 실험 순서】1) 순방향 바이어스? ... VDIR = VR / R 순방향 특성 결과표VF0.7V0.65V0.6V0.55V0.5V0.4V측정값Vin5.45v2.18v1.13v0.7v0.58v0.4v계산값VR4.75v1.53v0.53v0.148v0.08v0v계산값IR14mA4.63mA1.6mA1.6mA1.52mA0A4 ... 다이오듸 양단 전압강하가 0.4V, 0.5V, 0.55V, 0.6V, 0.65V, 0.7V 되는 곳에서 측정한다. 1kΩ의 가변자항 RS를 변화하여 Vin을 증감시킨다.그림 1.9

  리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.05.12

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  CMOS-TTL interface 예비보고서

  [V] 및 VIH = 3.5[V]로, CMOS를 구동하는 TTL은 VOLLEQ1.5[V], VOHGEQ3.5[V]를 만족하여야 한다.통상 TTL의 낮은 레벨출력 VOL은 0.5[V] ... TTL과 CMOS의 interface● 실험 준비물(1) SN7406(2) 4001(3) 4011(4) 4050(5) Resistor 407['Ω], 1[K'Ω], 2.2[K'Ω], ... VDD이고, n-channel FET의 source에 대해서는 gate 입력이 0[V]이므로, p-channel FET는 on되고, n-channel FET는 off되므로 출력이 high가

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2019.10.17

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  충북대 전자회로실험 실험 1 다이오드 및 BJT 특성 결과

  실험 결과1.1 다이오드의 특성(1) 의 회로를 다이오드(1N4001)를 이용하여 구현한다. ... 이상계수(n)을 구하시오.I _{S} =ID/e^(Vd/VT)=9.27*10^-3/e^(0.704/0.0259)=1.4*10^-14An=Vd/VTln(Id/Is)=0.704/0.0259ln ... OMEGA V _{D0} =v _{D} -i _{D} TIMES r _{D} =608mV(4) 의 회로를 제너 다이오드(1N4739)를 이용하여 구현하고, 제너 다이오드 전류와 전압

  리포트 | 8페이지 | 2,000원 | 등록일 2022.01.05 | 수정일 2023.03.14

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