"4H-SiC" 검색결과 1-20 / 287건

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  Recessed-gate 4H-SiC MESFET의 DC특성에 관한 연구

  한국재료학회 박승욱, 황웅준, 신무환

  논문 | 7페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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  Ni/4H-SiC Field Plate Schottky 다이오드 제작 시 과도 식각에 의해 형성된 Nickeltitanium 이중 금속 Schottky 접합 특성과 공정 개선 연구

  한국재료학회 오명숙, 이종호, 김대환, 문정현, 임정혁, 이도현, 김형준

  논문 | 5페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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  서강대학교 일반대학원 시스템반도체공학과 연구계획서

  낮은 스위칭 손실을 위한 새로운 1700V 4H-SiC 이중 트렌치 MOSFET 구조 연구, 4H-SiC UMOSFET의 게이트 유전체 재료에 따른 온도 신뢰도 분석 연구 등을 하고 ... 기반 모션 생성 및 매칭 시스템 관련 연구, 에너지 효율적인 AI 계산을 위한 가변 비트 정밀도 MAC 마이크로아키텍처의 검토 및 분석 관련 연구, 딥 소스 트렌치를 갖는 고성능 4H-SiC ... 또한 고전압 전력 IC 통합을 위한 4H-SiC CMOS 소자의 신뢰성 분석 연구, FeedFormer: 효율적인 시맨틱 분할을 위한 트랜스포머 디코더 재방문 연구, 전기에 의한

  자기소개서 | 2페이지 | 3,800원 | 등록일 2023.05.24

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  2023 삼성전자 DS 공정설계 최종 합격 자기소개서

  이에 관한 자신의 견해를 기술해 주시기 바랍니다 PAGEREF _Toc141034602 \h 4 Hyperlink \l "_Toc141034603" 지원한 직무 관련 본인이 갖고 ... 삼성전자 DS 최종 합격 자기소개서반도체연구소 공정설계 직무목차 TOC \o "1-3" \h \z \u Hyperlink \l "_Toc141034600" 삼성전자를 지원한 이유와 ... 것은 SiC와 GaN입니다.

  자기소개서 | 6페이지 | 4,000원 | 등록일 2023.07.23

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  복합재료 SiC PPT 발표자료 신소재공학과

  /engineered-components/hot-isostatic-pressing.html 9Microstructure 03 Fig.4 Xudan Dang, Meng Wei, Rui ... Fig. 5 Fig. 6 11Applications 0 4 Fig.7 https://bonsystems.blog/ 절삭가공-종류를-알아보자/3-2/ Fig.7 Application ... during microwave sintering ※ Si C whiskers dispersed on alumina matrix Fig.4 10 SiC WhiskersProperties

  리포트 | 18페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.10.29

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  포항공과대학교 일반대학원 전자전기공학과 연구계획서

  가변성과 랜덤 이산 도펀트의 아날로그 성능 지수 비교, FinFET 및 나노시트 FET의 단일 이벤트 과도 현상, 진공 전계 방출 트랜지스터 설계에서 일함수 고려, TSCIS를 사용한 4H-SiC ... ) 바이러스의 고감도 검출, Si-Nanonet 이온에 민감한 전계 효과 트랜지스터에서 파릴렌-H 감지 멤브레인의 전기적 특성 및 pH 응답, 수직 SONOS(Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon ... Fin 기반 DRAM의 소프트 오류, NH3 검출을 위한 Au 장식 Si 나노와이어 FET 센서의 개선된 장기 응답, Silicon Nanonet BioFET를 사용한 인플루엔자 A(H1N1

  자기소개서 | 1페이지 | 3,800원 | 등록일 2021.11.17

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  서강대학교 일반대학원 시스템반도체공학과 연구계획서

  /Ni 쇼트키 방식을 적용한 4H-SiC TSBS의 낮은 무릎 전압과 높은 항복 전압 연구, 다중 모드 기술을 통한 비고정 환경에서의 일회성 모방 연구 등을 하고 싶습니다.저는 또한 ... 상보 차동 주파수 배율기를 사용하는 D-대역 X8 주파수 체배기 연구, 분리를 위한 탄소 도트 가공 멤브레인 ? ... 반도체·디스플레이 탄소중립을 위한 PECVD 챔버세정용 NF3대체가스 개발연구, 메모리 내 컨벌루션 가중치 매핑을 위한 궁극적인 메모리 활용을 향한 커널 모양 제어 연구, Poly-Si

  자기소개서 | 1페이지 | 3,800원 | 등록일 2024.02.19

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  Thermal Process, 열공정, 반도체 공정 정리 레포트

  H2SO4 : H2O2 : H2O2 : H2O 또는 NH4OH : H2O2 : H2O2 : H2O와 같은 강한 산화제는 입자 및 유기 오염물을 제거할 수 있다. ... 대부분의 IC 공정에서, 70~80°C에서 1 : 1 : 5 내지 1 : 2 : 7 비율을 갖는 NH4OH : H2O2 : H2O의 조성이 널리 사용된다. ... 석영과 비교하여 SiC는 열 안정성이 높고 이동 이온 장벽이 더 우수하다. SiC의 단점은 석영보다 더 무겁고 더 비싸다는 것이다.

  리포트 | 25페이지 | 2,500원 | 등록일 2021.02.09

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  [시장분석]실리콘 음극재 시장

  주행거리에 필요한 에너지 용량은 실리콘이 1g당 3600㎃h(밀리암페어시)로 기존 흑연 370㎃h의 10배 가까이 된다. ... 국내 기업들의 실리콘 음극재 동향업체명기반기술투자 계획대주전자재료SiO×국내 최초 상용2공장 567억원 투자포스코케미칼SiO×, SiC계획중한솔케미칼SiC넥시온 3,300만달러 투자SK머티리얼즈그룹포틴SiC8500억원엘피엔SiN ... ×계획 중엠케이전자Si-Alloy올해 투자 예상출처 : 디일렉(2023,01,04)에서 발췌, 인용발표된 투자액으로 따지면 SK머티리얼즈그룹포틴이 가장 크다.

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2023.03.10

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  우리나라 반도체 상장기업 정리

  축전지, 전극물질) 등 케미칼 소재와 특수가스 (Si2H6, CF4, HBr, GeH4) 보유하고 있으며, 주 고객사는 SK하이닉스임.반도체 증착공정에 적용되는 HCDS와 Low-K ... 추진하고 있음.케이엔제이동사는 2005년 회사 설립 이후 디스플레이 제조용 장비인 Edge Grinder(엣지그라인더)와 검사장비를 개발 생산해 왔음.2010년 신규사업으로 CVD-SiC ... 목적으로 '한국 도카이카본'으로 설립됨.동사는 공장 및 기업부설연구소를 가지고 있으며, 2003년 코스닥시장에 주식을 상장함.주력제품은 국내 최초로 가공공정, 고순화공정, CVD SiC-Coating공정의

  리포트 | 17페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.10.29

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  경희대학교 일반대학원 반도체공학과 학업계획서

  화학 기상 증착을 사용하여 탄소 표면 4H-SiC에서 성장한 질소 극성 GaN에 대한 NH3 전처리 시간의 영향 연구, 냉각장치를 구비한 식물생장장치 연구, 2차원 물질, 금속-유기 ... 다중 분할 링 공진 MEMS 센서 연구, 비휘발성 메모리 응용을 위한 복합 에너지 장벽을 갖춘 Si-Doped HfO2 기반 강유전성 터널 접합 연구, 하소된 졸-겔 분말로부터 소결된 ... 경희대학교 대학원 반도체공학과 연구실에 진학한 다음에 유연/착용형 플랫폼 설계 및 IoT 센서 응용 연구, LED 조명용광학계 및 지문 및 혈흔감식 System 개발 연구, 고온 금속-유기

  자기소개서 | 2페이지 | 3,800원 | 등록일 2024.04.28

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  (특집) 증착공정 심화 정리5편. CVD, PVD

  Reactants enter chamber : 가스가 챔버에 들어옵니다.ex) SiH4 + H2O → SiO2?2. ... (SiON, SiH, SIC 등)따라서 요즘은 Precursor 상태의 gas를 주입시킨다.(에너지가 적어도 되고 불순물도 안생기므로)?4. ... By-product removal: 탈착된 물질을 제거?

  리포트 | 3페이지 | 2,000원 | 등록일 2021.11.02

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  금속조직학 및 미세조직 관찰 A+

  참고로 현미경 사진에서 금속 조직끼리 색이 다른 것은 빛을 반사하는 정도가 다르기 때문이다.4. ... 이런 결정입도 측정에는 여러 방법이 있는데 그 중 대표적인 것이 line-intercept method이다. ... 시약 및 실험 기구 조사▶ 시약HCl: 아연보다 금속 반응성이 작다D.W: 증류 및 필터를 통해 제조된 증류수로써 용액 내 H2O 이외의 무기물, 미네랄 등을 전부 제거한 액체HCl

  리포트 | 9페이지 | 1,500원 | 등록일 2022.03.03

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  Overcharge reaction of lithium-ion batteries- 전지 과충전 반응 논문 리뷰

  CH 4 , C 2 H 6 and C 2 H 4 ) were evolved in the overcharge reaction - Amount of gas increase with the ... 2 O → 2HF + POF 3 4LiMO 2 + 4HF → MO 2 + M 3 O 4 + 4LiF + 2H 2 O 2ROCO 2 (in electrolyte) + 2LiMO 2 + ... HPO 2 F 2 ↔ H 2 PO 3 F ↔ H 3 PO 4 (excctrode Li 2 CO 3 HF attack LiF + H 2 O + CO 2 ↑ Electrode LiF

  리포트 | 8페이지 | 2,000원 | 등록일 2022.01.22 | 수정일 2022.01.26

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  전북대 화공기초실험2 '무기화학기초실험' 실험보고서입니다.

  _{4} + 4H{} _{2}O → Si(OH){} _{4} + 4C{} _{2}H{} _{5}OHSi(OH){} _{4} → SiO{} _{2} ＋２H{} _{2}O반응식에서 TEOS와 ... 제조한 실리카의 수율을 계산하시오.수율 = 실험에서 얻은양/이론값 × 100% 이므로 이론값을 먼저 구하면TEOS와 H{} _{2}O반응 : SiC{} _{8}H{} _{20}O{} ... Abstract실리카합성과 합성한 실리카를 이용하여 등온흡착평형 실험을 진행하였다.TEOS를 이용해서 Sol-Gel법으로 실리카 합성과정을 이해하고 합성과정에서 사용된 촉매변화에 따른

  리포트 | 4페이지 | 4,000원 | 등록일 2021.05.10

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  무기공업화학실험 실리카겔의 제조 결과레포트

  실험용 증류수는 내용물에 불순물이 섞일 가능성이 있으므로, 인체에 직접적으로 사용하지 않는 것이 좋음Tetraethyl orthosilicateEthanolMethanol화학식C8H20O4SiC2H6OCH4O분자량 ... Sol-Gel 법에 작용하는 요인을 조사하고 설명하시오Sol-Gel 법은 PH 의존성, 온도 의존성, 산-염기 촉매 의존성, 유도효과, 입체효과, Sovent Effect, H2O와 ... ~6에서는 입자의 크기가 2~4nm이다. pH 7이상에서는 입자의 숫자가 줄고 크기가 더 커진다.3.

  리포트 | 4페이지 | 2,500원 | 등록일 2024.06.20

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  알루미나 단결정 성장법

  -나선성장이론은 과포화도가 높고 결정성장의 속도가 낮은 경우에 일어나는 현상으로 뒤틀린 격자 면에서부터 나선방향으로 원자나 이온이 지속적으로 부착되어 결정이 성장된다는 이론으로 SiC의 ... 도가니 안의 금속이 젖음성이 있고 없음이 상관없음③ 융액 기둥의 형태를 제어할 가이드를 설치하고 seed 결정을 접촉④ seed 결정을 회전 없이 수직 인상하여 판형태의 결정성장2-4 ... 성장과정① 고순도의 Al2O3를 iridium 도가니에 넣고, 2050℃ 이상으로 용융② 사파이어 seed 결정을 융액에 담근다.③ Seed를 30rpm 이상으로 회전하면서 6~25mm/h의

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.12.28

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  세라믹스 기계적성질(수명예측과 환경영향)

  와이불 계수 (n) : 7-8 ( 유리 ) 10-20 ( SiC , Si 3 N 4 ) 일반적으로 , 균일한 재료일수록 와이불 계수는 크고 , 강도의 통계적인 분포가 작다 .응력 부식 ... Ps 곡선은 곡선 1 을 ln (H 1 σ 1 n /H 2 σ 2 n ) 만 횡축에 따라 평형 이동함으로써 얻어짐수명예측기술 여기서 H1 과 H2 는 다음 식에서 구한다 . f 1 ... = f 2 이면 H 1 = H 2 이기 때문에 평행이동거리 ln ( σ 1 n / σ 2 n ) 으로 된다 .

  리포트 | 21페이지 | 3,000원 | 등록일 2021.01.13

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  재료과학의 이해와 응용 2장

  최외각 전자의 평균수는 (4+4)/2=4이므로, 이 결합은 공유결합이라 할 수 있다.?: △EN=EN(C)-EN(H)=2.55-2.20=0.35이므로 이온결합이 아니다. ... SiC: △EN=EN(C)-EN(Si)=2.55-1.90=0.65, 이는 단지 약 10% 이온결합에 해당하므로, 최외각전자수를 고려해야 한다. ... 비록 이 화합물의 평균 최외각 전자수는 (4+1)/2=2.5이지만, H는 예외적인 경향을 갖고, 공유 결합을 형성하는 경향이 우세한 것으로 알려져 있으므로, 이 혼합물의 결합은 공유결합일

  리포트 | 4페이지 | 2,000원 | 등록일 2022.04.29

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  LED의 재료와 제조공정에 대한 레포트

  N-GaN 을 만드는데 주로 사용되는 도펀트는 Si MOCVD 장치 반응로에 Si 2 H 6 가스 첨가03 LED 제조공정 활성층 재결합이 집중적으로 일어나도록 P-N 접합의 경계 ... Vapor Transport) 법01 LED 용 기판 GaN 기판 동종 에피택시 → LED 효율 4 배 이상 개선 개발 , 생산의 난이도가 극히 높다 사파이어 기판보다 100 배 ... 기판 SiC 는 GaN 과의 격자 부정합이 작고 , 열전도 특성이 매우 우수 근자외선 영역 근처에서 광 손실 발생 다른 기판 물질에 비해 광추출 효율이 낮음 PVT(Physical

  리포트 | 73페이지 | 2,500원 | 등록일 2020.09.08

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