"AL 증착" 검색결과 1-20 / 866건

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  전자 사이클로트론 공명 플라즈마와 열 원자층 증착법으로 제조된 Al2O3 박막의 물리적·전기적 특성 비교

  한국재료학회 양대규, 김양수, 김종헌, 김형도, 김현석

  논문 | 6페이지 | 4,000원 | 등록일 2023.04.05

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  Ultrasonic spray pyrolysis 장비를 이용한 TCO 증착(Al-doped ZnO제작)

  PVDPVD(물리 기상 증착) 공정의 정의는 생성하고자 하는 박막과 동일한 재료(Al, Ti, TiW, W, TiN, Pt 등)의 입자를 진공 중에서 여러 물리적인 방법에 의하Sputtering ... 실험목적TCO 의 대표적인 소재 ITO를 대체할 소재로 Al-doped ZnO를 제작해보고, 전기적인 특성을 측정해보자.2. 이론적 배경1. ... CVDCVD란 말 그대로 화학적 기상 증착법을 의미한다 이방법은 접착력이 우수하고 복잡한 형태의 기판에 균일하게 증착시킬수 있으며, 고순도 물질 증착이 용이하다.

  논문 | 26페이지 | 8,000원 | 등록일 2017.09.28

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  RF 마그네트론 스퍼터링법으로 증착한 Al이 첨가된 ZnO 투명전도막의 전기적 특성

  한국재료학회 김진용, 이용의, 조해석, 이동현, 김영진, 김형준

  논문 | 8페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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  Cosputtering법으로 증착한 ZnO박막의 Al도핑농도가 미세구조 및 물리적 특성에 끼치는 효과

  한국재료학회 임근빈, 이종무

  논문 | 4페이지 | 3,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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  자장 구조 변화에 따른 High Power Impulse Magnetron Sputtering (HIPIMS)에서 Al-doped ZnO 박막 증착 특성

  한국재료학회 박동희, 양정도, 최지원, 손영진, 최원국

  논문 | 7페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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  마그네트런 스퍼터링법으로 증착한 투명전극용 Al도핑된 ZnO의 공정 분위기에 따른 구조적, 전기적, 광학적 특성비교

  한국재료학회 임근빈, 이종무

  논문 | 3페이지 | 3,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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  Proximity-Scan ALD (PS-ALD) 에 의한 Al2O3와 HfO2 박막증착 기술 및 박막의 전기적 특성

  한국재료학회 권용수, 이미영, 오재응

  논문 | 5페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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  Si 기판에서 원자층 화학 기상 증착법으로 제조된 Al2O3 및 ZrO2 유전 박막의 결정학적 특성 및 계면 구조 평가

  한국재료학회 김중정, 양준모, 임관용, 조흥재, 김원, 박주철, 이순영, 김정선, 김근홍, 박대규

  논문 | 6페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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  1-1. AMOLED Full Device - Polymer report (A+)

  Metal Chamber에서 AL증착 120nm 증착 이때 AL이 기판에 증착 전에 겉표면 의 1000ANGSTROM을 날려준다 그이유는 Thermal evaporation을 하고 ... 난 뒤 액화하여 이물질이 AL에 붙었을 경우를 대비하여 다시 가열을 하여 AL의 표면에 있는 이물질을 날려준다.12. ... Organic Chamber로 이동하여 LIF물질을 증착한다. 이때 LiF물질을 증착할 때는 0.1ANGSTROM/s로 증착한다11.

  리포트 | 15페이지 | 10,000원 | 등록일 2023.07.30

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  반도체 공정_캡스톤 디자인 1차 개인보고서

  본론(1) 반도체 소자제작을 위한 Al배선 공정과 Cu배선 공정- Al metallizationAl 은 박막 증착과 etch 에 용이하고 산화막과 의 접착성이 우수한 점이 있지만, ... 과제 요약10 nm 급 이하의 반도체 소자의 배선 재료로 고려되고 있는 고품질 Ru 박막에 대한 플라즈마 강화 원자층 증착 공정 기술 개발을 위해 기존에 사용 중인 Al 배선과 Cu ... 약 450CENTIGRADE 의 온도에서 공정이 진행 될 때, Al 과 Si가 만나면 Al 이 Si 로 확산하여 계면에서 섞이려는 성질로 인해, Al 배선 공정에서 접합면이 파괴되는

  리포트 | 6페이지 | 10,000원 | 등록일 2022.11.13 | 수정일 2023.01.08

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  부산대학교 MEMS 실험 3 (박막형 반도체 가스센서) 결과 보고서

  따라서 Al을 Etching mask로 선정하였다.3) 증착이 완벽하게 되지 않은 이유증착이 완벽하게 되지 않은 이유는 여러 가지가 있다. ... Alignment & Exposure4l Evaporation을 사용한 이유는 Al을 증착할 때 E-beam 방법을 이용하면 Al에 Damage가 생기기 때문이다.이 실험에서는 텅스텐 ... 분석 및 고찰8p1) Image reverse를 하는 이유2) Al을 Etching mask로 선정한 이유3) 증착이 완벽하게 되지 않은 이유4) Plasma Etching 조건 중

  리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.05.17 | 수정일 2023.05.10

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  2-2. AMOLED Full Device - Polymer report (A+)

  Ag 전극)이나 유기 층에 LiF를 1nm 이하 두께로 증착하고 그 위에 Al을 증착 (LiF/Al 전극)한 것이 사용되고 있다. organic물질과 metal물질이 만날 때 반응성이 ... LiF물질을 증착할 때는 0.1ANGSTROM/s로 증착한다.)⑨ LiF물질을 증착한 기판을 Metal Chamber로 옮겨 Al을 120nm만큼 증착한다. ... (Al을 기판에 증착하기 전에 shutter를 닫고, 1000ANGSTROM정도를 날려 없애준다.

  리포트 | 10페이지 | 10,000원 | 등록일 2023.07.30 | 수정일 2023.08.18

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  3-4. AMOLED Transparent OLED report (A0)

  LiF 물질을 증착한 기판을 Metal Chamber로옮겨 Al을 증착한다.Ⅲ.증착이 된 기판에 가운데 3M테이프와 MgO를 붙인다.테이프에 Al Layer가 올라오기 때문이다.Ⅳ. ... 증착 완료된 OLED를 적분구 측정기로 측정을 한다.Top 1번 Bottom 1번 측정Ⅴ. 증착된 소자를 CS-2000 장비로 측정한다.(CS-2000) (지그)5. ... Al과?Ag?Mg?합금,?Ca?등의 금속박막,양극에는?ITO(Indium Tin Oxide) 산화?인듐?주석 등의 투명한 금속 박막을 사용.ETL(-), HTL(+) : 전공?

  리포트 | 8페이지 | 10,000원 | 등록일 2023.07.30 | 수정일 2023.08.18

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  1-3 AMOLED Full Device - Small Molecule report (A+)

  Metal Chamber에서 AL증착이때 AL이 기판에 증착 전에 겉표면 의 1000ANGSTROM을 날려준다 그이유는 Thermal evaporation을 하고 난 뒤 액화하여 이물질이 ... AL에 붙었을 경우를 대비하여 다시 가열을 하여 AL의 표면에 있는 이물질을 날려준다.13. ... CBP 물질을 15nm 증착하는데, Irppy3을 8% 도핑해준다.11.LIF를 1nm 증착한다. (LIF같은 경우 1nm를 쌓기 때문에 더 느리게 증착해야한다.)12.

  리포트 | 9페이지 | 10,000원 | 등록일 2023.07.30

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  [고분자공학실험및설계] OMO 구조에서 상하부 층의 두께 변화에 따른 유연투명전극 연구

  기판을 제외한 증착 두께12MoO _{3} /Al/MoO _{3}증착 두께 (nm)MoO _{3} /Al/MoO _{3}증착 두께 (nm)5/15/30505/15/30505/15/507510 ... 이 때, OMO 구조의 상하부 산화물 층은 1) 금속의 산화방지 2) 입사광의 반사를 최소화시키는 빛 반사방지막 3) Al 박막이 증착될 때 미세구조 형성에 관여하여 면저항 최소화하는 ... 증착 두께를 nm 단위로 쌓다보니 거칠기 차이 또한 미미하게 측정됨=> 상하부 산화물 층 두께를 더 두껍게 하여 증착시간을 늘려주어 실험 진행(증착 시간이 길어질수록 박막이 증착 물질에

  리포트 | 12페이지 | 2,500원 | 등록일 2021.12.21

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  반도체공정 기말정리

  전류누설을 방지하기 위해 TiN 등으로si-al 경계면에 barrier material을 증착하거나 알루미늄에 1-2% Si을 섞어 확산현상을 줄일 수 있다.Electromigration고전류가 ... , Al-pSpiking온도를 450-500도까지 올리면 Al이 Si 속 빈공간으로 들어간다. ... 가해지면 단위면적 당 흐르는 전류의 양이 버겁기 때문에 al원자가 전자를 따라가면서 제자리를 이탈하여 국부적으로 단락이 일어나는 현상이다.

  리포트 | 4페이지 | 3,000원 | 등록일 2022.10.22 | 수정일 2024.04.30

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  PLED소자제작 A+ 레포트 건국대학교 고분자재료과학

  Al을 증착재료로 적용할 경우 Al의 일함수가 상대적으로 다른 금속에 비해 높아서 막의 전기저항을 낮추는 것이 증착속도를 고려한 성막조건의 선정에 주의해야 한다.실험에 사용된 금속 ... 금속재료는 일반적으로 Ba, Ca, Mg, Ag, MgAg-Li, Li/Al, LiF-Al 등이 주로 사용되고 있으며 단일막의 동시 증착이나 다른 종류의 재료를 복층으로 증착하는 방식을 ... 고분자는 스핀코팅에 의한 습식 박막 증착을 하기 때문에 1차 박막 증착 후 2차 박막을 코팅할 때 떨어뜨리는 용액에 의해 1차 박막이 손상을 입는 경우가 많기 때문에 고효율을 위한

  리포트 | 28페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.06.03

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  ALD ppt 발표 자료

  반도체용 ALD 공정 장비의 진공 챔버 내부 유동에 대한 PIV 측정 / 허동현 / 서울과학기술대학교 / 2020 UV-enhanced atomic layer deposition of Al2O3 ... repository.hanyang.ac.kr/bitstream/20.500.11754/105923/1/UVenhanced%20atomic%20layer%20deposition%20of%20Al2O3% ... (substrate) 위에 금속 전구체와 반응 가스를 교차적으로 주입 ↓ Self-limiting surface reaction 에 의해 박막을 LBL 형태로 성장 시키는 진공기상증착

  리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.11.10

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  홍익대 대학원 화학공학과 연구계획서

  원자층 증착의 증착 선택성에 대한 Al 전구체의 효과 연구, 약물의 약동학 및 독성동태 연구를 위한 Multi-organ-on-a-chip 연구, Shiga Toxin-producing ... 연구, 계면 전자 구조: 원자층 증착에 의한 Al2O3/TiO2 계면에서의 2차원 전자 가스 형성의 화학적 메커니즘 연구, 장 미세환경에서 세포외 소포에 의해 매개되는 장-뇌 상호작용 ... 교수님의 OOOOOO OOO 연구실에서 장내 미생물과 장 상피세포의 상호작용 연구를 위한 무펌프 미세유체 시스템의 개발 연구, AS-ALD: Ethanethiol 억제제를 사용한 Al2O3

  자기소개서 | 1페이지 | 3,800원 | 등록일 2023.03.13

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  반도체 금속공정

  /Cu Al 배선 공정 (RIE) Cu 배선 공정 (damascene) Al 증착 - PR coating- photo- develop- Al etch- PR strip- 절연막 (SiO ... (Atomic Layer Deposition) 화학 반응에 의해 원자가 떼어지는 것을 이용 , 한 층씩 쌓는 방식으로 증착Method 장점 단점 PVD 저온 증착 가능 모든 물질 증착 ... 2 ) 증착 PR coating- photo- develop- SiO 2 etch- PR strip- Cu 매립 - CMP- 절연막 (SiO 2 ) 증착StructureStructure

  리포트 | 15페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.02.26

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