"Co-silicidation" 검색결과 1-16 / 16건

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  반도체공정실험 예비보고서(silicidation)

  Discuss silicidation mechanism (Ni-silicide) as a function of temperature1.1. ... 온도에 따른 Ni-silicideNi-silicide는 Annealing temperature에 따라 상과 저항이 변화한다. ... SilicidationSilicidation은 그림 1과 같이 Si의 표면에 금속(Ti, Co, Ni등)을 증착시켜 금속-Si 합금을 만드는 annealing 과정이다.

  리포트 | 3페이지 | 5,000원 | 등록일 2014.09.23 | 수정일 2021.04.11

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  NiSi에의 Co 치환에 대한 ab-initio 계산

  한국재료학회 김영철, 서화일

  논문 | 3페이지 | 3,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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  Co-실리사이드를 이용한 새로운 고내구성 실리콘 전계방출소자의 제작

  한국재료학회 장지근, 김민영, 정진철

  논문 | 4페이지 | 3,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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  반도체 입문교제(Metal)

  다음 sputter 방식으로 Ti이나 Co를 증착한후, RTP(Rapid Thermal Process) 열처리를 실시하면 Ti이나 Co가 Si과 접촉한 부위에서만 Silicide(TiSi2 ... AL의 Grain size는 0.5 ~ 1.0 ㎛ 정도로 형성된다. 2) Surface roughness(표면 거칠기): 형성후, Polysilicon과 Metal silicide( ... 이와 같이 patterning 공정 이 필요없는 silicide 방식을 Salicide라고 한다.[ Salicide 공정 진행 절차 ]METAL 공정♣ 용어 해설 1.

  리포트 | 30페이지 | 2,500원 | 등록일 2010.11.08 | 수정일 2016.05.08

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  반도체공정 (Si)

  MOS device에서 gate 전극으로 사용시 텅스텐(W) 또는 Tantalum(Ta) silicide와 같은 Metal 또는 Metal silicide를 polycrystalline ... 575℃이하에서 deposition된 poly-si은 amorphous 구조이고, 625℃ 이상에서 deposition된 poly-si은 원추형구조를 보인다.- Poly-si의 단결정 ... 단결정 실리콘과 같은 구조를 갖는다.- Poly-si의 plasma내에서의 etching 속도는 dopant 농도에 의존한다.: 높은 p로 도핑된 poly-si은 낮거나 또는 도핑이

  리포트 | 14페이지 | 4,000원 | 등록일 2007.01.27

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  무기화학 기본이론

  carbide 탄소화 N3- nitride 질소화 O2- oxide 산화F- fluoride 플루오린화 Si4- silicide 규소화 P3- phosphide 인화S2- sulfide ... 산소산화학식은 수소+중심원소+산소 순으로 표기한다.예) H2CO3 carbonic acid 탄산 HNO3 nitric acid 질산H2SO4 sulfuric acid 황산 HClO3 ... chloride 염화 수소 HBr hydrogen bromide 브로민화 수소SiC silicon carbide 탄소화 규소 CO carbon monoxide 일산화 탄소CO2 carbon

  리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.04.14

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  무기화합물명명법

  경우만 제외하고는 원소명 +화를 붙인다.예) C4- carbide 탄소화 N3- nitride 질소화O2- oxide 산화 F- fluoride 플루오린화Si4- silicide 규소화 ... ) H2CO3 carbonic acid 탄산CO32- carbonate탄산(이온) ... 산소산화학식은 수소+중심원소+산소 순으로 표기한다.예) H2CO3 carbonic acid 탄산HNO3 nitric acid 질산H2SO4 sulfuric acid 황산HClO3 chloric

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.03.17

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  [공학기술]반도체증착기술

  요소의 생산에 우수한 CVD에 의해 생산된 Tungstensilicon oxide, metal silicides 및 other coatings(1)-2. ... AlCl3, CO2, H2에 의한 가스 장입- water formation reaction 발생{H_2 ``(g) ~+~ CO_2 ~ ~ H_2 O ``(g)~+~CO``(g)- Al2O3의 ... 성분의 Uniformity- 박막 된 기판과의 adhesion 우수- 재현성 우수- 고 순도 유지- 미세 패턴의 형성이 가능할 것(step coverage)(1)-3.

  리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.07.19

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  금속계 세라믹계 신소재

  지난 10년간 Nb/Nb-silicide 복합재료를 구조용 내열재료로 사용하기 위한 다양한 연구가 이루어져 왔다. ... 그런데 원자지름이 큰 원자 사이에 작은 원자가 들어가 저항성 향상, Co는 포화자속증가, C는 히스테리시스루프를 사각 형태로 하는 영향을 주며 P는 합금을 열분해 시키는 경향이 있다 ... 또한 초탄성 합금을 항복구역까지 변형한 후 하중을 제거하면 원상태로 되돌아간다.최근에는 Sputter를 이용하여 Ti-Ni 및 Ti-Ni-Cu 합금 등의 형상기억합금 박막(Shape

  리포트 | 11페이지 | 2,500원 | 등록일 2009.05.13

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  [반도체공학] ION IMPLANTATION & RAPID THERMAL PROCESS

  - Tungsten silicide anneal. - cobalt silicidation.27/324.5 RTP SYSTEM 4.5.1 Chamber Components - Lamp ... AXCELIS GSD Projected Beam Vector Co-ordinates3. ... Wafer Co-ordinate system and the projection of the Beam Vector to the Wafer SurfaceFigure2.

  리포트 | 33페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.02.21

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  [합금] 티타늄합금

  형성하는데 silicide 석출은 균열발생을 촉진시켜 구조물을 파손 시킨다. ... 고온 크립강도 향상에 매우 효과적인데, 이는 Si이 티타늄 합금의 적층결함 에너지를 감소시켜 교차 슬립을 제한함으로써 전위의 움직임을 현저히 저하시키기 때문이다.Si은 합금 내에서 silicide를 ... *Poisson's ratio - 재료에 생긴 가로변형[橫變形]과 세로변형[縱變形]과의 비.티타늄은 타 소재의 추종을 불허할 정도로 내식성이 우수한데, 이는 티타늄 표면에 형성되는

  리포트 | 21페이지 | 무료 | 등록일 2003.10.13

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  [재료공학실험] CVD와 PVD

  요소의 생산에 우수한 CVD에 의해 생산된 Tungstensilicon oxide, metal silicides 및 other coatings1.1.2. ... 성분의 Uniformity- 박막된 기판과의 adhesion 우수- 재현성 우수- 고순도 유지- 미세 패턴의 형성이 가능할 것(step coverage)1.1.3. ... 반응물과 생성물들은 이 계면층(zone1)을 따라서 전달이 되고, 증착속도는 이 과정의 속도에 따라서 제한된다.5) 증기상에서 주로 비균질 반응이 발생하고 코팅층이 생성, 진행~+~CO

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.11.17

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  PVD, CVD 그리고 Nucleation

  요소의 생산에 우수한 CVD에 의해 생산된 Tungstensilicon oxide, metal silicides 및 other coatings1.1.2. ... AlCl3, CO2, H2에 의한 가스 장입- water formation reaction 발생- Al2O3의 생성7) zone2는 비균질반응 영역으로 미세구조의 변화, 증착된 물질의 ... 성분의 Uniformity- 박막된 기판과의 adhesion 우수- 재현성 우수- 고순도 유지- 미세 패턴의 형성이 가능할 것(step coverage)1.1.3.

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.05.23

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  반도체 공정

  ·순수한 모래를 실리콘으로 정제할 때의 화학반응SiC(solid) ~+~ SiO_2 (solid) ~-> ~Si(solid) ~+~SiO(gas) ~+~ Co(gas)1) 위 과정에서 ... 이런 현상을 막 기 위해 Si과 Al 사이에 완충물질로 silicide위에 W, TiN, TiWN 등을 사용한다.6.1 금속박막을 입히는 방법(1) Sputteringplasma 상태의 ... ) ~+~ O_2 (gas) ~->~SiO_2 (solid)(2) wet oxidationSi(solid) ~+~ 2H_2O (gas) ~->~SiO_2 (solid) ~+~2H_2native

  리포트 | 12페이지 | 1,500원 | 등록일 2002.09.06

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  무기공업화학 3

  nitride- Metal silicides- Silicon dioxide, hydated silicas- Silicates- Silicon halides- Silicic acid ... , enamel and ceramic industries: Medicine: Intermediate in the manufacture of other Li salts- Li2CO3 ... ) 크롬산으로 전환1000-1100℃4FeCr2O4 + 8Na2CO3 + 7O2 → 8Na2CrO4 + 2Fe2O3 + 8CO2.Roasting of chromite- Alkalne

  리포트 | 20페이지 | 1,000원 | 등록일 2000.09.15

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  Co2Si 증착실험

  그리고 이때 주요한 확산종은 Si이다.metal rich silicide나 near noble metals에 있어서는, 결합을 깨뜨리는 것이 단지 phonon에너지에만 의존하지는 않는다 ... Co2Si증착실험1.실험목적Sputtering과 Vaccum Furnace로 인해 CoSi2가 형성되는지를 알아보고 형성된다면 그 두께는 어느 정도이고 저항은 어떻게 되는지 알아본다 ... (실험전 simulation 가능)- 타 분석장치처럼 초고진공을 요구하지 않기 때문에(10-6 torr) 시료의 교체 및 조작이 간편하다.2) 단점- 다중원소로 이루어진 시료의 경우

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2000.09.21

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