"Cu interconnect" 검색결과 1-20 / 43건

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  반도체 금속공정

  Plug : 단위 소자 전극에 연결되는 배선 Al-plug, W-plug Interconnect : 소자끼리 연결된 logic unit interconnect 층 많이 쌓일 수록 ... www.facebook.com/ASMLKR Applied Materials http ://www.appliedmaterials.com/ko/semiconductor/products/interconnect ... Al Cu 특성 저항 낮음 실리콘과 결합하려는 특성 - 따로 barrier metal( Ti / TiN 등 ) 넣어줘야 비저항 낮음 - 같은 저항값의 금속보다 미세한 패턴 제작 가능

  리포트 | 15페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.02.26

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  반도체 공정_캡스톤 디자인 1차 개인보고서

  되는 문제점 발생하고 있기 때문에 차세대 배선 재료를 찾는 것이 필요하다.(3) 금속 배선 공정에 대하여배선공정은 metalization, Interconnect, Backend ... 전류가 흐르는 interconnect 와 그 사이를 절연 시켜 주는 dielectrics 로 구성되어 있으며, 집적도 및 성능 향상을 위해 구조, 공정, 소재가 지속적으로 변화 하고 ... SiO{} _{2}/Si 기판위의 Cu(4.5at.

  리포트 | 6페이지 | 10,000원 | 등록일 2022.11.13 | 수정일 2023.01.08

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  [시험자료] 반도체 공정 및 응용 기말고사 정리 (족보)

  Cu interconnection 소재의 장점과 단점을 쓰세요.? 장점: 낮은 저항, 적은 Electromigration(전기이동)? ... Al에 Cu와 같은 무거운 금속 작은 비율 추가 (95% Al, 4% Cu, and 1% Si)35. ... Interconnection 소재의 가장 중요한 물성 하나를 쓰세요.? 낮은 Sheet 저항30. 낮은 저항의 interconnection 소재를 사용해야 하는 목적을 쓰세요.?

  시험자료 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2019.12.02 | 수정일 2024.05.14

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  영문 자기소개서

  semiconductor device and processing, especially, related to the Electromigration Phenomena in Thin Film Interconnection ... three researched papers, which was concerned with magnetoresistance and magnetic properties in NiFeCo/Cu ... The thesis of my master's degree is "On a study on the New Spin Valve Type NiFeCo/Cu/NiFeCo/FeMn Magnetic

  자기소개서 | 3페이지 | 3,000원 | 등록일 2020.06.19 | 수정일 2022.01.19

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  [반도체공정] 3차 레포트 - Future Memory Technologies

  사용기술은 180nm 프로세스 기술에 3층 Al 배선과 2층 Cu 배선을 사용하고 있고, 읽기/쓰기 횟수는 1016 이상을 확보하고 있다. ... 결과적으로, memory architecture 와 interconnect architecture는 성능과 전력 향상 측면에서 뒤쳐졌었다.다음 기술들은 메모리 체계와 상호연결 된 CPU

  리포트 | 15페이지 | 1,000원 | 등록일 2019.11.22

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  [PPT] 반도체 제작공정

  ) 10 전류가 흐르는 전선을 배선함 Al, W, Cu 등의 금속이 사용됨 앞의 과정들을 여러 번 반복하여 겹겹이 층을 쌓는다7 단계 : 패키징 (Packaging) 11 단자 간 ... (Photo) : Exposure, Develop, Etching 증착 (Deposition), 이온주입 (Ion Implantation) 반도체 제작공정 금속 배선 (Metal Interconnect ... 절연막 : 내부의 연결층을 전기적으로 분리 , 오염원을 차단 분자 , 원자 단위의 물질들을 박막의 두께로 입힘 웨이퍼에 전기적인 특성 을 부여6 단계 : 금속 배선 (Metal Interconnect

  리포트 | 14페이지 | 2,000원 | 등록일 2017.06.20

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  나노재료-Production of Nano powder and Porous glass Using Phase separation

  =38DSC (as-spun ribbons)ExoHeat flow(w/g)Interconnected structure새로운 System 설정 (Ti-Y의 Phase diagram)Ti-Y의 ... structureInterconnected structureTi55 Al25Co20T(k)Gd55 Al25Co20Ti→40nmGd6Ti49Al25Co2010μmGd18Ti37Al25Co20 Interconnected ... SystemT(k)Ti55 Al25Cu20Gd55 Al25Cu20Ti→200 nmGd25Ti30Al25Cu20 Droplet structureGd17Ti38Al25Cu20X=30X

  리포트 | 15페이지 | 1,500원 | 등록일 2015.07.11 | 수정일 2018.11.01

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  나노재료-Nano powder and Porous glass Using Phase separation

  nmGd25Ti30Al25Cu20 Gd17Ti38Al25Cu20Gd18Ti37Al25Co20 Interconnected structure목표 및 설계과정Porous glass nano ... ReviewmiscibilitySpinodal locusGd55 Al25Co20Ti55 Al25Co20Ti→T(k)Gd55 Al25Cu20Ti→miscibilitySpinodal locus200 ... ribbon (emulsion 50h)Gd17Ti38Al25Cu20 ribbon (emulsion 120h)Gd18Ti37Al25Co20 ribbon (for 30min 1.9V)

  리포트 | 14페이지 | 1,000원 | 등록일 2015.07.11

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  Cu 미세 배선을 위한 무전해 Ni-B 확산 방지막의 Cu 확산에 따른 상변태 거동

  한국재료학회 최재웅, 황길호, 송준혜, 강성군

  논문 | 6페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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  반도체 제조공정 및 동향 [ex)웨이퍼,식각,금속배선,EDS,]

  앞서 말한 금속 배선 공정(Metal interconnect) 역시 반도체의 크기가 점차 작아짐에 따라 좁은 영역에도 금속을 잘 채우기 위해, 진공증착 (evaporator)에서 화학적 ... 또한, 최근에는 이전의 도전재료(Al, W)보다 가격은 저렴하고 전도성은 더욱 우수한 구리(Cu)가 첨단 메모리, CPU 및 Logic 제품에 상용화되고 있다.(5) EDS (Elcetrical

  리포트 | 20페이지 | 3,000원 | 등록일 2016.11.15 | 수정일 2021.05.20

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  반도체 공정 파이널 레포트

  Cu를 이용하는 Damascene 공정에 있어서z) dual damascene(이중상감) 공정의 순서를 그리고 설명하라.a) Cu의 interconnection에 damascene ... Cu는 확산 속도가 빨라 실리콘 기판과 소자를 오염시킬 수 있기 떄문에 확산 방지층은 Cu가 다른 부분으로 확산되는것을 막아준다.31. ... Cu는 etching이 어렵기 때문에 Cu의 식각이 필요하지 않은 damascene기법을 이용한다.b) ECD(Electrochemical deposition)를 위한 seed layer

  리포트 | 41페이지 | 3,000원 | 등록일 2012.11.11

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  passive components에 대한 전반적인 소개

  Interconnection Component} ... gone3.Physical representation of Passive components 1)Discrete passives Aluminum electmetals Now Ni and Cu

  리포트 | 35페이지 | 1,500원 | 등록일 2013.08.01

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  반도체 공정의 이해

  of focus ) margin 악화로 PR CD variation 증가 Etching : etch target variation 증가로 인한 over-etch 증가 Metal interconnection ... , 기화된 material 은 단방향성을 가지고 있 화학적 물리적 연마평탄화공정 ) CMP 가 적용되는 공정은 Oxide( PSG/BPSG/P-TEOS), Metal( Al,W,Cu ... ), STI( 좁은 지역의 소자 isolation) , Poly-Si( gate poly ), specially Cu 배선형성공정에도 쓰임 .( damascene ) 화학적연마 수백

  리포트 | 29페이지 | 3,500원 | 등록일 2011.11.18

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  WLCSP 소개자료-1

  This process is basically an extension of the wafer Fab processes, where the device interconnects and ... time, Temp, Time-Flux Quantity, Visual Defect Flux life time, Ball Composition - Reflow TimeCu, NiTiw, Cu-Visual

  리포트 | 11페이지 | 2,000원 | 등록일 2012.01.18

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  전자패키징기술의 최신동향

  direct chip attach(DCA) 기술이 매우 중요함Flip Chip 기술 저가형 Flip Chip 기술 개발 저가형 flip chip bump 형성기술과 이를 이용한 interconnection ... bump Au stud bumpFlip Chip 기술 Screen printed solder bump 공정과정 In – situ sputter clean Sputter Al/Ni/Cu ... 되면 Sn 내에 고용되지 못한 Bi 상이 미세하지만 불균일 하게 정출되어 solder 의 기계적 성질과 연성을 떨어뜨리는 요인무연 solder 기술 무연 solder 개발 Sn/Cu

  리포트 | 36페이지 | 3,000원 | 등록일 2010.11.12

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  LTCC

  LTCC란 (Low Temperature Co-fired Ceramic, 저온 동시 소성 세라믹) 전기 전도도가 우수한 은(Ag), 구리(Cu) 등의 전극 회로를 이용하여 다수의 수동 ... 소자 (L, R, C)와 배선 회로(Interconnection Circuit)를 그린 쉬트(Green-Sheet)라 부르는 소성되지 않은 유전체 세라믹 상에 구현하고, 이를 3차원적으로

  리포트 | 5페이지 | 2,000원 | 등록일 2012.11.11

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  2009 IEDM 주요 반도체업체 차세대 반도체 기술전망(IEEE International Electron Devices Meeting)

  최근엔 CMP Cu를 이용하여 각 metal layer를 형성시킴. ... Yield & reliability : GPU는 타 칩에 비해 수많은 연결 경로가 필요하므로 multiple metal layer에 수많은 interconnect를 구현하여야 함, ... 쓰이고 있으나 Barrier volume과 두께를 최소하하는 문제가 있음 -> barrier volume을 최소화하기 위해 CVD 대신 플라즈마처리와 함께 ALD 공정을 사용- Cu

  리포트 | 23페이지 | 3,500원 | 등록일 2010.05.07

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  Multi Chip Module - D - 대본

  : 0단계는 chip 내부의 interconnection 단계: 1단계는 반도체 chip을 모듈로 패키징하는 단계: 2단계는 모듈을 PCB 등의 카드(card)에 접합하는 단계: 3단계는 ... 솔더가 장착된 bare chip은 reflow 솔더링 공정으로 기판에 접합시킨다.Solder bump를 증착시키려면 bare chip 표면의 Al pad 위에 Cr, Au, Ti, Cu

  리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.04.03 | 수정일 2017.02.17

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  3D packaging 졸업 논문

  Lau : The Mechanics of solder Alloy Interconnects Van Nostrand Reinhold New York p.60 http://www.tradekorea.com ... Phase transformation Transformed into Cu / Cu3Sn / Cu6Sn5 / SnData ResultsSnCuIMCCuCu6Sn5Cu3SnSnCuCu3SnCu6Sn5CuCu3Sn200 ... ℃250 ℃300℃350℃Resistivity μΩ-cmCu1.7Cu3Sn8.93Cu6Sn517.5Sn11.5Summary◦ Cu pillar bump was formed by electroplating

  논문 | 17페이지 | 3,000원 | 등록일 2013.06.10

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  전자 재료에 대한 조사

  Inner Lead Bond에서 접합부를 형성하기 위하여 Al 패드에 Au를 증착시키거나, Cu wire에 Au를 도금한다.Flip chip bonding은 이 방법은 웨이퍼 칩에 ... Wire bonding이라 하고 보통 전도도가 높은 금(Au)으로 된 Wire를 사용하며, 그 굵기는 보통 20~50um 사이가 된다.Tab bonding은 ine pitch인 IO interconnection에

  리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.05.06

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