"Cu-15 at.%Ga" 검색결과 1-16 / 16건

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  스퍼터링 타겟용 저온 분사 Cu-15 at.%Ga 코팅 소재의 특성에 미치는 열처리 분위기의 영향 (Effect of Heat Treatment Environment on the Properties of Cold Sprayed Cu-15 at.%Ga Coating Material for Sputtering Target)

  한국분말야금학회 최병철, 박동용, 김형준, 오익현, 이기안

  논문 | 10페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.01 | 수정일 2023.04.05

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  유도결합 플라즈마 (Inductively coupled Plasma )

  Rn Fr Ra H He Li Be B C N O F Ne Na Mg Al Si P S Cl Ar K Ca Sc Ti V Cr Mn Fe Co Ni Cu Zn Ga Ge As Se ... H He Li Be B C N O F Ne Na Mg Al Si P S Cl Ar K Ca Sc Ti V Cr Mn Fe Co Ni Cu Zn Ga Ge As Se Br Kr Rb ... Fr Ra Cl Ar K Ca Sc Ti V Cr Mn Fe Co Ni Cu Zn Ga Ge As Se Br Kr Rb Sr Y Zr Nb Mo Tc Ru Rh Pd Ag Cd In

  리포트 | 25페이지 | 2,000원 | 등록일 2014.12.29

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  SEM과 FIB의 원리

  10 -5 Field Emission Schottky Cold 10 7 10 8 1 ~ 2 년 ~ 10 년 15~30 nm 5 nm 0.3 ~ 1 0.3 10 -7 10 -8SEM ... 1 pA ~ 20 nA F ocused 6 nm spot size at 1 pA I on 500 V ~ 30 kV Ga + B eam 1pA to 20 nAFIB(Focused Ion ... -23 kg m/s Momentum at 1 kV 6.2 X 10 -21 kg m/s 1.6 X 10 -23 kg m/s Penetration depth In polymer at

  리포트 | 48페이지 | 2,500원 | 등록일 2013.06.04

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  다양한 신소재합금

  Read에 의해서 Au - 47.5 at. ... 즉 이 합금은 일단 어떤 형상을 기억하면 여러 가지 형상으로 변형시켜도 적당한 온도로 가열하면 변형전의 형상으로 되돌아오는 성질이 있다.이러한 형상기억합금에는 Ti-Ni계, Cu계, ... 화합물인 Nb3Sn 및 V3Ga 테이프상 선재를 제조하는 방법이다.

  리포트 | 8페이지 | 2,000원 | 등록일 2017.06.14

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  Shape Memory Alloy(기억 형상 합금)

  46.5/50 at.% Cd Cu-Al-Ni 14/14.5 wt.% Al and 3/4.5 wt.% Ni Cu-Sn approx. 15 at.% Sn Cu-Zn 38.5/41.5 ... wt.% Zn Cu-Zn-X (X = Si, Al, Sn) Fe-Pt approx. 25 at.% Pt Mn-Cu 5/35 at.% Cu Fe-Mn-Si Pt alloys Co-Ni-Al ... Co-Ni-Ga Ni-Fe-Ga Ti-Pd in various concentrations Ni-Ti (~55% Ni)SMA(Ni-Ti) 원자구조원자 구조 중량 비 Ti 45%, Ni

  리포트 | 17페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.06.17 | 수정일 2015.12.02

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  원소주기율표

  '--8'--1B2B1.84(-2)19K20Ca21Sc22Ti2324Cr25Mn26Fe27Co28Ni29Cu30Zn31Ga32Ge33As34Se35Br36Kr39.1022.7740.082.2344.9562.0947.9250.9421.9251.9961.8554.9381.7955.8471.7258.9331.6758.711.6263.541.5765.371.5369.721.8172.591.5274.9221.3378.961.2279.9091.1283.81.03potassium1.33 ... )fluorine1.36(-1)neon11Na12Mg 13Al14Si15P16S17Cl18Ar22.98982.2324.3121.72 26.98151.8228.0861.4630.97381.2332.0641.0935.4530.9739.9480.88sodium0.97 ... )xenon0.76(+3)55Cs56Ba57*La72Hf7374W75Re76Os77Ir78Pt79Au80Hg81Ti82Pb83Bi84Po85At86Rn132.9053.34137.342.78138.912.74178.492.16180.9482.09183.852.02186.21.97190.21.92192.21.87195.091.83196.9671.79200.591.76204.372.08207.191.81208.981.63

  서식 | 1페이지 | 2,500원 | 등록일 2015.11.19

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  주기율표

  Sc22 Ti23 V24 Cr25 Mn26 Fe27 Co28 Ni29 Cu30 Zn31 Ga32 Ge33 As34 Se35 Br37 Rb36 Kr38 Sr39 Y40 Zr41 Nb42 ... 전자친화도154Ca20-48K1935Ar18-348Cl17-200S16-74P15-120Si14-44Al13230Mg12-53Na1129Ne10-333F9-142O80N7-123C6 ... 주기율표01674025 김준형주기율표1 H2 He3 Li4 Be5 B6 C8 O7 N9 F10 Ne11 Na12 Mg14 Si13 Al15 P16 S17 Cl18 Ar19 K20 Ca21

  리포트 | 17페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.11.20

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  [공학]Aerosol Methods

  : 1 ~ 15 nm Mg, Zn, Sn, Cr, Fe, Co, Ni, Cu, Ga … - O2의 사용 : (ex) Al2O3-layer coating2-2. ... lndium nanocrystals : 13 ~ 65 nm - Cu, Ag, Ti … - overall particles from 1 ~ 100 nm4. ... with a W-filament - Preheating of He-gas : ~1400°C - He-gas : ultra-high-purity flow at 1 ~ 10 l/m -

  리포트 | 18페이지 | 2,000원 | 등록일 2007.06.25

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  일반 화학 사이플러스 연습 문제 답 (솔루션)

  염산 - hydrochloric acid (HCl)브롬산 - hydrobrom액에서 Cu를 치환할 수 없다.29. ... (a) 반응 X , Mg가 Cu 보다 활성이 높다.(b) 반응 O , Ni이 Cu 보다 활성이 높다.(c) 반응 X , H가 Cu 보다 활성이 높다. ... mon (Rn)(c) IIIA족 원소 : boron (B), aluminum (Al), gallium (Ga), indium (In) and thallium (Tl)7.

  리포트 | 144페이지 | 5,000원 | 등록일 2009.06.15

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  원소주기율표

  ------ 8 ------1B2B26.981539aluminum3s23p128.0855silicon3s23p230.973762phosphorus3s23p332.066sulfur3s23p435.4527chlorine3s23p539.948argon3s23p6190.94.341K201.06.113Ca211.26.54Sc221.36.82Ti231.56.74V241.66.766Cr251.67.435Mn261.67.840Fe271.77.864Co281.87.635Ni291.87.726Cu301.79.394Zn311.85.999Ga322.07.899Ge332.29.81As342.59.752Se352.711.81Br36 ... 1.7819203277K20174223Ca21144209Sc22132200Ti23122192V24118185Cr25117179Mn26117172Fe27116167Co28115162Ni29117157Cu30125153Zn31126181Ga32122152Ge33120133As34116122Se35114112Br36112103Krpotassium3711156 ... 8.55moRe76126192Os77127187Ir78130183Pt79134179Au80149176Hg81148181Tl82147181Pb83146163Bi84146153Po85(145)143At86

  리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.02.15

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  [신소재]형상 기억 합금의 개요 및 발달사

  In-TiNi-AlNi-Ti44~49 at % Cd46.5~50 at % Cd14~14.5 at % Al,3~4.5 at % Ni23~28 at % Au,45~47 at % Zn~15 ... 〈표1〉 각종 형상기억합금의 조성과 Ms(변태온도)점{합 금조 성Ms 점Ag-CdAu-CdCu-Al-NiCu-Au-ZnCu-SnCu-ZnCu-Zn-X(X=Si, Sn, Al, Ga) ... , Cu-Zn-Al합금 그리고 Cu-Al-Ni합금 등이 있다.

  리포트 | 12페이지 | 2,000원 | 등록일 2005.06.06

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  [원소 주기율표]원소 주기율표

  462 1875 676.1 498 1900 314.507 521 1668 222.99 567 1541 15.81.54 626 838 1300.86 743 63.6 108Kr36Br35Se34As33Ge32Ga31Zn30Cu29Ni28Co27Fe26Mn25Cr24V23Ti22Sc21Ca20K19 ... 143 2996 5513.09 147 2222 93.76.17 202 920 143.5 204 725 -1.90 202 28.5 -Rn86At85Po84Bi83Pb82Ti81Hg80Au79Pt78Ir77Os76Re75W74Ta73Hf72La57Ba56Cs555.896 ... 903 660 2201.74 1029 651 1540.97 239 97.9 134Ar18Cl17S16P15Si14Al13Mg12Na110.90 0.246 -248.67 4.65(기체

  리포트 | 1페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.06.01

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  ZnO 나노와이어 제작 및 바이오센서 활용

  나노FET 소자 개발나노와이어 FET 소자 제작나노선 제작ZnO 나노선 제작1~10 Torrworking vacuum300~ 650 ℃temperature10~ 50 mintime-15 ... : 30 sccm Time : 20 min유량의 증가 박막 형성실험 및 결과나노선 제작 조건시간 제어 20 ~ 50 min챔버내 압력 제어 1 ~ 10 Torr항온조 온도 제어 -15 ...  wire 성장  nanowires가 water cooled Cu collector에 도달  성장이 종결되어 solid nanowires 제작나노선 제작 방법Chemical

  리포트 | 23페이지 | 2,500원 | 등록일 2008.04.14

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  주기율표(비커스경도, 밀도, 녹는점. 전기저항. 영률, 열전도도, 전기전도도, 열팽창계수 포함)

  Ca 21 Sc 22 Ti 23 V 24 Cr 25 Mn 26 Fe 27 Co 28 Ni 29 Cu 30 Zn 31 Ga 32 Ge 33 As 34 Se 35 Br 36 Kr 40.382 ... Pt 79 Au 80 Hg 81 Tl 82 Pb 83 Bi 84 Po 85 At 86 Rn 60.140 1.7 - 13 491 36.6 1760 78 873 186 3430 411 ... 1 181 1 H 2 He 1- - - -0.089 0.180 0.1786 0.152-259.14 - -272.2 -- - 2 13 14 15 16 17 - -2 3 Li 4 Be

  리포트 | 1페이지 | 3,000원 | 등록일 2008.08.22

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  [주기율표] 주기율표

  PERIODIC TABLE OF THE ELEMENTS{1H2 13 14 15 16 172He3Li4Be5B6C7N8O9F10Ne11Na12Mg3 4 5 6 7 8 9 10 11 1213Al14Si15P16S17Cl18Ar19K20Ca21Sc22Ti23V24Cr25Mn26Fe27Co28Ni29Cu30Zn31Ga32Ge33As34Se35Br36Kr37Rb38Sr39Y40Zr41Nb42Mo43Tc44Ru45Rh46Pd47Ag48Cd49In50Sn51Sb52Te53I54Xe55Cs56Ba57La72Hf73Ta74W75Re76Os77Ir78Pt79Au80Hg81Tl82Pb83Bi84Po85At86Rn87Fr88Ra89Ac104Rf105Db106Sg107Bh108Hs109Mt란탄계열58Ce59Pr60Nd61Pm62Sm63Eu64Gd65Tb66Dy67Ho68Er69Tm70Yb71Lu악티늄계열90Th91Pa92U93Np94Pu95Am96Cm97Bk98Cf99Es100Fm101Md102No103Lr ... ---------+1 18Period1234567Designed by Jung-Sub Oh ... {Li 고체Cs 액체Ar 기체No 합성원소알카리금속알카리토금속전이금속다른금속희토금속비활성기체할로겐{{{{{{{Main groups +-------- Main groups {-----

  리포트 | 1페이지 | 1,000원 | 등록일 2002.06.05

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  반도체 제조 공정

  소자를 만들기 위해 B, Ga, In과 같은 acceptor 전도대와 n-type의 소자를 만들기 위해서는 Sb, As, P, Bi와 같은 dopant 손상된 Damage 회복과 ... oxygen 과 hydrogen(at ± 1000°C )에 노출된 wafer는 thin silicon dioxide film 형성. ... 과 스퍼터링(Sputtering) 금속층의 성장시 유전층과 점착성이 좋아야 함.COPPER DEPOSITIONCu는 Al보다 40%나 전기 전도도가 높아서 Process의 속도를 15%

  리포트 | 36페이지 | 1,000원 | 등록일 2001.09.23

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