"DC GAN" 검색결과 1-20 / 47건

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  DC GAN colab기반 구현

  가중치를 업데이트하는 것입니다.페이지 길이 상 dc_gan 훈련 과정은 다음 페이지에 기입하겠습니다.4 .dc gan 훈련Dc gan 훈련 방법매 반복마다 다음을 수행합니다.1.잠재 ... 생성자와 판별자를 연결(적대적 네트워크)마지막으로 생성자와 판별자를 연결하여 GAN을 설정합니다. 훈련할 때 생성자가 판별자를 속이는 능력이 커지도록 학습합니다. ... 판별자가 생성된 이미지를 모두 “진짜 이미지"라고 예측하도록 생성자의 가중치를 업데이트합니다(`gan` 안에서 판별자는 동결되기 때문에 생성자만 업데이트합니다).

  리포트 | 8페이지 | 2,500원 | 등록일 2021.03.24

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  Piezoelectric효과와 열 효과 모델링을 고려한 AlGaN/GaN HFET의 DC 특성

  한국재료학회 박승욱, 황웅준, 신무환

  논문 | 6페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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  조선대 기초전기전자 과제 컨버터(converter) 레포트

  요즘은 높은 스위칭 주파수, 즉 200KHz ~ 수MHz에서 사용가능한 GaN 재질의 HEMT(High Electon Mobility Transistor)부품을 사용하면 제품 크기가 ... 아주 작아진다.SMPS 제품사진DC-DC 컨버터-정의DC-DC 컨버트는 DC(직류 전압)를 DC(직류 전압)로 변환하는 기기를 말한다.변환방식에 따라 리니어 레귤레이터나 스위칭 레귤레이터로 ... AC-DC 컨버터-정의AC(교류 전압, 110V, 220V, 일반적으로 단상)를 DC(직류 전압, 5V, 12V 등)로 변환하는 기기를 AC-DC 컨버터라고 한다.

  시험자료 | 4페이지 | 2,000원 | 등록일 2021.08.02 | 수정일 2021.09.23

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  서강대 전자공학과 대학원 연구계획서

  GaAs pHEMT 기술을 사용하는 완전히 통합된 V-band PLL MMIC 개발, 고효율 엔벨로프 추적 W-CDMA 기지국 증폭기 GaN HFET 사용” IEEE Trans. ... 본인이 관심을 갖고 있는 전공분야 또는 전공과 관련하여 본 대학원에서 연구하고자 하는 학업계획을 체계적으로 요약하여 작성하십시오.저는 OOO 교수님의 OOOOOO 연구실에서 부스트 DC-DC ... 컨버터의 과도 향상 방식의 순서 제어, 시간 모드 밀러 보상을 사용하여 높은 신뢰성을 갖는 고면적 효율 DC-DC 컨버터 (TMMC) 개발, 실시간 자체 조정 MPLT(Minimum

  자기소개서 | 1페이지 | 3,800원 | 등록일 2022.09.16

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  2023 삼성전자 DS 공정설계 최종 합격 자기소개서

  초기 단계에서 전기적 타겟을 정한 뒤, 디자인 파라미터들을 조절하며 목표한 DC 특성을 이끌어냈습니다. ... 결과적으로 소자 시뮬레이션 결과와 10% 이내 차이의 DC 특성, 항복 전압을 가지는 공정을 설계하였습니다." ... 그에 비해 GaN의 경우 아직 상용화된 완성차에 적용된 경우는 존재하지 않습니다.

  자기소개서 | 6페이지 | 4,000원 | 등록일 2023.07.23

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  반도체 예비보고서

  다이오드는 전류를 한쪽으로만 흘리므로 교류(alternating current, AC)를 직류(direct current, DC)로 변환하는데 쓴다. ... 그 중에서, 갈륨계 발광다이오드는 GaN의 벌크 단결정체를 형성할 수 없기 때문에, GaN 결정의 성장에 적합한 기판을 사용하여야 하며, 대표적으로 사파이어가 사용되고 있다.옴의 법칙13전기 ... 예를 들어, 적색 발광다이오드의 경우 AlGaInP 물질을 사용하고, 청색 발광다이오드의 경우 실리콘 카바이드(SiC)와 Ⅲ족 질화물계 반도체, 특히, 갈륨 나이트라이드(GaN)를

  리포트 | 20페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.06.19

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  22년 상반기 DB하이텍 소자신뢰성검증 직무 서류합격 자기소개서, 1차면접 복기본, 최종면접 복기본

  GaN HEMT에 대해 아는 것이 있으면 얘기해봐라 (공통 질문)3. GaN 소자의 신뢰성 파라미터들에 대해 아는 것이 있으면 얘기해봐라 (공통 질문)4. ... LG이노텍 전장부품사업부에서 온습도챔버와 계측장비로 제품의 신뢰성 검증, ICT장비로 DC테스트를 통한 제품의 불량 판단 등의 업무들을 수행하며 이슈 해결과 신뢰성 검증 역량을 강화했습니다.차량통신개발팀에서

  자기소개서 | 5페이지 | 4,000원 | 등록일 2022.08.04

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  22년 상반기 LG에너지솔루션 검사기술 직무 서류 합격 자소서 + 1차 면접 복기 자료

  또한 LG이노텍 전장부품사업부에서 인턴으로 근무하며 온습도챔버와 계측장비로 제품의 신뢰성 검증, EOL/ICT장비로 DC테스트를 통한 제품의 불량판단, BOM 관리 등의 업무들로 실무 ... 위에 금속 전극을 증착하기 전, GaN 표면 상태를 확인하고자 XPS분석을 했습니다. ... 따라서 HCl로 자연산화막을 제거한 뒤 XPS분석을 한 결과, 산소 성분이 제거된 깨끗한 GaN 표면을 얻었습니다.

  자기소개서 | 5페이지 | 4,000원 | 등록일 2022.08.06

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  23하반기 삼성전자 공정기술 직무/임원/PT 면접 예상질문 + 실제 면접 (최종합격) 56p 분량

  Issue4nm 수율 안정화 -> AMD 칩5c 등 수주 확보SFF)2024년 하반기 테일러 1라인 가동2025년 2나노 공정(SF2) 양산 -> 모바일 중심(AP 등), 8인치 GaN ... 실제 전극에 충돌하는 DC와 달리, 전극 충돌 전 +에서 -로 바뀌어 반대로 가고 또 바뀌고 왔다 갔다 하므로 DC보다 plasma 효율이 좋음.Sheath는 왜 생겨? ... Al은 PVD, Cu는 다마신DC, RF Plasma 설명해DC Discharge : 두 개의 양극, 음극 전극 사이에 plasma가 형성되는 것으로, 전자가 양극으로 끌려가며 중성기체와

  자기소개서 | 21페이지 | 7,000원 | 등록일 2024.06.09

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  포항공과대학교 일반대학원 반도체공학과 연구계획서

  MIS-HEMT의 VT 이동에 대한 DC 및 AC 스트레스의 영향 연구, 그래핀의 도핑 수준을 변조하여 그래핀/Ge 근적외선 광검출기의 성능 향상 연구, 인터포저 또는 인쇄 회로 ... 상변화 메모리의 읽기 마진을 향상시키기 위한 코드 반전 부호화 기법 연구, 신흥 인터커넥트의 초기 특성화에서 2와이어 디임베딩 방법에 대한 라인 불일치의 영향 연구, AlGaN/GaN

  자기소개서 | 2페이지 | 3,800원 | 등록일 2023.04.07

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  2019 상반기 LG 디스플레이 R&D 자기소개서

  실험에서 사용한 장비는 DC/RF Sputter입니다. 이 장비에서 에너지를 공급하는 방법은 크게 두 가지로 RF Power와 기판 온도입니다. ... 디스플레이 소재(2018) / B열전달(2018) / B+MEMS 실험(2018) / A+[외부교육 수강 이력]-나노 FAB 집중 교육 이수-CK-1 소속 학부생으로서, P-type GaN

  자기소개서 | 3페이지 | 3,000원 | 등록일 2020.05.18

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  지식재산개론_지식재산권의 분쟁사례와 시사점(1)

  구체적으로 보면 LED성장기술 부문에서는 발광다이오드 격자층을 이용하는 생성방법, 발광다이오드 물질 및 구성에 관한 기술, GaAs에 관한 발광다이오드 기술, GaN 단결정의 성장온도에 ... 이러한 특허 관련 정보를 홈페이지에 특허 리스트를 업로드 해놓고 기술정보와 보유 중인 특허권 리스트를 누구나 확인할 수 있도록 해 놓았다.대표적인 기술로 Acrich MJT는 AC와 DC에서

  리포트 | 8페이지 | 2,000원 | 등록일 2024.02.12

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  [지방대/최종합격] 현대자동차 전동화설계 자기소개서 및 면접기출 및 면접대비자료

  How much is the conduction loss (DC loss) of the MOSFET?(Hint. ... 전기차 가격에 대한 부담을 낮추고 차체 설계도 더욱 자유롭게 할 수 있는 장점이 있습니다.전동화 수준이 높을수록 부품수가 증가하고있으며,통합형 모듈과 광대역 반도체 소재 (SiC/GaN ... DCR을 낮추는 방법으로는 코일을 굵은 것을 쓰야 되는데 그만큼 인덕터의 Size가커지게 되는것이다.와인딩 손실은 인덕터를 구 성하기 위해 사용되는 와이어 코일의 dc 저항(DCR)

  자기소개서 | 20페이지 | 4,500원 | 등록일 2023.05.05

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  졸업작품보고서- 무선 전력 전송 기술/무선 충전 기술 A++++자료 (전기공학과)

  그렇다면 gan 소자의 정의는 무엇일까? ... 전력 수신부는 공진방식을 이용하여 전달받은 전력을 컨버터를 이용하여 DC로 변환 한 후에 DC전압을 이용하여 배터리를 충전한다. ... 변환된 DC전압은 EPC를 이용하여 AC로 변환 6.78MHz의 주파수를 만들어서 코일을 통하여 수신부로 전력을 전달한다.

  논문 | 18페이지 | 7,700원 | 등록일 2020.06.25 | 수정일 2020.12.04

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  VLSI공정 5장 문제정리

  sputtering와 RF sputtering을 비교하여라.glow방전을 위해 DC power를 사용하는 것이 DC sputtering 이며 타겟으로 금속만 가능하다.RF sputtering은 ... Organic CVD전구체 물질이 유기 금속 화합물 일 때의 CVD공정MOCVD의 응용분야고 집적화 및 고품질이 요구되는 반도체 공정고출력 LED칩 소자 개발에 필수적인 증착 기술특히 GaN를 ... 높여 방전 전류를 증가BUT , 100Ev 이상의 전압에서 이온화 단면이 감소 –Ar의 압력을 증가.입사각이 약 80도 일 때 최댓값을 나타낸다.가 커지면 스퍼터링 효율도 증가한다.DC

  리포트 | 10페이지 | 4,000원 | 등록일 2018.06.05 | 수정일 2020.05.03

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  PVD

  (CH 3 )n ∙ NH 3 550 ℃ Low pressure CH3 H Ga N H2 CH4 GaN Ga (CH 3 )n ∙ NH 3 = GaN + n(CH 4 ) + ½(3 – ... APCVD LPCVD PECVD MOCVD Thermal Electron beam Molecualr beam Ion plating Laser ablating Radio-Frequency DC ... 반응가스 sputtering 시 plasma 의 형성을 위해서 사용되는 sputtering 가스는 이온화가 용이하고 target 이나 박막과는 거의 반응이 없는 불에 의해 (RF 또는 DC

  리포트 | 77페이지 | 3,000원 | 등록일 2012.12.24

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  진공 및 박막의 전제척인 개념 및 박막의 3가지 성장모델, CVD & PVD 비교 정리

  기판의 표면에서 TMG의 Ga과 NH3의 N이 반응하여 GaN을 만들어내게 된다. ... (그림)DC 스퍼터는 여러 종류의 금속에 대해서 증착속도가 일정하다. ... RF 플라즈마 에너지가 강하기 때문에 진공범위가 DC 플라즈마에 비하여 넓다.

  리포트 | 8페이지 | 6,500원 | 등록일 2013.04.22 | 수정일 2022.11.21

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  17장 전자측정연습

  아래 부분에, 음극이면 윗부분에 휘선을 놓는다.3.VOLTS/DIV를 조정한다.4.AC-GND-DC 스위치를 DC로 한다.5.입력 신호가 양극이면 그래프 위로 올라가고, 음극이면 ... 아래의 항목을 측정할 수 있는 방법을 간단히 기술하라.(1)전압계로 이용된다.1.입력 신호를 수직 입력 단자에 접속하고, 수직 입력 절환 스위치를 GAN에 놓는다.2.입력 신호가 양극이면 ... 아래로 내려간다.6.직류 전압=그래프 수직칸수*VOLTS/DIV로 계산하면 측정된다.(2)시간에 따른 전압의 변화를 그린다.1.AC-GND-DC 스위치를 AC로 놓는다.2.파형이 스크린

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.08.23

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  증폭기 설계 과제

  ResultDesign power amplifier whose PAE(Power-added efficiency)is as high as possible PAE=(RF out – RF in)/dc ... 100Watts Input power level: less than 25dBm Source and load impedance: 50 ohm Other conditions 10Watt GaN

  리포트 | 9페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.01.24

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  LED 레포트 A+

  하지만 그에 비해 영구적 수명의 장점으로 장기적으로 봤을 경우에는 재활용이 가능한 부분이다.실제 LED의 단점은 강전에 약한 부분인데, 대부분의 LED는 DC로 구동되어 지고 있다.또한 ... 그 후 니치아에 의해 백그라운드 도핑 수준과 이동도가 n∼mid 1016㎝-3와 600㎠/Vs까지 증가하게 되었다.도핑을 하지 않은 GaN 박막 특성의 향상과 더불어 n과 p타입 도핑에 ... 취함으로써 단파장화한다. x값이 0.65 및 0.75에서는 각각의 발광 피크파장이 630㎚ 및 610㎚의 등황색 LED로 된다.5 GaAlAs계 LEDGaAlAs는 x0℃)에서 GaN를

  리포트 | 26페이지 | 2,500원 | 등록일 2012.03.09

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