"Direct nitridation" 검색결과 1-20 / 49건

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  반도체 공정 관련 내용 정리 리포트

  (Ti) vs Reactive(TiN) => 면저항값 측정 비교Direct -> target에 존재 , Reactive -> N2가스 주입로드락 챔버 : 760Torr -> 진공, ... 기준)Loading effect : 1)pattern density 차이 2)pattern pitch 차이Dielectric 차이 : 1) SiO2(oxide) 2) Si3N4(Nitride ... high , 압력 lowPlasma의 자기적 성질을 이용해 자계를 걸어주면 plasma desntiy 높일 수 Film 성질에 따라 분류 : Oxide CVD(SiO2, SION) Nitride

  리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.03.12

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  전기 전자 통신 IT 영어 용어 단어장(통번역, 연구, 논문 작성용)

  units; Meter Kilogram SecondMKS 단위계전기전자/통신MKSA; Meter Kilometer Second AmpereMKSA 단위계전기전자/통신MNOS; Metal Nitride ... Current직류전기전자/통신DCS; Distributed Control System분산 제어 시스템전기전자/통신DDC; Direct Digital Control직접 디지털 제어전기전자 ... booster직류 승압기전기전자/통신DC dynamo직류 발전기전기전자/통신DC/DC TransformerDC 컨버터; DC 변압기; 직류 변환기; 직류 변압기전기전자/통신DC; Direct

  리포트 | 21페이지 | 30,000원 | 등록일 2023.01.21

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  태양전지 반사방지막의 역할 및 특성 분석 결과 [A+ 레포트]

  또한 가시광선 영역의 reflection이 적으므로 투명전극으로는 더할 나위 없이 사용하기 좋기 때문이다.위의 그림들을 보면 Silicon Nitride의 두께에 따라 바뀌는 빛의 ... 색인데, 우리가 실험한 것과 연관 지어 생각해보면, 아래 그림과 같이 structure의 direction, packing density, 조성에 따라 투과율과 반사율이 달라지는 것

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.06.01

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  PECVD 공정

  PE SiH a Si(OC 2 H 5 ) 4 → SiO 2 + decomposition productsSilicon Nitride Film - a popular insulating ... reactions are involved in the process, which occur after creation of a plasma of the reacting rate sits directly ... Type - Plasma generation and deposition occur simultaneously in one place - the wafer substrate is not directly

  리포트 | 24페이지 | 3,000원 | 등록일 2018.06.15

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  AlN의 형성에 미치는 기계적 합금화 분위기의 영향 (Effect of Mechanical Alloying Atmosphere on Formation of AlN)

  한국분말야금학회 유승훈, 이영성, 신광선

  논문 | 6페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.01 | 수정일 2023.04.05

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  X-선 회절법에 의한 철-질소 화합물층의 ε과 Υ'상 분율 해석

  한국재료학회 김윤기

  논문 | 7페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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  고에너지 볼밀링 방법에 의해 얻어진 초미립 AlN 분말의 치밀화 및 미세구조 (Densification and Microstructure of Ultrafine-sized AlN Powder Prepared by a High Energy Ball Milling Process)

  한국분말야금학회 박해룡, 김영도, 류성수

  논문 | 7페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.01 | 수정일 2023.04.05

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  [화학공학실험]금속 산화물 및 질화물의 합성 및 특성 조사

  nitridation)과 알루미나와 탄소와 혼합물을 질소분위기에서 고온 반응시키는 열탄소환원질화법(carbothemal reduction and nitridation)이다확실한 증거는 ... 분말의 합성법 중에서 공업적으로 많이 사용되고 있는 합성법은 다음의 두 가지이다: 금속알루미늄을 고온에서 질소 혹은 암모니아 기체와 직접적으로 질화반응시키는 직접질화법(direct

  리포트 | 17페이지 | 5,200원 | 등록일 2016.03.09 | 수정일 2020.08.01

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  규석광으로부터 직접 질화법에 의한 질화규소의 합성

  한국재료학회 손용운, 주성민, 정헌생

  논문 | 5페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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  압전체 파워포인트 발표자료

  niobate (LiNbO3) Lithium tantalate (LiTaO3) Sodium tungstate (NaxWO3) BiFeO3 (Bismuth ferrite) Aluminum nitride ... These vibrations are amplified by the resonant masses of the transducer and directed into the liquid ... loudspeakersIntroducing Piezoelectric effectDiscovery and early research The first demonstration of the direct

  리포트 | 64페이지 | 2,000원 | 등록일 2014.07.02

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  결과레포트, 예비레포트 화학공학실험1

  nitridation)과 알루미나와 탄소와 혼합물을 질소분위기에서 고온 반응시키는 열탄소환원질화법(carbothemal reduction and nitridation)이다. ... 분말의 합성법 중에서 공업적으로 많이 사용되고 있는 합성법은 다음의 두 가지이다: 금속알루미늄을 고온에서 질소 혹은 암모니아 기체와 직접적으로 질화반응시키는 직접질화법(direct

  리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.04.04

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  금속 산화물 및 질화물 합성 (예비)

  nitridation)과 알루미나와 탄소와 혼합물을 질소분위기에서 고온 반응시키는 열탄소환원질화법(carbothemal reduction and nitridation)이다. ... 분말의 합성법 중에서 공업적으로 많이 사용되고 있는 합성법은 다음의 두 가지이다: 금속알루미늄을 고온에서 질소 혹은 암모니아 기체와 직접적으로 질화반응시키는 직접질화법(direct

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.04.04

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  금속 산화물 및 질화물 합성 (예비)

  nitridation)과 알루미나와 탄소와 혼합물을 질소분위기에서 고온 반응시키는 열탄소환원질화법(carbothemal reduction and nitridation)이다. ... 분말의 합성법 중에서 공업적으로 많이 사용되고 있는 합성법은 다음의 두 가지이다: 금속알루미늄을 고온에서 질소 혹은 암모니아 기체와 직접적으로 질화반응시키는 직접질화법(direct

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.04.04

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  EL(Electoroluminescence)의 원리

  compounds. ( GaN direct band gap : 3.5eV at 4K, 3.4eV at RT ) 2) InN direct band gap : 1.9eV at RT It ... and Green laser 1)In 1995 Shuji Nakamura at Nichia Chemical Industry Make the LEDs based on gallium nitride ... .  Commercial electroluminescent devices are made from direct band gap .

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.11.01

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  금속 산화물 및 질화물 합성 (예비)

  nitridation)과 알루미나와 탄소와 혼합물을 질 소분위기에서 고온 반응시키는 열탄소환원질화법(carbothemal reduction and nitridation)이다. ... 합성법분말의 합성법 중에서 공업적으로 많이 사용되고 있는 합성법은 다음의 두 가 지이다: 금속알루미늄을 고온에서 질소 혹은 암모니아 기체와 직접적으로 질화 반응시키는 직접질화법(direct ... 및 미국의 C.M.홀에 의해서 독립적으로 대량생산이 가능한 전기분해 제조법 (에루-홀법)이 발명됨으로써 오늘날의 경합금시대의 기초가 마련되었다.(2) 질화알루미늄(Aluminum nitride

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.04.04

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  금속 산화물 및 질화물 합성 (예비)

  nitridation)과 알루미나와 탄소와 혼합물을 질소분위기에서 고온 반응시키는 열탄소환원질화법(carbothemal reduction and nitridation)이다. ... 분말의 합성분말의 합성법 중에서 공업적으로 많이 사용되고 있는 합성법은 다음의 두 가지이다: 금속알루미늄을 고온에서 질소 혹은 암모니아 기체와 직접적으로 질화반응시키는 직접질화법(direct

  리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2012.04.04

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  금속 산화물 및 질화물 합성 (예비)

  nitridation)과 못하고 있는 실정이다.▷ 질화알루미늄(AIumimum nitride)질화알루미늄은 본질적으로 내열성과 내식성으로 특징 되는 비산화물로서 연구가 개시되었다 ... 분말의 합성법 중에서 공업적으로 많이 사용되고 있는 합성법은 다음의 두 가지이다 : 금속알루미늄을 고온에서 질소 혹은 암모니아 기체와 직접적으로 질화 반응시키는 직접질화법(direct

  리포트 | 18페이지 | 2,000원 | 등록일 2012.04.04

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  금속 산화물 및 질화물 합성 (예비)

  분말의 합성법 중에서 공업적으로 많이 사용되고 있는 합성법은 다음의 두 가지이다: 금속알루미늄을 고온에서 질소 혹은 암모니아 기체와 직접적으로 질화반응시키는 직접질화법(direct ... 질화알루미늄(Aluminum nitride)질화알루미늄은 본질적으로는 내열성과 내식성으로 특징 되는 비산화물로서 연구가 개시되었다. ... nitridation)과 알루미나와 탄소와 혼합물을 질소분위기에서 또한 α-알루미나와 탄소분말과의 균질혼합, 잔류탄소의 하소 등과 같은 추가적인 공정과정이 요구된다.

  리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.04.04

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  ETCHING

  넓은 공정 범위 38 성공적인 건식 식각 조건 Dielectric Dry Etch ( 유전체 건식 식각 ) 질화물 (Nitride) 산 현상액의 공격 , 표면 결함 ) 6. ... Higher pressures (more gas atoms) ⇒ higher plasma densities But smaller mean free path and thus less directionality

  리포트 | 56페이지 | 5,000원 | 등록일 2012.12.24 | 수정일 2013.11.17

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  PN 다이오드공정설계

  oxide p1.x=9.5 rightRATE.ETCH MACHINE=PLASMA1 SILICON U.M RIE ISOTROPIC=0.1 DIRECT=0.9ETCH MACHINE=PLASMA1 ... thick=0.25 div = 5etch nitride p1.x=0.5 leftetch nitride p1.x=9.5 rightetch oxide p1.x=0.5 leftetch ... 그리고 Oxide 절연층이 생길 부분의 Nitride와 Oxide Pad를 식각하고 RIE(reatii 기판까지 식각한다.식각시 손상된 epi층 때문에 얇은 Oxide층을 Themal

  리포트 | 10페이지 | 4,000원 | 등록일 2009.08.12 | 수정일 2015.07.13

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