"Dopant" 검색결과 1-20 / 360건

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  Dopant가 주입된 poly-Si 기판에서 Ta-silicides의 형성 및 dopant 의 거동에 관한 연구

  한국재료학회 최진석, 조현춘, 황유상, 고철기, 백수현

  논문 | 6페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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  Athena_dopant diffusion

  ex8>결과보고서-dopant diffusion in silicon1. ... 이 부분이 바로 확산해 가는 dopant 원자들을 공급하는 source가 된다. ... 즉, Si의 방향에 따라 dopant가 확산되는 시뮬레이션 결과가 다르게 나오게 된다. 이번 실험에서는 100방향으로 Si기판을 설정해 주었다.

  리포트 | 3페이지 | 1,500원 | 등록일 2011.06.27

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  Co/metal/Si 이중층 구조의 실리사이드화 열처리에 따른 dopant의 재분포

  한국재료학회 이종무, 권영재, 이수천, 강호규, 배대록, 신광수, 이도형

  논문 | 6페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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  amphoteric dopants의 Si의 성질

  Such impurities are called 'amphoteric dopants'. it turns out that Si is a donor and Ge is an acceptor ... 이러한 현상을 ‘Amphoteric dopants’ 라고 하는데, 이는 GaAs 화합물에서 도핑과정에 Ga의 자리에 들어가서 As와 결합구조를 이룰 수도 있고, 반대로 As자리에 들어가서

  리포트 | 1페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.04.29

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  Ti glue layer, Boron dopant, N2plasma 처리들이 Cu와 low-k 접착력에 미치는 효과

  한국재료학회 이섭, 이재갑

  논문 | 5페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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  SOD(Spin-on dopant)법을 이용한 p-n Junction Solar Cell 제작 (실험 사전 보고서)

  P509 (Dopant Solution)- Phosphorus(P) 10.5%, SiO2 5.0%- Solar Cells 용3. Spin Coator4.

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.04.04

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  CO detection 중심으로 분석한 TD-DFT, DFT 설계 리포트

  둘째, N 원소의 경우는 carbon ring의 π-전자가 N dopant의 비공유전자쌍과의 conjugation에 의해 활성화될 수 있으므로. ... CNT의 CO detection sensitivity에 미치는 영향을 조사하고, dopant 종류와 위치에 따른 활성화 정도의 차이를 나타내며 가장 효율적인 doped-CNT에 대한 ... 이 논문에서는 기존의 방법으로 CNT로 CO를 감지할 때 사용되는 방법의 문제점을 지적하며 이를 doping을 통해 개선하는 방향에 대해 소개하였다.또한 DFT를 활용해 B, N dopant가

  리포트 | 5페이지 | 4,000원 | 등록일 2022.11.04

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  1-3 AMOLED Full Device - Small Molecule report (A+)

  HOST물질과 DOPANT물질을 정할 때 유의 사항은HOST 물질의 발광이 DOPANT물질과 거의 겹친다HOST에서 DOPANT로 ENERGY TRANSPORT가 일어 날려면 HOST의 ... 발광과 DOPANT의 흡수가 스펙트럼이 겹쳐야 에너지의 TRANSFER가 효율적으로 일어난다. ... 흡수가 겹쳐야지 에너지 이동이 효율적으로 일어난다.Ir(ppy)3Ir(ppy)3은 EML층의 dopant로 사용된다.TPBITPBI는 이번 소자에서 ETL에 사용되었다. hole을

  리포트 | 9페이지 | 10,000원 | 등록일 2023.07.30

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  OLED 증착공정 분석 결과 레포트

  Dopant 농도가 20%일 때 EQE, 전류효율(CE), 전력효율(PE) 값이 최대이며, Dopant 농도가 30%일 때 휘도(L), 전류밀도(CD) 값이 최대이다. ... Dopant 농도가 증가할수록 휘도, 전류밀도 값은 증가하지만 EQE, 전류효율, 전력효율 값은 증가하다가 감소한다. Dopant의 농도는 전기적 특성에 많은 영향을 준다. ... Dopant 농도가 증가함에 따라 전하 운반자의 농도가 높아져 전기 전도성이 증가하게 되는데, 이로 인해 휘도와 전류밀도 값이 증가하는 것으로 판단된다.

  리포트 | 1페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.02.15

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  Photoluminscence(PL) 분석 결과 레포트

  SimCP2(host)와 Firpic(dopant)의 PL spectrum- Solid PL, Solution PL을 그래프를 그려 비교dopant 물질로 사용하는 Firpic의 solid ... ID & NamePurposesolid PL과 solution PL, 그리고 PLQY를 측정한다.Experimenthost 물질로 SiMCP2, dopant 물질로 Firpic을 사용하고 ... 467nm의 범위에서 겹침이 일어나고 있다.- Energy transfer가 잘 이루어졌는지 spectrum을 비교한다.host 물질로 사용하는 SimCP2의 PL spectrum과 dopant

  리포트 | 1페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.02.15

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  부산대학교 나노 Fabrication 실험 3주 (White LED 형광 물질 합성) 결과 보고서

  낮은Y축 값두 값의중간값중간값을 갖는X축값의 차1.5% Dopant931.61466.03591.4-499.9=91.51.0% Dopant727.70.1363.9592-499.2=92.80.5% ... Dopant의 몰%가 커질수록 Emission과정 시 방출되는 빛의 파장의 반치폭이 작아짐을 알 수 있다. ... 실험 목표White LED용 형광체를 합성하고, Dopant 물질인 CeO2의 몰%에 따른 여러가지 특징들을 비교한 후 그 특징들을 분석한 그래프를 해석한다.2.

  리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.05.17

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  Diffusion (반도체)

  Diffusion (movement of atoms by random jumps)-diffusion of dopants & impurities into semiconductors:

  리포트 | 39페이지 | 1,500원 | 등록일 2023.05.30

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  Ion implantation (반도체)

  - A process by which dopant ions having high kinetic energies are introduced into a semiconductor to

  리포트 | 43페이지 | 1,500원 | 등록일 2023.05.30

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  Oxidation (반도체)

  Application of SiO2 Layer(1) Mask during dopant diffusion and ion implantation(2) Providing electrical

  리포트 | 50페이지 | 1,500원 | 등록일 2023.05.30

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  [서울시립대 반도체소자] 4단원 노트정리 - PN junction & Metal-SCD junction

  . 2) current equilibriumdepletion layerprocess: adjacent SCDs → carrier diffusion → recombination → dopant ... density. agrees with E field distribution eq. (②)process: more dopant = more carrier → more metal-like ... 설탕물인데 각 입자가 격자에 묶여 있는 듯한 상황← Poisson equationE field distributionlayer widthdef.) disproportionate to dopant

  리포트 | 16페이지 | 1,500원 | 등록일 2021.12.31 | 수정일 2022.01.24

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  2-3. AMOLED Full Device - Small molecule report (A+)

  사용되었다. dopant는 oled에서 color를 결정하고, FWHM와 연관, Emission Efficiency를 증가시킨다. ... .)⒟ CBPCBP는 EML층의 HOST로 사용된다. host와 dopant는 doping system에 의해 구분되는 것이다. host는 electron-hole pair가 잘 만들어지고 ... 증가하기 때문이다.)EML층의 재료들은 electron과 hole 모두를 transport하는 양극성을 가져야 한다.⒠ Ir(ppy)3Ir(ppy)3는 이번 공정에서 EML층의 Dopant로

  리포트 | 9페이지 | 10,000원 | 등록일 2023.07.30 | 수정일 2023.08.18

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  Nonmetal Nitride h-BN, g-C3N4, Si3N4, SiON, P3N5-합성 및 특성 분석 report

  예들은 다음과 같은데 photoctatlyst 의 경우 가시광에서도 감응하는 photocatalyst 를 만들기 위해 wide bandgap 인 광촉매 물질 nitrogen 을 dopant

  리포트 | 24페이지 | 2,500원 | 등록일 2024.01.05

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  인하대학교 2017 반도체 소자 중간고사 족보

  You wish to use Si as a dopant in GaAs.

  시험자료 | 3페이지 | 3,000원 | 등록일 2021.04.19

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  피엔에이치테크 기업분석

  시장을 독점 중인 상태소재 이원화가 요구되는 상황23년 양산을 목표로 P-dopant 소재 국산화 진행 중해당 재료는 해외 OLED 소재 업체 의존도가 높고 국산화 니즈가 큼양산 ... 에서 전하 캐리어(전하를 이동시키는 입자입자) 양을 늘리는 역할 수행수송층의 전도성을 증가시키는 역할 수행이에 따라 EML 전반의 효율 증가EML : 발광층현재 노발레드 사가 p-dopant ... 전망모바일향 → WOLED향으로 수익 구조가 다변화가 된다는 것은 긍정적인 요소모바일 : 매년 모델 변화 → 소재구조가 자주 바뀜TV : 변화에 상대적으로 덜 민감해 안정적인 구조 : P-dopant정공수송층

  리포트 | 3페이지 | 3,000원 | 등록일 2022.05.03

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  [물리전자2] 과제2 단원 요약 Fabrication of pn junctions

  In ion implantation, dopant atoms are forcefully introduced into silicon in the form of an energetic ... Generally, it involves the movement of dopant atoms into silicon through thermal processes in a furnace

  리포트 | 5페이지 | 2,500원 | 등록일 2023.12.21 | 수정일 2023.12.30

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