"Ge, Si" 검색결과 1-20 / 1,196건

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  리튬이차전지용 다공성 Si-Ge-Al계 음극활물질의 전기화학적 특성

  한국분말야금학회 조충래, 김명근, 손근용, 박원욱

  논문 | 5페이지 | 4,000원 | 등록일 2023.04.05

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  이온선보조증착에 의한 Si(100)기판에 정합성장된 Si0.5Ge0.5박막의 성장방식

  한국재료학회 박상욱, 백홍구

  논문 | 13페이지 | 4,500원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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  Si0.8Ge0.2계 합금에서 열전특성에 미치는 B의 영향 (Influence of Boron Content on the Thermoelectric Properties of p-type Si0.8Ge0.2 Alloy)

  한국분말야금학회 황성두, 최우석, 박익민, 박용호

  논문 | 5페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.01 | 수정일 2023.04.05

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  수광 소자 (Si, Ge & InGaAs PD)의 특성 측정

  [그림1] Si와 Ge 다이오드의 전압 특성 곡선[그림2] Si와 Ge의 I-V 특성곡선EXPERIMENT이번 실험은 두 가지를 하였는데 Si, Ge 다이오드 특성 측정 실험과 PD의 ... 수광 소자 (Si, Ge & InGaAs PD)의 특성 측정Abstract다이오드를 구성하는 물질에 따라 조금씩 동작전압의 차이가 있기 때문에 파형의 크기가 Si 다이오드보다 Ge ... 아래 [그림1]은 Si와 Ge 다이오드의 전압 특성 곡선을 나타낸 그림이고, [그림2]는 Si와 Ge의 I-V 특성곡선을 나타내었다. 1-1 순수반도체도체와 부도체 사이의 중간적 성질을

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2013.05.09

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  [기초전기전자실험] GE, SI, 제너 다이오드 특성 실험 <A+받은 자료>

  입력전압을 표1-1과 같이 변화시키며 역방향 전류 (IR)을 측정하여 기록한다.(4) Si 다이오드의 순방향 전류를 측정하기 위해 1e-1f 단자에 전류계를 연결하고, 1k-1l, ... 실험과정 및 실험결과■ 실험1(1) 다이오드의 순반향 전류와 역방향 전류의 특성을 실험하기 위해 M-5의 회로-1을 사용한다.(2) Ge 다이오드의 순방향 전류를 측정하기 위해 1c ... 입력전압을 표 1-1과 같이 변화시키면서 순방향 전류 (IF)를 측정하여 기록한다.(3) Ge 다이오드의 역방향 전류를 측정하기 위해 1c-1d 단자에 전류계를 연결하고 1h-1i,

  리포트 | 17페이지 | 2,500원 | 등록일 2016.01.02 | 수정일 2016.04.08

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  Si와 Ge다이오드의 반응 특성 및 Photo diode를 이용한 광검출 및 특성 실험

  =15mV, Ge= 50mV☞ Si 와 Ge는 각각의 동작 전압이 있다. ... Si&Ge 다이오드 및 PD의 특성 실험실험목적☞ 수광 소자로 사용되는 반도체 소자 Si & Ge다이오드의 원리를 이해하고 두 다이오드의 특성을 비교 해본다.☞ PD의 특성을 이해하고 ... 이 각각의 동작전압에 만큼 Si , Ge의 출력파형은 입력 파형에 비해 손실이 생기게 된다.실험 결과에서는 Si의 경우 약 0.3V정도의 손실이 생겼으며, Ge의 경우 약 0.25V정도의

  리포트 | 14페이지 | 2,000원 | 등록일 2006.11.03 | 수정일 2019.06.18

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  semiconductor에서 반도체 구성물질 조사

  이에 따라 Si는 Ge보다 10배 정도 저렵한 특징을 가지고 있습니다.둘째로 Ge과 비교할 때 수율이 좋습니다.실리콘은 단결정 웨이퍼를 더 쉽게 만들 수 있습니다. ... 다음으로 게르마륨(Ge)이 있습니다. 게르마늄 같은 경우 반대로 밴드갭에너지가 약 0.66eV로 Si에 비해 훨씬 작습니다. ... 반면 Ge의 경우 passivation layer를 만들 수 있습니다. 하지만 Si에 비해 물에 녹기 쉽고 고온에 견디지 못합니다.

  리포트 | 5페이지 | 3,000원 | 등록일 2020.11.25

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  TCAD 보고서

  비교- Silicon (Si)- Germanium (Ge)4) N-type doping level에 따른 JV curves 비교- Silicon (Si)- Germanium (Ge ... 비교- Si, Ge, GaAs, InP7) Discussion8) Reference1. ... 물질은 Si, Ge, InP, GaAs가 존재했고 이 중에 가장 보편적으로 사용되는 반도체 물질인 Si를 기준으로 시뮬레이션을 진행하였습니다.

  리포트 | 23페이지 | 4,000원 | 등록일 2020.06.17

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  Semiconductor Device and Design - 3,

  〮Si can be operated up to ~150℃ while Ge can be operated up to ~100 ℃. ... Later, silicon became the material of choice for Ics.Bandgap 〮Si(1.12eV), Ge(0.66eV)Operating temperature

  리포트 | 15페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.06.22 | 수정일 2023.06.25

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  직병렬 다이오드 회로 실험 레포트

  하지만 다이오드를 Si와 Ge, 두개를 사용했다면 했다면, 작은 전압만 걸린다.전압이 걸리지 않은 것 은 오프되어 있는 상태이다. ... 실습 사용기기 및 재료● 직류 전원 공급기● 다이오드(Si: 1N4154, Ge:1N34A)● 저항 330옴, 1k옴, 2.2.k옴● 디지털 멀티미터4. ... 다이오드면 0.7V Ge가 다이오드면 0.2V이다.

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.10.25

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  [보고서점수A+]한국기술교육대학교 전자회로실습 CH1. PN접합다이오드 실험보고서

  이론 및 실험 원리① P형 반도체- 반도체 소자의 주재료인 실리콘(Si)이나 게르마늄(Ge)에 3가 원소인 인듐(In), 갈륨(Ga)과 같은 물질을 도핑시킨 것으로, 원자 간의 전자결합

  리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2023.03.27

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  PN 접합다이오드(예비+결과)/ 전자회로실습/ 한기대

  예비과제2.1 진성 반도체와 불순물 반도체의 차이점에 대하여 간략히 설명하여라.진성반도체는 게르마늄(Ge)이나 실리콘(Si)과 같이 최외각 전자가 4개인 4족 원소들을 공유 결합시켜 ... 실리콘(Si)14 기반의 반도체의 경우 약 0.7V의 문턱전압을 가지며 이며 이와 동족 원소인 저마늄(Ge)32 기반의 반도체는 약 0.2~0.3V의 문턱전압을 가진다.2.8 이상적인 ... 실험준비물-Power Supply, Digital Multimeter, Bread board, 리드선, 고정저항 250Ω 1개, Si 다이오드(1N4148) 1개4.

  리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2022.03.12 | 수정일 2022.03.14

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  3주차_3장_예비보고서_직렬병렬다이오드구조

  ) D1n4148Ge) D1N6095Si: =0.7V, Ge: =0.3V직렬 구조 (빨간색: , 초록색: )a. ... 순서 1에서 측정한 Si과 Ge 다이오드의 문턱전압을 이용하여 VO와 VR의 이론적인 값을 계산하라.c. ... 순서 1 에서 측정한 Si과 Ge 다이오드의 문턱전압을 이용하여 Vo와 VR의 이론적인 값을 계산하라.i.

  리포트 | 18페이지 | 4,000원 | 등록일 2023.11.30

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  2주차_2장_예비보고서_다이오드특성

  선들의 극성을 반대로 연결하면 OL이 나타날 것이다.Si과 Ge 다이오드에 대해서 표의 검사를 수행하라. 표의 결과로부터 두 다이오드는 양호한 상태인가? ... DMM을 다이오드에 제대로 연결하면 DMM은 약 2mA 전류에서 다이오드 순방향 전압(Si는 약0.7V, Ge는 약 0.3V)을 나타낼 것이고 역방향 바이어스로 연결하면 개방회로를 ... (si > Ge)역방향 바이어스(Si)회로도(역방향 포화전류는 매우 작기 때문에 저항 R양단의 전압을 측정하려면 큰 저항인 1MΩ의 저항이 필요하다)Pspice Simulation

  리포트 | 20페이지 | 4,000원 | 등록일 2023.11.30

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  기초전자실험 실험2 다이오드 특성 결과보고서

  Si 다이오드의 Is가 Ge 다이오드의 Is보다 훨씬 작다는 것을 알 수 있다.Si과 Ge 다이오드의 DC 저항을 계산하라.R(DC)(계산값)(Si) = 2483.37MΩR(DC)( ... (D)0.10.30.50.70.9246810그림에 Si과 Ge다이오드에 대한 V(D) 대 I(D) 특성곡선을 그려라. ... 계산값)(Ge) = 4.79MΩDC 저항그림2.5의 Si 곡선을 이용하여 표 2.5에 나타난 다이오드 전류에서 다이오드 전압을 결정하고, DC저항을 계산하라.I(D)(mA)V(D)R

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.10.01

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  [세종대학교 A+] 물리전자공학 기말고사 족보

  2019년 물리전자공학 기말고사 solution문제1) 서로 다른 3개의 반도체 (Ge, Si, GaAs) 에 대하여 온도에 따른 majority carrier ... (Ge, Si, GaAs 의 Eg 값은 0.67 eV, 1.12 eV, 1.42 eV 이다)Solution: 온도가 매우 높을 때 (그래프에서 가장

  시험자료 | 3페이지 | 3,000원 | 등록일 2023.07.17

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  DFT 시뮬레이션 (Density Function Theory)

  고찰이번 실험에서는 DFT를 통해 Si와 Ge의 전기적 물성을 파악하였다. 가장 먼저 Si와 Ge의 결정구조를 불러온 뒤 structure optimization을 하였다. ... 이 그래프를 통해 band gap을 얻을 수 있고 그로 인해 물질의 전기적 물성을 알 수 있다.3.3 Si, Ge의 반도체에 대한 이론적 배경Si와 Ge는 모두 14족 원소로, 두 ... 이는 특정 온도에서 Ge가 Si보다 전기전도적 물성이 더욱 높다는 의미이다.

  리포트 | 5페이지 | 4,000원 | 등록일 2022.11.04

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  Semiconductor Device and Design - 2,

  .- Bandgap 〮Si(1.12eV), Ge(0.66eV)- Operating temperature 〮Si can be operated up to ~150℃ ... while Ge can be operated up to ~100 ℃.

  리포트 | 19페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.06.22 | 수정일 2023.06.25

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  울산대학교 전자실험결과레포트 1장 PN 접합 다이오드 특성곡선 측정과 기준전압

  Si 다이오드는 어떻게 동작될 것인지 설명하고 각각의 전류를 측정한다I _{D} (Si1)=0.696mA#,I _{D} (Si1)=0.631mA,I _{D}(Ge)=0.612mA2. ... 되어 다이오드에 낮은 전압을 넣었을 때 다이오드에서 전압이 측정되지 않을 것을 실험을 통해 확인할 수 있다.Si 다이오드와 Ge다이오드 차이점은 순방향 바이어스일 때 문턱전압이다. ... 있다.실험을 통해서 Si 다이오드와 Ge 다이오드의 차이점을 확실하게 알 수 있게 되었다.실험에서 이론값과 측정값에서 오차가 발생하는 것을 확인할 수 있는데 오차가 발생한 원인은

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2023.11.14 | 수정일 2023.11.17

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  물리화학실험 basic electronics 실험보고서

  )0.3942MΩ0.37359kΩ실리콘(Si)∞1.83MΩ0게르마늄 다이오드의 순방향 전류+전압(mA)0.1020.2030.3080.4070.503(V) Ge0.1780.2100.2460.2590.276 ... (V) Si0.0490.5250.5450.5560.568(mA)1.0212.0673.0134.0265.0136.019(V) Si0.5990.6330.6500.6630.6740.6822 ... +3) (게르마늄 다이오드 전류+전압) + (실리콘 다이오드 전류+전압) 그래프전압이 12V일 때 다이오드에 흐르는 역방향 전류(V) Ge [R2=100kΩ]0.003(µA) Ge(

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2023.04.09

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