"Ge & InGaAs PD)의 특성" 검색결과 1-3 / 3건

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  수광 소자 (Si, Ge & InGaAs PD)의 특성 측정

  수광 소자 (Si, Ge & InGaAs PD)의 특성 측정Abstract다이오드를 구성하는 물질에 따라 조금씩 동작전압의 차이가 있기 때문에 파형의 크기가 Si 다이오드보다 Ge ... [그림1] Si와 Ge 다이오드의 전압 특성 곡선[그림2] Si와 Ge의 I-V 특성곡선EXPERIMENT이번 실험은 두 가지를 하였는데 Si, Ge 다이오드 특성 측정 실험과 PD의 ... [그림8] PD 특성 측정 실험 회로[그림9] [그림8]의 회로를 보고 기판에 구성CONCLUSION이번 실험은 두 가지를 하였는데 Si, Ge 다이오드 특성 측정 실험과 PD의 특성

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2013.05.09

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  Si와 Ge다이오드의 반응 특성 및 Photo diode를 이용한 광검출 및 특성 실험

  Si&Ge 다이오드 및 PD의 특성 실험실험목적☞ 수광 소자로 사용되는 반도체 소자 Si & Ge다이오드의 원리를 이해하고 두 다이오드의 특성을 비교 해본다.☞ PD의 특성을 이해하고 ... 그래서 재료별 파장대역을 살펴보면 다음과 같다.재료파장대역(nm)최대 응답 파장(nm)Si300~1100800Ge500~18001550InGaAs1000~17001700여기서 우리는 ... PD 특성 실험다음과 같은 장치도를 구성하여 PD에 ~파형을 입력하여 출력 파형을 관찰 하였다.Laser는 HBE-OPT-202 SET를 이용하였다.frequency 다이얼은=6 amplitude

  리포트 | 14페이지 | 2,000원 | 등록일 2006.11.03 | 수정일 2019.06.18

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  [HJBT] HJBT

  이 때문에 에미터 conductor에는 종래 부터 이용되고 있는 Au/Ge/Ni외에, InGaAs상에 W, WSi, WN등의 고융점 금속도 이용되고 있다. ... Base conductor 재료로서도, Ti/Pt/Au non alloy conductor외에 Pt/Ti/Pt/Au, Pd/Zn/Pt/Au, PtAuMn등이 보고 되고 있다. ... 이러한 burn-in 현상에 대한 해석은 C 도핑된 GaAs HBT의 신뢰도 분석과 향상에 좋은 자료가 될 것이다.Performance of AlGaAs/GaAs HBTs⇒DC and

  리포트 | 27페이지 | 1,500원 | 등록일 2002.06.13 | 수정일 2018.01.08

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