"High-k dielectrics" 검색결과 1-20 / 66건

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  반도체 공정 레포트 - high-k(학점 A 레포트)

  High-k dielectrics목차High-k dielectrics 이란Dram capacitorMOSFET gate oxide주의점 및 요구조건High-k dielectrics ... [사진2] Dielectric constant k일반적으로 High-k dielectric은 집적회로의 dielectric으로 주로 사용되었던 SiO2보다 SiO2 산화막과 비교하여 ... 이란High-k dielectric은 집적회로를 구성하는 MOSFET, FINFET 등의 transistor에 사용되는 물질 중 하나이다.

  리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2022.12.29

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  High-K 물질을 적용한 반도체 기술 실험 레포트

  예비 레포트- 실험날짜 : 2018년 03월 14일- 실험제목 : High-K 물질을 적용한 반도체 기술- 예비이론• High-K 물질의 정의 / 종류 / 적용 분야: High-K ... High-K 물질은 유전상수(K)가 20 이상으로 3.9인 와 비교하여 높은 유전 특성을 나타낸다. [1]현재 개발된 High-K 물질로는 등과 같이 유전 상수가 약 20~30인 물질들이 ... 따라서 게이트 산화물에서 누설전류를 감소시키며, 채널 형성을 잘 시키기 위해서 High-K 물질을 이용한다.

  리포트 | 5페이지 | 2,500원 | 등록일 2021.11.08

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  High-k report

  차국헌, 김재성, 주영창- High-k 게이트 절연물질의 전기적 특성: 도전과 현 문제점 및 해결책, RESEAT, 2007-04-03, 김정수- The Hmmy ... Poly Si의 effective work function은 doping에 의해 쉽게 변경되지 않는데, Poly Si/high-ĸ dielectric stack의 EWF가 fermi ... Poly Si/high-k stacks의 적용은 Vth controllability, poor reliability, dopant penetration, and inversion oxide

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.02.21

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  반도체공정 Report-4

  하지만 high-k물질이라고 장점만 가지는 것은 아니다. ... 이런 문제들 때문에 gate insulator로 high-k 물질의 single layer가 아니라 silicon oxide와 같이 사용하여 multi-layer로 사용하는 등의 방법이 ... 대체적으로 dielectric constant가 높을수록 band gap이 작아지는 특성을 보이며, band offset 차이로 인해 barrier의 높이가 낮아서 silicon oxide에

  리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.04.11 | 수정일 2021.04.13

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  반도체 공정 레포트2 (Flash memory)

  이 중 특히 ONO (SiO2/Si3N4/SiO2) 구조의 gate dielectric 사용을 통한 신뢰성의 열화 문제는high-k dielectric을 적용한 소자 연구의 필요성을 ... High-k material의 경우 SiO2에 비하여 큰 dielectric constant를 가지고 있어 blocking oxide로 사용하면 erase 동작 시 blocking ... Erase 동작 시 전극으로부터 전자가 주입되어 reprogramming되는 현상이 발생함으로 인하여 High-k물질을 사용한 새로운 구조의 charge trap flash가 많이

  리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.01.15 | 수정일 2021.01.17

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  [반도체 공정1] 1차 레포트 - ITRS 2005 PIDS

  앞에서 언급한 다른 재료 및 공정 솔루션(high-κ gate dielectric, metal gate electrodes, 억지로 만든 실리콘 채널, 높은 소스/드레인 등)은 non-classical ... 이러한 적극적인 확장으로 업계는 high-κ gate dielectric, metal gate electrodes 등과 같은 재료와 공정의 변화를 포함한 다수의 주요 기술 혁신을 향해 ... 특히 highly scaled devices의 short-channel effects를 제어하기 위함이다.

  리포트 | 27페이지 | 2,500원 | 등록일 2019.11.22

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  Dielectric materials (유전체 재료들)

  t ↓ A ↑ ε r ↑ Ex) Ta 2 O 5 , Al 2 O 3 , HfO 2 , ( Ba,Sr )TiO 3 High-K materials !! ... NBTI(Negative Bias Temp. instability) issue, EOT scaling issue 5 ~ 7 NO or Plasma nitridation on SiO 2 High-k ... Si (Solid) + O, H, OH → SiO 2 (Solid) + H 2 High Quality, Conformal oxidation Similar to Wet-Oxidation

  리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2022.01.26

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  디지털전자회로 2021 기말고사 해답

  Interconnect 가 delay에 미치는영향이 증가한다.( T )(11)Gate oxide thickness가 감소하면 gate leakage가 증가하는데 이를 줄이기 위해 high-k ... dielectric material을 사용한다.( T )(12)High skewed inverter는, 출력이 high가 되는 speed를 빠르게 하기 위해 PMOS size를 키운 ... 감소하여 Ids가 감소하는 현상이다.( F )(4) Body effect를 통한 Vth 조절은 technology scaling이 됨에 따라 이용하기 어려워졌다.( T)(5) Drain-induced

  시험자료 | 14페이지 | 6,000원 | 등록일 2022.11.07 | 수정일 2022.11.09

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  ITRS roadmap 2005 Front End Processes 번역정리

  EOT가 1nm 미만으로 감소함에 따라 2008년에는 낮은 대기 전력 device에서 silicon 산화물 및 질화물 이외의 high-k gate dielectric가 예상된다. ... 첫째, 금속 또는 metal nitride gate materials의 도입이고 두 번째는 high‑k gate dielectric material의 도입이다. ... 증가된 두께는 허용되지않는 undercut profile을 초래할 수 있기 때문에 high‑k material의 wet etching이 어려울 수 있다.

  리포트 | 46페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.02.21

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  [서울시립대 반도체소자] 7단원 노트정리 - MOSFETs in ICs

  more cost & more breakdown, (exponentially) increasingcf.) solution:high-k dielectric (physically thick ... to modify carriers' mobility by applying mechanical strainmetal gate & high-k (permittivity) insulating ... & high permittivity).k(relative permittivity) ~ 24 =higher N substrate → decrease, but also increase

  리포트 | 9페이지 | 2,000원 | 등록일 2021.12.31 | 수정일 2022.03.29

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  광운대학교 반도체 공정1 조()()교수님 레포트과제

  material전자재료공학과2020000000000제출일: 2022.11.19High-k 물질 도입High-k물질은 집적이 계속되면서 발생하는 문제점을 보완하기 위해 사용한다. ... 하지만 이러한 방법으로 130nm세대 이상에서 충분한 커패시턴스를 유지하기 어려웠고 Ta2O5 및 Al2O3와 같은 high-k물질이 유전체로 사용되었다. ... Trench profile은 특정 깊이 아래로 넓어지고 trench 측벽은 거칠어지고 커패시터의 표면적을 증가시킨다. 80nm이하는 Al2O3또는: HfSiON과 같은 high-k

  리포트 | 63페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.12.21

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  반도체 공정 관련 내용 정리 리포트

  MFP : 진공(압력 low), 기체분자 low [압력을 낮추기 위해 pump사용]Deposition purity high, Quality high -> MFP high , 압력 ... PHOTO -> ETCH or IIP -> Ashing + PR Strip물질 : Metal / Dielectric(SiO2,Si3N4)ILD CMP / W-Plug CMP / Cu ... k 물질 필요PN junction의 구조 : source, drain의 전압bias 에 상관없이 gate 전압에 의해 결정Pattern 형성 공정 : PHOTO, ETCH, CMP박막형성

  리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.03.12

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  서울대학교 전자학 및 계측론 (현 중급물리실험 2) BNC 광속 측정 보고서 (A+)

  To see the variance of Q-factor, different resistors of values 220Ω and 2.2kΩ were used in each circuit ... Lastly, we calculated the speed of a signal through a BNC cable and the relative permittivity of the dielectric ... We observed the frequency dependence of RC high pass and low pass filters.

  리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2023.11.17

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  인하대 반도체소자 기말고사 족보

  ( C.i = dielectric constant / d 이므로 두께를 줄이면 c.i 커지는데 한계 존재- 전류 누설될 수 있음 -> 그래서 high dielectric constant ... , 즉 high k 물질을 보통 이용하게된다 ) V (th)줄이기 ( V.gate 는 고정되어 우리가 가해주는 전압일뿐 ..V. ... High frequency 일때 original graph 를 그리고, 도핑 농도를 높였을때의 HF 그래프를 그려라+ 간단한 설명도 추가.

  시험자료 | 2페이지 | 3,000원 | 등록일 2020.06.27

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  [반도체공정및응용] HW4 _ Diffusion System, SIMS, Gettering

  이전 세대의 oxidation 이나 annealing 공정부터 high-k dielectrics나 radical oxidation 까지 가능하다.◎ Hitachi Kokusai Electric ... Homework #4 (Ch.4)- 제조사, 소재지, 주요 제품 사진 및 특징 조사 (세계 매출 상위 2개사 이상)1. ... 좌측은 Hiden 사의 TOF-qSIMS라는 SIMS장비로 폴리머, 초전도체, 반도체, 합금, 광학 및 기능 코팅 및 유전체를 포함한 광범위한 재료의 표면 분석 및 깊이 프로파일링

  리포트 | 3페이지 | 2,000원 | 등록일 2022.12.19

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  ITRS 2005 요약

  이러한 적극적인 미세화를 이루기 위해 반도체 회사들은 High-k gate dielectric, metal gate electrodes 등과 같은 재료와 공정의 변화를 포함한 다수의 ... High k는 절연체 Failure, hot carrier effect 및 음전압 온도 불안정 같은 트랜지스터 Failure mode에 영향을 미친다. ... Scaling high-density non-volatile memory (NVM) to the 32 nm technology generationNon-volatile memory

  리포트 | 22페이지 | 3,500원 | 등록일 2020.12.12

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  [시험자료] 반도체 공정 및 응용 기말고사 정리 (족보)

  유전체에서 high K와 low K란 무엇인가요?? High-k란 유전상수 k가 7보다 큰 물질이고 전류를 잘 흐르지 못하게 하고 (ex.S`i _{3} N _{4})? ... , and dielectrics (금속, 폴리실리콘, 유전체 반응)17. ... Implantation 장비를 구성하는 5가지 부품을 쓰세요.① Ion source② Mass Spectrometer③ High-voltage accelerator④ Scanning

  시험자료 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2019.12.02 | 수정일 2024.05.14

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  [화학공학실험] 막분리 공정 실험 결과보고서

  High pressure pump S/W를 켜고, 유량계에 공기 방울이 없어질 때까지 기다렸다.4. ... 이러한 막 분리 공정은 해수 담수화, 유기 용매의 정제, 공업용수처리, 폐수처리 그리고 식품 및 약품 공업 등에서 성공적으로 적용되고 있다.역삼투법에서는 유기고분자의 dielectric ... 반지름이나 분자의 크기가 클수록 분리가 잘된다.⑤ 무기이온 제거율은 무기 이온 특유의 수화 수, 수화 이온 반경에 따라 영향을 받는다.Ex) 양이온 : Mg2+ > Li+ > Na+ > K+

  리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2023.03.01

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  반도체 8대 공정 정리

  Logic 의 경우 , HKMG 로 넘어오면서 SiO2 의 Gate Oxide 는 SiO2  SiON  HfO2 로 High-K 소재로 변하게 되었다 . ... 아래 그림에서도 알 수 있듯 , P-Si Gate 를 감 싸고 있는 Dielectric 이 SiO2 로 구성된다 . ... v=ad-fZDchlo0 잉곳과 슬라이싱 상세히 보여줌 : https://www.youtube.com/watch?v=AMgQ1-HdElM 웨이퍼 제조 15 개 공정Ⅰ.

  리포트 | 56페이지 | 2,500원 | 등록일 2024.06.09

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  High k 물질에 관하여

  high-k dielectricsHigh-k 란? ... High-k 유전체에 대해 설명하기에 앞서 우선 high-k의 유래에 대해 알아보겠습니다.반도체란 도체와 부도체의 중간적 전기적 전도성 성질을 가지고 있고 이 성질은 에너지밴드갭이 ... 그 과정에서 탄생한 것이 'High-k' 물질입니다.

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2018.08.20

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