"III-nitride semiconductors" 검색결과 1-2 / 2건

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  MOCVD 성장조건이 InN/GaN 다층박막의 발광세기에 미치는 영향

  한국재료학회 김현수, 이정주, 정순영, 이정용

  논문 | 5페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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  [전자전기] 기억소자

  이이피롬(EEPROM；electrically erasable and programmable ROM)으로는 엠노스(MNOS；metal nitride oxide semiconductor ... 이것은 시스템 버스 66MHz에 알맞은 속도로서 펜티엄 III가 쓰는 시스템 버스 100MHz와 133MHz에 맞추기에는 부족했다. ... MOS형 중에서 P-MOS는 제조가 쉬우며, N-MOS는 동작속도가 빠르고, C-MOS는 소비전력이 적은 것이 특징이다.c-mos는 Complementary Metal Oxide Semiconductor

  리포트 | 15페이지 | 1,500원 | 등록일 2005.05.13

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