Stacking하는 채널 물질로는 IZO(IndiumZincOxide), IZTO(IndiumZincTinOxide) 등 다양한 물질들이 보고되고 있는데, 게이트 절연막 위에 ... 이러한 용액공정간 산화물 박막 트랜지스터 소자 제작을 위해서는 indium gallium zincoxide(IGZO), indiumzincoxide(IZO), zinctin ... oxide(ZTO), zincoxide(ZnO) 등의 산화물 반도체 층이 SiO2 게이트 절연체 위에 코팅되고 200~400 ℃의 높은 온도에서의 열처리 공정을 거쳐야 한다.