"Low-k Dielectric" 검색결과 1-20 / 40건

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  Dielectric materials (유전체 재료들)

  t ↓ A ↑ ε r ↑ Ex) Ta 2 O 5 , Al 2 O 3 , HfO 2 , ( Ba,Sr )TiO 3 High-K materials !! ... Negative Bias Temp. instability) issue, EOT scaling issue 5 ~ 7 NO or Plasma nitridation on SiO 2 High-k ... A dielectric is a non-conducting substance, i.e. an insulator.

  리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2022.01.26

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  High-K 물질을 적용한 반도체 기술 실험 레포트

  예비 레포트- 실험날짜 : 2018년 03월 14일- 실험제목 : High-K 물질을 적용한 반도체 기술- 예비이론• High-K 물질의 정의 / 종류 / 적용 분야: High-K ... 물질은 높은 유전율을 갖는 물질을 말하며, K는 유전 상수(dielectric constant)를 나타낸다. ... High-K 물질은 유전상수(K)가 20 이상으로 3.9인 와 비교하여 높은 유전 특성을 나타낸다. [1]현재 개발된 High-K 물질로는 등과 같이 유전 상수가 약 20~30인 물질들이

  리포트 | 5페이지 | 2,500원 | 등록일 2021.11.08

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  디지털전자회로 2021 기말고사 해답

  Interconnect 가 delay에 미치는영향이 증가한다.( T )(11)Gate oxide thickness가 감소하면 gate leakage가 증가하는데 이를 줄이기 위해 high-k ... T )(6) Temperature가 올라가면 Vth가 증가하여 on current가 증가한다. ( F )(7) Hot temperature 일 때 mobility가 저하되므로 slow ... dielectric material을 사용한다.( T )(12)High skewed inverter는, 출력이 high가 되는 speed를 빠르게 하기 위해 PMOS size를 키운

  시험자료 | 14페이지 | 6,000원 | 등록일 2022.11.07 | 수정일 2022.11.09

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  [서울시립대 반도체소자] 7단원 노트정리 - MOSFETs in ICs

  more cost & more breakdown, (exponentially) increasingcf.) solution:high-k dielectric (physically thick ... R but low ← Schottky barrier (metal-SCD contact)variationsystematic (predictable) variation이웃하는 패턴 사이 ... to modify carriers' mobility by applying mechanical strainmetal gate & high-k (permittivity) insulating

  리포트 | 9페이지 | 2,000원 | 등록일 2021.12.31 | 수정일 2022.03.29

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  ITRS roadmap 2005 Front End Processes 번역정리

  Trench 절연을 위한 copper/low-κ dielectrics cleaning과 surface preparation, plasma etch 및 CMP에 대한 문제는 interconnect ... EOT가 1nm 미만으로 감소함에 따라 2008년에는 낮은 대기 전력 device에서 silicon 산화물 및 질화물 이외의 high-k gate dielectric가 예상된다. ... 첫째, 금속 또는 metal nitride gate materials의 도입이고 두 번째는 high‑k gate dielectric material의 도입이다.

  리포트 | 46페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.02.21

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  반도체 공정 관련 내용 정리 리포트

  PHOTO -> ETCH or IIP -> Ashing + PR Strip물질 : Metal / Dielectric(SiO2,Si3N4)ILD CMP / W-Plug CMP / Cu ... k 물질 필요PN junction의 구조 : source, drain의 전압bias 에 상관없이 gate 전압에 의해 결정Pattern 형성 공정 : PHOTO, ETCH, CMP박막형성 ... ), 기체분자 low [압력을 낮추기 위해 pump사용]Deposition purity high, Quality high -> MFP high , 압력 lowPlasma의 자기적 성질을

  리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.03.12

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  [반도체 공정1] 1차 레포트 - ITRS 2005 PIDS

  앞에서 언급한 다른 재료 및 공정 솔루션(high-κ gate dielectric, metal gate electrodes, 억지로 만든 실리콘 채널, 높은 소스/드레인 등)은 non-classical ... 이러한 적극적인 확장으로 업계는 high-κ gate dielectric, metal gate electrodes 등과 같은 재료와 공정의 변화를 포함한 다수의 주요 기술 혁신을 향해 ... EOT를 스케일링하려면 상대 유전 상수(k)가 높은 유전 재료가 필요하다.일부 제조업체는 2005년 80nm 1⁄2피치를 적용한 D램에 Ta2O5와 Al2O3(k~10~25)를 사용한

  리포트 | 27페이지 | 2,500원 | 등록일 2019.11.22

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  서울대학교 전자학 및 계측론 (현 중급물리실험 2) BNC 광속 측정 보고서 (A+)

  To see the variance of Q-factor, different resistors of values 220Ω and 2.2kΩ were used in each circuit ... We observed the frequency dependence of RC high pass and low pass filters. ... Lastly, we calculated the speed of a signal through a BNC cable and the relative permittivity of the dielectric

  리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2023.11.17

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  [시험자료] 반도체 공정 및 응용 기말고사 정리 (족보)

  유전체에서 high K와 low K란 무엇인가요?? High-k란 유전상수 k가 7보다 큰 물질이고 전류를 잘 흐르지 못하게 하고 (ex.S`i _{3} N _{4})? ... low K란 유전상수 k가 3.9보다 작은 물질이고 전류를 잘 흐르게 한다. (ex.S`iO _{2})27. ... , and dielectrics (금속, 폴리실리콘, 유전체 반응)17.

  시험자료 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2019.12.02 | 수정일 2024.05.14

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  [화학공학실험] 막분리 공정 실험 결과보고서

  이러한 막 분리 공정은 해수 담수화, 유기 용매의 정제, 공업용수처리, 폐수처리 그리고 식품 및 약품 공업 등에서 성공적으로 적용되고 있다.역삼투법에서는 유기고분자의 dielectric ... Mail power S/W를 켜고, Low pressure pump의 S/W를 켜주었다.2. ... 반지름이나 분자의 크기가 클수록 분리가 잘된다.⑤ 무기이온 제거율은 무기 이온 특유의 수화 수, 수화 이온 반경에 따라 영향을 받는다.Ex) 양이온 : Mg2+ > Li+ > Na+ > K+

  리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2023.03.01

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  ITRS 2005 요약

  이러한 적극적인 미세화를 이루기 위해 반도체 회사들은 High-k gate dielectric, metal gate electrodes 등과 같은 재료와 공정의 변화를 포함한 다수의 ... 이 보고서는 High κ, Metal Gate, Cu/low-κ, SOI, Novel Devices, Microsystems, Flash Memories, Soft Errors, ESD ... High k는 절연체 Failure, hot carrier effect 및 음전압 온도 불안정 같은 트랜지스터 Failure mode에 영향을 미친다.

  리포트 | 22페이지 | 3,500원 | 등록일 2020.12.12

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  [연세대학교 물리학과 물리학실험(A-1)] 11번 실험 결과레포트 (연세대학교 물리학과 전공필수 실험과목)

  at 5kHz, R = 10kヘ >< Voltages at 7kHz, R = 10kヘ >With low frequencies than 3kHz, the clear square waves ... MOSFET, we begin with a simple geometry consisting of a conductive (e.g., metal) plate, an insulator (“dielectric ... We concluded the low load resistance brings high frequency range.

  리포트 | 11페이지 | 5,000원 | 등록일 2019.07.23

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  Effect of a Multi-Step Gap-Filling Process to Improve Adhesion between Low-K Films and Metal Patterns

  한국재료학회 Woojin Lee, Tae Hyung Kim, Yong-Ho Choa

  논문 | 3페이지 | 3,000원 | 등록일 2016.10.11 | 수정일 2023.04.05

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  [전공면접] 삼성전자 하이닉스 취업, PT면접대비 반도체 정리 자료

  기타 질문- Low K는 왜 쓰는가? : 선과 선 사이에 기생 cap 양을 줄이기 (칩의 영역에서)- Hi-K는 왜 쓰는가? ... cell capacitor dielectric leakage, GIDL,cell tr off-leakage, cell junction leakage누설 전류 해결 방안 : 초미세 유전막 ... SRAM- 1 Cell당 6 트랜지스터- 휘발성- 전력 소모가 많음 (트랜지스터 구동 수가 많음)- 전원이 들어오면 영구적인 보존- 집적도가 낮음- 가격이 비쌈- 캐시로 사용- 읽는

  자기소개서 | 8페이지 | 3,000원 | 등록일 2016.05.19 | 수정일 2017.10.10

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  반도체란(반도체의 구성과 Type별 설명)?

  Low threshold voltage - The Channel generated from Low voltage High Melting point Thin-film formation ... Silicon Oxide is Insulator And also It is dielectric substance - Formation of electrodes make channel ... 그러나 , 트랜지스터의 소형화 추세에서 Silicon Oxide 의 두께가 2nm 이하가 되면 서 게이트 절연막을 집적 터널링하는 전자에 의한 누설 전류의 급격한 증가가 발생 High-K

  리포트 | 4페이지 | 2,000원 | 등록일 2013.06.30

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  Low-k 물질의 최근 동향

  Low-k Dielectric 기술동향low-k 유전체는 copper 배선과 더불어 디바이스 속도를 보다 빠르게 하고 첨단 디바이스의 상호간섭(crosstalk)을 저감해 줄 수 있는 ... 안정성이 우수하고, 撚度가 높아 단단하고(hard) 깨지기 쉬운( fragile) silicate film이다두 번째 유형은 tough/soft하며 열적 안정성이 양호한 유기재료이다. low-k ... 상당한 어려움을 주고 있는데, resist poisoning, CMP 공정 중 adhesion 및 실질적인 공정변화 등이 통합에 따른 문제로 등장하고 있다.차세대 ultralow-k

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2002.05.18

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  반도체 공정 프로젝트

  Related to the low dielectric value is the "effective" dielectric constant, which is a composite dielectric ... Multi-application suitability? Multi-purpose use? Lowretained for particular, k? ... Desirable characteristics of barrier/etch stop/ARCAnti-Reflective Coating Indexes, k?

  리포트 | 13페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.06.23

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  Basic Logic Circuit Design

  Other metal gates have made a comeback with the advent of high-k dielectric materials in the CMOS process ... input, whose emitter current is limited to avoid the slow saturation region of transistor operation. ... ; as a result, the transistors change states quickly, gate delays are low, and the fanout capability

  리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2012.11.27

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  Si pnp 또는 npn BJT의 평형 에너지대역도를 그리는 MATLAB 프로그램

  T*log(NE/ni)) (-sB*k*T*log(NB/ni))];Ei_collector = [(sB*k*T*log(NB/ni)) (-sC*k*T*log(NC/ni))];Vbi = [ ... ;if WxE) % Adjust the x-axis for optimum looking plotHIGH_X = 1.5;LOW_X = xC/xE;elseHIGH_X = xE/xC;LOW_X ... 11.8; % Dielectric constant of Si at 300Kni = 1.0e10; % intrinsic conc. of Silicon at 300KEG = 1.12;

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.10.13

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  Atomic _badtags Deposition

  현재 반도체 소자제작에 있어 process적으로 혹은 물리적 특성상 한계에 다다른 공정에 우선 적용 될 예정이며, 그 예로는 단차피복성을 확보한 극 박막의 고유전막 (high-k material ... ), 확산방지막 (diffusion barrier), 게이트 절연막 (gate dielectrics) 등을 들 수 있다. ... ALD 기술은 주로 매우 얇은 박막을 증착하는 데 이용되며 gate dielectric이나 DRAM에서의 capacitor 등을 증착하는 데에 주로 이용되고 있다.

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.05.31

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