"MMIC Device" 검색결과 1-9 / 9건

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  RFIC 설계및실험 중간

  Type of MMIC Device : Active DeviceExamples : GaAs MESFET, GaAs HEMT, GaAs HBT, Si-BJT, SiGe HBT, Si-CMOS ... , InP HEMT, IMPATT, PIN etc.→ Active devices amplify signals and have varying degrees of linearity.→

  리포트 | 14페이지 | 2,500원 | 등록일 2023.06.22

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  [안테나공학]무선 통신 안테나 현황 조사

  Labels) 구현제품(아) AIP(Antenna in Package)Bluetooth, WLAN, UWB, Zigbee 등과 같은 단거리 무선 데이터통신용 안테나의 경우 실리콘 기판위에 MMIC ... 그리고 자동화 공정을 활용한 생산이 가능하여 대량생산이 가능하고, 품질관리가 쉽다.MID(Molded Interconnect Device) 구현형태(사) IML(In-Mold Labels ... 4 크기에 불과 하지만 광대역과 고 이득을 실현할 수 있는 장점이 있다.칩 안테나자료: “이동통신용 안테나 시장 동향”, 알앤디비즈, 2006■ SMD(Suface Mounted Device

  리포트 | 21페이지 | 2,500원 | 등록일 2013.11.01

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  HEMT의 정의와 기술 동향 모든것[High Electron Mobility Transistor, 통신용 초고속 반도체 소자]

  본론⑴ HEMT 제작과정⑵ HEMT와 다른 device의 비교⑶ Devices of HEMT1) 통신용 초고속 반도체 소자 - GaAs 집적회로와 HEMT2) 고저로 도핑한 오믹층을 ... 초고속 반도체 소자 - GaAs 집적회로와 HEMT)Ⅲ-Ⅴ 복합물 반도체는 DBS(Direct Broadcast satellite), MMIC(Microwave Monolithic ... 따라서 적합한 device를 사용하는 것이 중요한 일이 될 것이다.

  리포트 | 17페이지 | 2,500원 | 등록일 2009.02.17

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  소자 모델링 실험-예비보고서

  이러한 대신호 등가모델을 추출하고 연구하는 과정을 흔히 device modeling이라고 부른다.MOSFETMOSFET이 Saturation이 될 조건은이 조건을 다음과 같이로 명확하게 ... 소신호 트랜지스터 모델을 이용하는 경우는 주로 MMIC나 RFIC에서 소신호 회로 설계를 위한 용도로 사용된다. ... MMIC내에서는 Tr을 여러개 묶어서 사용해야 하는 경우가 많기 때문에 소신호 등가회로 모델을 사용하는 것이 더 편하다.소신호모델은 신호가 작아서 완전히 선형적인 동작만을 하고 있다는

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.03.27

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  LNA_Design_Method(소자선택, DC bias 회로, BPF와 비교, LNA기본원리, 동작원리, LNA 설계)

  DC bias 회로 설계LNA MMIC(고주파 단일 집적회로) bias 공급 방법 External biasing : 외부에서 직접 필요한 바이어스를 공급 외부에서 inductor를 ... 소신호 증폭기 중 가장 대표하는 Device로써 잡음을 최소화시키는 Amplifier 송신된 신호신단 에서 받고 송신과정 중 Channel 에서 유입된 불필요한 잡음신호를 최소화 시킴 ... 갖는 LNA를 장착 Noise factor 입력과 출력단에서의 Signal to Noise ratio Load 저항에 independent, Source 저항에 dependent, Device

  리포트 | 19페이지 | 5,000원 | 등록일 2009.01.13 | 수정일 2021.03.11

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  CVD이론

  CVD의 응용범위는 반도체와 같은 microelectronic devices의 제조에서 부터 보호막의 코팅에 이르기 까지 매우 다양하다.보통의 CVD 공정에서는, 상온의 반응기체(일반적으로 ... 그러므로 MMIC는 모든 능동소자와 수동소자들이 하나의 기판위에서 다 구현된 회로형태를 지칭하는 말이다. ... MMIC는 현재 레이더뿐만 아니라 위성통신 및 이동통신의 RF 부품으로 그 사용 영역이 넓어지고 있는 마이크로파 시스템의 핵심기술이다.

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.06.14

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  [전파,전자] GaAs를 이용한 반도체 소자

  구조- BJT와 GaAs 재료의 두가지 장점을 포함- Hetero-material devices- energy bandgap engineering device2. ... ..PAGE:1RFIC & MMIC DESIGN석사 3학기 조 호 식석사 1학기 박 광 수지 도 교 수 김 남 영..PAGE:2ContentsGaAs(Gallium Arsenide) ... 이동에 의해 전류가 발생(확산이 일어나지 않음)물리적 특성으로 인해 게이트 길이를 짧게 만드는 것이가능하여 높은 주파수에서 유리하게 동작함초고주파 대역에서 저 잡음과 높은 전력 MMIC에

  리포트 | 24페이지 | 1,000원 | 등록일 2002.04.25

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  [HJBT] HJBT

  그리고, milli wave device로서의 HBT응용의 가능성을 찾기 위해서, HBT를 이용한 mixer와 주입 동기발진기를 시작하였다.V대 HBT-MMIC mixer회로 형식은 ... 시작된 V대 MMIC mixer의 chip사진을 그림 11에 나타낸다. Chip mixer는 1.25mm × 0.7mm 이다. ... 응력 변형을 일으키게 된다.틱 mold한 wire bond 형식을 이용하면서 최종단 정합 회로도 집어 넣은 저 cost, 소형 size를 실현하고 있다.HBT power amp MMIC

  리포트 | 27페이지 | 1,500원 | 등록일 2002.06.13 | 수정일 2018.01.08

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  [재료,금속] solder(땜납)

  이러한 기능으로 인하여 고속 RAM, ASIC, CPU, RF MMIC 등의 패키지 형태로 적용이 가능하고, 낮은 위에 금속층을 형성시키는 과정에서 접착력 향상을 향상시키고, 금속/ ... 공정을 이용하여 일괄 process를 적용할 수 있고, 최소한의 interconnection path를 이룰 수 있어서 고주파 및 high I/O device에 적용이 가능하므로 고기능

  리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2002.12.19

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