"Ni buffer layer" 검색결과 1-12 / 12건

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  Cu/buffer layer/polyimide 시스템에서 Cr, 50%Cr-50%Ni 및 Ni 버퍼층에 따른 접착력 및 계면화학

  한국재료학회 김명한

  논문 | 6페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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  Cu/Ni/Polyimide 시스템의 접착력 및 계면화학반응

  한국재료학회 최철민, 채홍철, 김명한

  논문 | 5페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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  Design Project for LED fabrication process- 조명 White LED 제작 공정

  TMG : 40 μ mol/min * 모든 공정에서 같은 흐름 NH 3 : 4 L/min H 2 : 1 L/min 510 - 550℃ 25nm GaN buffer 1000 - 1020 ... : 10 L/min TMG 와 NH3 가 반응하여 GaN 이 형성되는 반응식EPI 성장기술 Deposition 속도 : 400Å/min 시간 : 약 50 분 2000nm GaN buffer ... , Glycerin 7 Scribing/BreakingCHIP PROCESS Equipment PECVD 투명전극 Au / Ni 증착 특징 높은 전도도 투과성 P 형 질화물 반도체에

  리포트 | 39페이지 | 3,000원 | 등록일 2014.03.26

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  Sodium ion battery, 소듐 이온 배터리, 나트륨 이온 배터리의 현 주소, 2014 논문 정리

  - Longer bond between alkali metal-Oxide - Stronger repulsion of oxygen in NaO 6 layer = Fast diffusion ... Olivine NaFePO 4 : Partially reversible No new phase : Effectively buffer volumetric change during sodiation ... 0.25 Fe 0.5 Mn 0.25 ]O 2 )EMS+FEC/ C-Fe 3 O 4 / NFM Cathode : NFM ( Na[Ni 0.25 Fe 0.5 Mn 0.25 ]O 2 )

  리포트 | 24페이지 | 2,000원 | 등록일 2014.12.11

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  PCB 공정학 이론

  FOWLP는 반도체 공정을 이용한 것으로 Molding을 먼저 하는 Mold first process와 RDL 층을 먼저 만드는 RDL(Redistribution Layer) fist ... ENIG는 무전해 Ni / Cu 도금이지만 100% 무전해 Ni 도금이 불가능하기 때문에 Ni-P / Ni-B / Ni-N 등의 공석을 이용해 도금한 한다.2probe 방식과 4probe ... 그러나 NaOH를 도금액에 넣을 시 pH변동이 심하므로 pH완충제(Buffer용액)도 병용해야 한다. pH완충제는 약산(아세트산, CH3COOH)과 알칼리 금속염(Na, K)으로 도금액

  시험자료 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2016.06.24 | 수정일 2022.10.17

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  Design project for LED fabrication process-조명 white LED 제작 공정

  이 층은 25nm GaN nucleation layer, 2000nm undoped GaN buffer, 1500nm thick GaN:Si n-contact layer, 2nm InxGa1 ... 각 공정의 세부 사항8a) 투명전극 Au/Ni 증착8b) Photolithography 8c) Etching8d) n형 전극 형성 9e) p형 전극 형성9f) Lapping/polishing9g ... 이 조건에서 GaN layer의 성장속도는 400Å/min이다. 우리는 2000nm 두께의 GaN layer를 만들어야 하므로, 약 50분 동안 성장시킨다.?

  리포트 | 14페이지 | 3,000원 | 등록일 2014.03.26

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  화합물 태양전지

  layer (CdS) p-type CuInSe2 와 n-type ZnO 사이 높은 격자 상수 차이 양호한 접합을 위한 layer 2.42 eV 밴드갭Window layer (ZnO ... 광투과율 (80%) 낮은 전기저항 (10-4 Ω∙cm)  Al, B dopingCuInSe2 의 구조방사 방지막과 전극 태양광 반사 손실 감소시 약 1% 의 태양전지 효율 향상 Ni ... 함으로 밴드갭 조절 가능 ( CuGaSe2 – 약 1.5eV 의 밴드갭) Ga, S, Na(glass 로 부터 확산) 를 포함 최대 6원계 화합물복잡한 제조 공정CuInSe2 의 구조Buffer

  리포트 | 16페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.08.25

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  [금속재료공학]FCCL

  그래서 buffer layer로 크롬과 니크롬을 넣어 부착력을 상승시킨다. ... PI 필름 위에 buffer layer로 Cr(sputter) / Cu(Sputter) / Cu(도금)(50W, 45sec, 10nm)? ... PI 필름 위에 buffer layer로 NiCr(sputter) / Cu(sputter) / Cu(도금)(50W, 4.5sec, 10nm)?

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.12.08

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  [Nano] Growth of GaN nanorods by chemical vapor deposition

  SEM images of GaN nanostructuresLeft (buffer layer) : A-5cm, B-8cm, C-10cm, Right (No buffer layer) : ... 만약 승온 속도가 느렸다면, Ni은 masstransport 보다는 surface reaction 이 지배적이기 때문에 GaN위에서 Ni이 응축이 잘Fig 3. ... 즉, 승온 속도에 따라서 Ni-tip의 크기가 결정될 것이다.

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.12.22

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  [생물학 실험] Gel filtration chromatography, SDS-PAGE를 이용한 단백질의 분리 정제

  Imidazole의 구조가 histidine의 구조와 비슷하기 때문에 buffer내에 imidazole의 양이 많아지게 되면 histidine과 Ni2+과의 interaction이 ... tetramethylenediamine (TEMED),am(pH 8.8)에 있는 Tris같은 amine 계열이다.separating gel이 polymerized된후에, second, small layer ... resin이 Ni-NTA이다.

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.03.04

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  [백색LED]고휘도 백색LED의 기술내용과 시장동향 응용분야

  투명전극(transparent electrode)은 Ni와 Au으로구성되어 있으며, p층에 전류를 골고루 전달하여발광면적을 증가시키고 빛의방이 결정되는 활성층(active layer ... 그밑에는 GaN이 버퍼(buffer)층으로 존재하는데, 결정성장시 격자부정합을 줄이는 역할을한다.마지막으로 맨 밑은 결정성장의 기판으로 사용되는사파이어 (sapphire, Al2O3

  리포트 | 13페이지 | 1,500원 | 등록일 2006.07.09

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  YBCO초전도체 제조를 위한 CeO2버퍼레이어 제조

  IntroductionCeO{`_{ 2 }buffer layer는 sol-gel dip coating process에 의해 Ni 기판위에 증착되었다. ... 증착과정 중 열처리 시간을 달리 하여 가장 좋은 특성을 보이는 buffer layer의 열처리 시간을 찾았다. ... of CeO2 buffer layersfabricated on Ni substrates via sol-gel methodfor YBCO Coated ConductorC.H.

  논문 | 20페이지 | 3,000원 | 등록일 2004.12.01

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