"Plasma ion nitriding" 검색결과 1-20 / 46건

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  플라즈마 이온질화에 의한 Fe 나노분말소결체의 표면경화 가능성 연구 (A Feasibility Study on the Surface Hardening of Sintered Iron Nanopowder by Plasma Ion Nitriding)

  한국분말야금학회 윤준철, 이재성

  논문 | 6페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.01 | 수정일 2023.04.05

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  반도체 공정 관련 내용 정리 리포트

  desntiy 높일 수 Film 성질에 따라 분류 : Oxide CVD(SiO2, SION) Nitride CVD(SiN) Metal CVD(W, Ti, TiN, Cu)Wafer ... 기준)Loading effect : 1)pattern density 차이 2)pattern pitch 차이Dielectric 차이 : 1) SiO2(oxide) 2) Si3N4(Nitride ... 전압bias 에 상관없이 gate 전압에 의해 결정Pattern 형성 공정 : PHOTO, ETCH, CMP박막형성 공정 : CVD/PVD, DIFUSSION불순물 주입 공정 : ION

  리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.03.12

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  [반도체공정]Thermal Process 열공정 레포트 및 문제풀이

  질소 가스의 경우 nitric oxide를 사용하여 thermal nitridation를 할 때 사용되거나 plasma nitridation에 사용된다.7. ... 그러나 Cl 농도가 너무 높으면 여분의 Cl ion이 디바이스의 안정성에 영향을 주게 된다.요구되는 산화막 두께에 도달한 후에 웨이퍼를 고온에서 어닐링 시킨다. ... 같은 금속 불순물에 대한 barrier가 되지 못함. 1200℃ 이상에서 작은 입자 형성 contaminationSiC : quartz의 대체재로 열 안정성이 더 높고 mobile ion에

  리포트 | 16페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.09.25

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  PECVD 공정

  weaponry Ion implantation Ion thruster Plasma ashing Plasma CVD Plasma etching Plasma arc waste disposal ... ions Increasing ion bombardment tends to make films denser and cause the film stress to become more ... PE SiH a Si(OC 2 H 5 ) 4 → SiO 2 + decomposition productsSilicon Nitride Film - a popular insulating

  리포트 | 24페이지 | 3,000원 | 등록일 2018.06.15

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  반도체 공정_CVD (메카니즘, 종류, System, Future)

  most widely used Mask for selective implantation Insulator between the layers Barrier of moisture and ions ... HDPCVD Thermal CVD Plasma CVD F. Growth control of CVD A. Application CVD? B. The future of CVD C. ... Low Pressure process Increase in diffusion of reaction gas Deposition of silicon dioxide , silicon nitride

  리포트 | 21페이지 | 3,000원 | 등록일 2013.12.01

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  ETCHING

  원통형 플라즈마 식각기 (Barrel Plasma Etcher) 20 등방성 Wafer 의 물리적 sputtering 이 아니기 때문에 plasma 손상 최소화 → 화학적으로 거의 ... Negative Electrons Positive Ions 7 Basic Mechanism Plasma flowing gas Film 1. ... 넓은 공정 범위 38 성공적인 건식 식각 조건 Dielectric Dry Etch ( 유전체 건식 식각 ) 질화물 (Nitride) 산 현상액의 공격 , 표면 결함 ) 6.

  리포트 | 56페이지 | 5,000원 | 등록일 2012.12.24 | 수정일 2013.11.17

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  sputtering(스퍼터링)

  박막을 제작할 때 stoichiometric oxide나 nitride, sulfide 등이 필요한 경우 Sputtering 가스에 O2 나 N2 H2S등을 첨가하여 Sputtering을 ... 전자의 질량은 이온의 질량보다 훨씬 작기 때문에, 플라즈마 중에서의 전자의 이동도는 이온의 이동도보다 크다. ... 이처럼 ion이 물질의 원자간 결합에너지 보다 큰 운동에너지로 충돌할 경우 이 ion 충격에 의해 물질의 격자 간 원자가 다른 위치로 밀리게 되는데 이때 원자의 표면 탈출이 발생하게

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.12.01

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  건식식각공정

  인가파워 전달 효율이 상대적으로 낮지만, 아주 균일한 플라즈마 형성 가능ICP( Inductively - Coupled Plasma)코일에 교류전압 인가, 플라즈마로 파워 전달전극이 ... 생성 : Gas 분자가 이온화 거쳐 활성화 된 이온과 Radical을 생성하는 단계이다.반응입자의 이동 : 반응입자중 Radical은 확산에 의해서, Ion은 전계에 의해서 가속되어 ... 예를 들어 동일한 조건에서 Etch를 할 경우 산화막(Oxide)의 식각률이 5000Å/Min이고 질화막(Nitride)의 식각률이 1000Å/Min이면 이 두 막질간의 선택비는 5

  리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2013.05.21

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  DV-Xα 클러스터 계산법에 의한 Fe4N의 전자상태계산

  한국재료학회 송동원, 이인섭, 배동수

  논문 | 4페이지 | 3,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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  박막증착 공정과 식각 공정 자료입니다.

  The location of.12 is very similar to a simple reactive ion etch system, a parallel-plate plasma reactor ... In a sputtering application, however, the plasma chamber must be arranged so that high energy ions strike ... Low pressure CVD (LPCVD) of polysilicon and silicon nitride is widely used in silicon technologies.

  리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.06.23

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  건식식각

  (Inductive coupled plasma-reactive ion etching) 유도 결합형 플라즈마 - 반응성 이온 에칭 유도 결합형으로 생긴 고밀도 플라즈마를 소스원으로 하는 ... 결합 이온화 원자와 반응 가스를 다양한 반도체 , 금속 , 산화물 , nitrides 및 기타 재료를 에칭하는 능력의 플라즈마를 만드는 고주파 에너지를 (RF) 이용한 드라이 에칭 ... 않음 식각율이 높고 , 표면손상의 감소 장비구성이 간단하며 대면적화가 용이 플라즈마가 넓고 uniform 하게 형성되어 대구경화에 적절 이온을 가속시키지 않음으로써 ion 충격에

  리포트 | 25페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.06.13

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  드라이에칭

  (Inductive coupled plasma-reactive ion etching) 유도 결합형 플라즈마 - 반응성 이온 에칭 유도 결합형으로 생긴 고밀도 플라즈마를 소스원으로 하는 ... 결합 이온화 원자와 반응 가스를 다양한 반도체 , 금속 , 산화물 , nitrides 및 기타 재료를 에칭하는 능력의 플라즈마를 만드는 고주파 에너지를 (RF) 이용한 드라이 에칭 ... 않음 식각율이 높고 , 표면손상의 감소 장비구성이 간단하며 대면적화가 용이 플라즈마가 넓고 uniform 하게 형성되어 대구경화에 적절 이온을 가속시키지 않음으로써 ion 충격에

  리포트 | 25페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.06.02

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  플라즈마, Chemical Vapor Deposition 와 Physical Vapor Deposition

  to be deposits atomistically on a suitably placed substrate. ( Chemical Vapor Deposition of Silicon Nitride ... The Sputter yield depends on (a) the energy of the incident ions (b) the masses of the ions and target ... electrons Reflected ions neutral + surfaceSputtering Deposition Process Ions are accelerated into target

  리포트 | 28페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.06.18

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  이온질화처리된 Inconel 625 합금의 기계적 성질 및 마모 특성에 관한 연구

  한국기계기술학회 최인표

  논문 | 7페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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  Investigation on TiN+WC prepared by AIP and Magnetron sputtering

  이를 위해, 근년에는 국내에서 금형표면에 경질물질을 Coating하는 방법이 광범위하게 적용되어 왔으며, 그와 더불어 금형표면에 Arc Ion Nitriding/Coating 처리를 ... 하는 Duplex 처리법이 개발되었으나, 일반 Arc Ion Nitriding 처리법으로는 화합물 층(백색층)의 생성을 완전히 억제하는 것이 현실적으로 불가능하므로 경질물질을 Coating하기 ... 10Cooling(fix.)Furnace coolingH2 : NH3 gas ratio(fix.)4 : 1Process pressure(fix.)1 torr2.3 시편분석Plasma

  리포트 | 16페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.07.07

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  PVD와 CVD

  Ar이 excite되면서 전자를 방출하면, 에너지가 방출되며 이 때 glow discharge가 발생하여 이온과 전자가 공존하는 보라색의 plasma를 보인다.Plasma 내의 Ar ... Photo CVD 저온공정(Si₃n₄: photo nitride) De 모든 파장을 커버할 수 없기 때문에 일부 재료에서만 사용가능Plating 열속도보다도 큰 운동에너지로 가속된 ... CVD) 장점 탁월한 순도, 균일도 탁월한 step overage 단점 High temperature Low deposition rate 적용 High temp oxide Si nitride

  리포트 | 22페이지 | 2,500원 | 등록일 2009.10.27

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  진공증착 (Sputtering)_pre

  플라즈마플라즈마란 ‘partially ionized g ... Ti은 화학적으로 매우 반응을 잘하는 물질이며, 그 흡착된 film은 쉽게 다른 가스와 결합하여 그것들을 titanium hydride, oxide, 그리고 nitride 같은 고체화합물로 ... torr-oil diffusion pump-cryopumps-cryotrap-turbomolecular pump1×10-8 torr이상-titanium sublimation pump-ion

  리포트 | 9페이지 | 5,000원 | 등록일 2011.06.10

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  박막 증착에 관한 진공장비(시스템) 소개 및 원리 숙지

  상태의 압력, 분자 밀도가 2.5*1019 분자/CM3 이하를 말하며 압력 차에 의한 힘의 발생, 극 청정 환경 제공, 단열효과, 입자의 장거리 비행가능, 증발과 승화작용, 안정된 플라즈마를 ... Getter pump티타늄(Ti)과 같이 화합물 형성이 쉬운 물질을 필라멘트나 덩어리 형태로 가열하여 진공 펌프 벽에 증착하면, 펌프내로 들어온 가스와 hydride, oxide, nitride ... atomshigher enery atomshigh vacuum path-few collisions-line of sight deposition-little gas in filmlow vacuum, plasma

  리포트 | 21페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.04.21

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  박막의 제조방법

  플라즈마 보조 PVD(Plasma Assisted PVD)의 분류① DC 과정(가) 다이오드 스퍼터링(Diode Sputtering)(나) 삼극 스퍼터링(Triode Sputtering ... 분류① Thermal decomposition (or pyrolysis) 반응② Reduction 반응③ Oxidation and Hydrolysis 반응④ Carbides 와 Nitrides를 ... Plating)(1) 열증발(Thermal Evaporation)(2) 이온빔 증발(Ion-beam Evaporation동시간을 줄일 수 있다.

  리포트 | 52페이지 | 3,000원 | 등록일 2006.12.06

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  PVD와 CVD의 비교 및 분석

  Plasma CVD3. ... Uncoated toll 보다 크게 우세하고 산업에의 적용성이 빨라진 Titanium carbide와 Titanium nitride CVD-coated carbide toll4. ... -CVD공정의 개요외부와 차단된 반응실 안에 Substate를 넣고 Gas를 공급하여 열, 플라즈마, 빛, 에너지 등에 의하여 열분해를 일으켜 기판의 성질을 변화시키지 않고 Solid

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.05.15

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