"PoRAM" 검색결과 1-18 / 18건

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  PORAM(Polymer RAM) 의 동작 특성 및 특징

  * PoRAM의 구조PoRAM (Polymer RAM)이란? ... * 기존의 DRAM 과의 비교PoRAM의 종류PoRAM단분자 PoRAM저분자 PoRAM고분자 PoRAMUCLA typeIBM typeIon concetration 제어 typeCharge ... PoRAM* 재료 예시 2 - α-NPD/ Al n-C/ α-NPD저분자 PoRAM고분자 PoRAM(1) Charge transfer complex Type - Cross-point

  리포트 | 41페이지 | 2,000원 | 등록일 2006.12.01 | 수정일 2021.08.12

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  차세대 반도체 메모리 소자와 ReRAM의 메커니즘과 응용 실험 레포트

  PoRAM의 구조PRAMPRAM은 Flash memory에 비해 빠른 동작 속도 및 높은 집적도와 같은 많은 장점을 갖는 차세대 비휘발성 메모리 소자이다. ... 스핀 전달 토크(STT) 도식도PoRAMPolymer Random Access Memory(PoRAM)은 그림1과 같이 상부전극과 하부전극이 교차하는 영역에 단분자, 저분자, 고분자 ... Ioff(고저항상태) 전류 변화가 100배 이상 발생하는 bistable 전기적 소자 특성을 메모리 소자로서 응용한 비휘발성 메모리 소자이며 모든 유기소재를 적용한 소자를 통틀어 PoRAM이라고

  리포트 | 7페이지 | 2,500원 | 등록일 2021.11.08

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  [반도체 공정 A+] 차세대 메모리 기술 레포트

  고분자 PoRAM 구조PoRAM은 단순한 1R 구조로서 제조 공정이 단순하고 기존 CMOS 공정과 정합이 간단하여 다른 차세대 비휘발성 메모리 소자에 비해 initial feature ... 반도체 공정Future Memory Technologies 레포트제출일 : 2018년 00월 10일00공학과000• PoRAM(Polymer Random Access Memory)Polymer ... Random Access Memory(PoRAM)은 그림1과 같이 상부전극과 하부전극이 교차하는 영역에 단분자, 저분자, 고분자 bistable 전도성 유기 소재가 존재하는 1R구조를

  리포트 | 11페이지 | 3,500원 | 등록일 2018.12.07 | 수정일 2021.11.08

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  비휘발성 차세대 메모리에 대해 조사

  PoRAM (Polymer RAM : 폴리머램)폴리머 램(PoRAM)은 폴리머의 가변 정류특성을 응용하여 정보를 저장하며 도너(donor)/억셉터(acceptor complex) 폴리머에서 ... Ferroelectric RAM : 강유전체램), PRAM (Phase Change RAM : 상변화램), NFGM (Nano Floating Gate Memory : 나노튜브램), PoRAM

  리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2011.12.08

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  [Ayeun] 마이크로프로세서응용 2주차 예비보고서 마프(cpu,메모리,명령어구조,MPU,MCU,ATmega128)

  메모리(MRAM, Magnetoresistive Random Access Memory) 전압을 가해줬을 때 스핀의 방향에 따른 자기 저항 효과로 데이터를 저장한다.유기저항 메모리(PoRAM

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2018.12.22

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  [공학]차세대 비휘발성 메모리 소자.

  저분자 PoRAM은 write/ ... 및 고분자 PoRAM 소자의 3가지 유형으로 분류할 수 있다. ... complex 타입과 강유전성 타입으로 분류된다.(2) PoRAM의 핵심기술 개발방향64기가비트급 PoRAM 개발에 있어 첫째로 재료측면의 개발해야할 과제는 Ion/Ioff 비율이

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.03.28

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  차세대 비휘발성 메모리

  GST적용 PRAM의 (a) set과 reset 및 reading동안의 온도분포와 (b) resistance 구조.PoRAM(Polymer RAM: 폴리머 램)(1) PoRAM의 개요PoRAM은 ... 서 론기술 동향FeRAM(Ferroelectric RAM: 강유전체 램)MRAM(Magnetic RAM: 강자성 램)PRAM(Phase Change RAM: 상변화 램)PoRAM(Polymer ... 또한 기가비트급 이상 집적화시 발생하는 cross-talk 문제를 최소화시킨 저전력 회로설계 및 다중비트 PoRAM회로 설계도 필요하다.(a) (b)그림 6.

  리포트 | 12페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.06.20

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  비휘발성 메모리

  Report비휘발성 메모리1. 이상적인 비휘발성 메모리최근 정보통신 산업의 눈부신 발전으로 인하여 각종 메모리 디바이스의 수요가 급증하고 있다. 현재 메모리는 크게 두 종류가 있는데 하나는 휘발성 메모리이고, 다른 하나는 비휘발성 메모리로 분류된다. 휘발성 메모리는 빠..

  리포트 | 14페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.10.25

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  초국적 미디어의 소비와 수용 (태국)

  .○ 트위터에 @iWhale로 알려진 태국인 Poramate Minsiri 씨는 포털싸이트 thaiflood.com을 만들어 홍수 피해자와 관련된 각종 뉴스와 정보를 업데이트하고 지원금을

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2013.04.16

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  [예비레포트] Landau-Lifshitz-Gilbert(LLG) 식을 이용한 자기거동분석 [신소재공학실험3]

  차세대 메모리로 유력하게 대두되고 있는 소자는 PRAM(PhasechangeRAM), NFGM(nanofloatinggate memory), ReRAM(resistanceRAM), PoRAM

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.01.18 | 수정일 2021.02.01

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  자기저항 , 스핀전달토크에 의한 자화반전 및 세차운동의 원리 및 소자응용 가능성, Runge-Kutta 방식, LLG식.

  차세대 메모리로 유력하게 대두되고 있는 소자는 PRAM(PhasechangeRAM), NFGM(nanofloatinggatememory), ReRAM(resistanceRAM), PoRAM

  리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.03.17

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  ReRam,RRAM,저항메모리 기능과메카니즘

  최근 1TRS에 따르면 차세대 메모리로 유력하게 대두되고 있는 소자는 PRAM, NFGM, ReRAm, PoRAM, MRAM 분자전자 소자등이 있다.2. ReRAM이란?

  리포트 | 6페이지 | 3,000원 | 등록일 2009.03.07

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  Programmable Metallization Cell memory, pmcm메모리

  1. PMCM의 특징 및 작동 원리 PMCM(Programmable Metallization Cell memory)은 근본적으로 현재의 모든 메모리 기술과 최신기술로부터 출발한다.PMCM은 비휘발성 저항특성을 얻기 위해 Ag또는 Cu가 첨가된 칼코게나이드 유리질을 사..

  리포트 | 15페이지 | 2,500원 | 등록일 2009.10.18

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  RRAM 페로브스카이트 동작원리 Resistance Random Access Memory

  메모리로 유력하게 대두되고 있는 소자는 PRAM (phase change RAM), NFGM (nano floating gate memory), RRAM (resitance RAM), PoRAM

  리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.03.31

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  차세대 메모리

  Report비휘발성 메모리학과 : 물리학과이름 :학번 :1. 이상적인 비휘발성 메모리최근 정보통신 산업의 눈부신 발전으로 인하여 각종 메모리 디바이스의 수요가 급증하고 있다. 현재 메모리는 크게 두 종류가 있는데 하나는 휘발성 메모리이고, 다른 하나는 비휘발성 메모리로..

  리포트 | 14페이지 | 3,000원 | 등록일 2005.06.15

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  [전자재료] 고분자 메모리

  비휘발성(3) 차세대 RAM 후보- PRAM(Phase-change RAM)- NFGM(Nano Floating Gate Memory)- ReRAM(Resistive RAM)- PoRAM

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.04.01

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  메모리 반도체 소자의 분류와 특성, 경향

  메모리로 유력하게 대두되고 있는 소자는 PRAM(Phase Change RAM), NFGM(Nano Floating Gate Memory), ReRAM(Resistance RAM), PoRAM

  리포트 | 20페이지 | 1,500원 | 등록일 2006.11.24

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  [정보통신] 10대 차세대 성장동력산업

  차세대 메모리 : 기존 Flash메모리의 비휘발성, SRAM의 고속동작, DRAM의 고집적성 보다 향상된 성능과 더 낮은 소비전력 특성을 가 져야함- RRAM, MRAM, PRAM, PoRAM

  리포트 | 16페이지 | 2,000원 | 등록일 2003.12.24

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