"Poly Si" 검색결과 1-20 / 400건

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  4,5주차 a-Si TFT, Poly Si TFT, Oxide TFT 측정 및 Optical band gap (정보디스플레이학과 AMD실험 보고서)

  실험 목표a-Si, Poly-Si, Oxide TFT 의 I-V 특성을 직접 측정하여, Active layer 에 따른 특성을 분석해본다. ... TFTs sample: a-Si TFT, Poly-Si TFT, IGZO TFT 와 같이 다양한 종류가 있으며, 실험실에서 직접 디자인된 다양한 Mask pattern 을 가지고 있다 ... Poly glove: 맨손에는 유기물이 많이 묻어있으므로, 이들이 TFT 에 영향을 주지 않게 하기 위해 비닐장갑을 사용해야 한다.5.

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.02.19 | 수정일 2021.03.20

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  Dopant가 주입된 poly-Si 기판에서 Ta-silicides의 형성 및 dopant 의 거동에 관한 연구

  한국재료학회 최진석, 조현춘, 황유상, 고철기, 백수현

  논문 | 6페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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  A cross-linking poly(urethane acrylate) binder for Si negative electrode in Li-ion batteries (LIBs)

  한국유화학회 Suk-Yong Jang

  논문 | 6페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.05.03 | 수정일 2023.04.05

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  [LCD실험]a-Si, Poly Si, TFT 특성 측정

  a-Si, Poly Si, TFT 특성 측정1. ... : 외부 광원에 의한 Photo current 때문에 암실에서 측정을 한다.B. a-Si과 Poly-Si TFT의 특성을 비교하라.: a-Si과 poly-si TFT를 비교하면 다음 ... 실험장비a-Si (5000A)Poly Si (1000A)nanocrystal-Si (2000A)TFT sample&Reference glassUV-Vis spectrometer[probe

  리포트 | 8페이지 | 6,000원 | 등록일 2012.07.11

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  Poly SI 기술 Report

  surface space charge의 characteristic penetration depth라면 식(2)의 drain current는dose량이 적을 경우 , Lc ~t,, poly-Si의 ... P-Si 기술 Report1. a-Si TFT LCD 모듈 : Gate IC와 Source IC가 외부로 드러나 있어 유효면적이 크고,edge area가 넓어짐PCB와 panel간 ... Top-Gate 구조장점 : 구동 회로를 위한 CMOS 형성LDD 구조 형성에 의한 누설 전류 특성 향상저장 capacitor가 Gate bus층과 doped active Si층 사이에

  리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2007.10.06

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  Poly-Si 결정화 방법

  ▀ ▄ Poly-Si 결정화 방법아래에서는 다결정 실리콘 박막을 제작하는 대표적인 방법들을 소개하려 한다. 주로 비정질 실리콘 박막을 유리 기판에 여러 가지 방법으로 증착한다. ... 있음) 따로 anneal-out 해야 하는 공정이 필수적이다.As deposited poly-Si : 다결정 실리콘 박막은 580℃ 이상, 0.1~ 0.2torr의 압력 하에서 직접 ... poly로 바꿀 수 있다.

  리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.10.02

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  [디스플레이공학] TFT-LCD a-Si:H, Poly-Si의 전기적특성 및 광학적 특성 분석

  Poly-SiSubthreshold Voltage a-Si:HSwing Factor Poly-SiSwing Factor a-Si:HDrain Voltage 값Vth (poly-Si ... :H, Poly-Si, Crystal-Si, Nano-Si]a-Si:H 석 ... C상수는 a-Si:H은 1.324x10-8이고 Poly-Si은 3.45x10-8이다.그리고 W/L는 조마다 주어졌으며, Vth는 구하였다.Poly-Si, a-Si:H] Transmittance

  리포트 | 10페이지 | 3,000원 | 등록일 2012.12.01 | 수정일 2016.07.01

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  지멘스(siemens), FBR, VLD등 poly Si를 제조하는 다양한 방법

  Si 잉곳(우)fig.2 트리실란(좌)과 모노실란(우)을 바탕으로 한 poly Si 생산 시스템2. ... 내부에서 입자간 상호작용으로 자연적으로 발생시킬 수 있으며 외부에서 실리콘 입자를 공급하기도 한다.fig.3 FBR 공법으로 제작된 구슬모양의 poly Sifig.4 유동층 반응기의 ... 있고, 삼염화실란을 이용하는 기업은 국내의 동양제철화학, 독일의 바커, 미국의 헴록등이 있다.fig.1 쵸크랄스키 공정으로 제작된 단결정 잉곳(좌)과 siemens 공정으로 제작된 poly

  리포트 | 5페이지 | 4,000원 | 등록일 2009.06.04 | 수정일 2017.06.13

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  AMD 실험 결과보고서 Measurement for TFT

  Poly-Si의 Grain5 ... Poly-Si은 a-Si과 다르게 Si이 결정화되어 있는 Si인데, Single crystal이 아닌 Poly crystal이기 때문에 각 crystal 사이에 Grain Boundary ... 실험결과 (2)-2) Poly-Si 부분 Transfer curve에서 알 수 있듯이 크게 나오는데 이는 Poly-Si의 구조적 한계 때문이다.

  리포트 | 13페이지 | 5,500원 | 등록일 2022.03.02

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  반도체 공정 레포트 - high-k(학점 A 레포트)

  [사진9] 기존의 MOSFET(좌) 과 HKMG MOSFET(우)그동안 MOSFET에서는 다양한 이유로 poly-Si을 사용했었다. poly-Si의 장점은 metal에 비해 녹는점이 ... high-k 물질에 poly-Si gate를 사용할 시 저항이 높고, depletion effect에 의해 오히려 oxide capacitance 값이 작아지는 결과를 초래하였고 ... 또한 기존에 poly-Si 아래에 HfO2가 있으면 전압한계가 불규칙해 트랜지스터 스위칭 전압을 높여야 할 뿐만 아니라 전자의 Scattering으로 인해 전자 속도가 느려지는 문제가

  리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2022.12.29

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  FLASH MEMORY report

  적용된 material에 따라 SONOS (Si-Oxide-Nitride-Oxide-Si), SANOS (Si-Alumina-Nitride-Oxide-Si), MONOS (Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Si ... → P-type Poly → Metal로 발전하였다. ... ), WANOS (W-Alumina-Nitride-Oxide-Si), MANOS (Metal-Alumina-Nitride-Oxide-Si), TANOS (Titanium-Alumina-Nitride-Oxide-Si

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.02.21

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  CMOS Mask design rule 정리

  연보라색 부분 안에 굉장히 많은 P나 As를 집어 넣어 n+ diffusion을 해주게 됩니다.이러한 n+ 공정은 poly-Si 위에다가 해주기 때문에, poly-Si도 n+로 도핑이 ... 그 다음은 MOSFET에서 Gate로 사용하는 Poly-Si 차례입니다. ... 이 공정은 중간의 Insulator를 뚫고 메탈과 Si 기판을 연결시켜주기 위해서 해줘야 하는 공정입니다.6.

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.05.14 | 수정일 2020.08.26

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  LG전자 연구개발 직무 첨삭자소서

  목표는 Poly-Si 막에 형성된 돌기 제거 및 roughness 개선, slurry 흡착 제어 CMP slurry 개발이였습니다. ... 목표는 Poly-Si 막에 형성된 돌기 제거 및 roughness 개선, slurry 흡착 제어 CMP slurry 개발이였습니다. ... 대학원에 진학하여 초고해상도 OLED용 Nano-wet ceria 기반 Poly-Si TFT slurry 개발 프로젝트에 참여하였습니다.

  자기소개서 | 6페이지 | 3,000원 | 등록일 2023.02.03

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  High-k report

  Poly Si의 effective work function은 doping에 의해 쉽게 변경되지 않는데, Poly Si/high-ĸ dielectric stack의 EWF가 fermi ... HfO2, ZrO2는 90년대 후반에 주목받았고, Si보다 thermal stability를 가졌다.Poly Si gate와 접촉에 있어서 thermal stability issues가 ... 초기에는 CoSi2를 사용했지만 Ni silicide의 EWF가 Poly Si gate와 Ni silicide phase의 dopant로 수정될 수 있어 NiSi와 NiSi3로 초점이

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.02.21

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  고려대학교 일반대학원 신소재공학부 연구계획서

  연구실에서 95kWp 태양광 발전 시스템에서 스네일 트레일로 인한 전력 손실 영향 분석 연구, 페로브스카이트/TOPCon 탠덤 태양 전지용 NiOx/Nickel Silicide/n(+) Poly-Si ... 기판과 인이 도핑된 폴리-Si 사이의 초박형 SiO2 층의 계면 분석 연구, 탄소나노튜브 전극 기반 페로브스카이트-실리콘 탠덤 태양전지 연구, Al2O3/Si의 계면 특성 개선을 ... 위한 습식 화학적 산화 및 표면 캐리어 수명 시뮬레이션 및 정전용량-전압 측정을 이용한 Al2O3/SiOx/Si 구조의 계면 분석 연구, 패시베이션 에미터와 후면 접촉 c-Si 태양전지의

  자기소개서 | 1페이지 | 3,800원 | 등록일 2023.04.05

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  11주차 a-Si, LTPS LCD 패널 분해(정보디스플레이학과 AMD실험 보고서)

  ELA (Excimer Laser Annealing)가장 일반적으로 사용하는 LTPS 방식으로, a-Si에 Laser를 조사하면 a-Si가 녹으면서 용융된 Si가 재결정화되면서 Poly ... SLS (Sequential Lateral Solidification)기존의 ELA 방식보다 큰 면광원의 Laser를 도장처럼 찍어서 결정화시키는 방법으로, Poly Si의 입자 크기나 ... Poly glove를 착용하여 LC가 손에 닿지 않게 한다.4.

  리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.02.19 | 수정일 2021.03.20

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  LTPS TFT 응용 기술 및 다양한 형태의 AMOLED 디스플레이 논문 정리(한글)

  LTPS TFT의 응용 기술과 다양한 형태의 AMOLED 디스플레이요약ELA 방식을 이용해 a-Si을 450℃ 이하의 저온에서 결정화시켜서 Poly-Si으로 만드는 공정을 통해 만들어진 ... 최근 LDD대신 a-Si층을 Source와 Drain에 접촉시키지 않게 poly-Si에 덮는Bottom-Gate LTPS TFT 구조의 LTPS TFT가 연구되었다. ... Progress in Poly006.

  리포트 | 10페이지 | 3,900원 | 등록일 2021.11.08

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  고려대학교 일반대학원 신소재공학부 연구계획서

  헤테로접합 나노막대 광 반응 LED 연구 등을 하고 싶습니다.저는 또한 원자 단위 소재 시뮬레이션 연구, 초고속 3D NAND 플래시 메모리 애플리케이션을 위한 하이브리드 채널(Poly-Si ... 가공된 CoCrFeMnNi 고엔트로피 복합재의 세포 구조 공학: 구성 요소의 원소 분리에서 경질 세라믹 강화재의 역할 연구, 산소 플라즈마를 이용한 기판 전처리를 통해 SiO2/Si ... 싶습니다.저는 또한 이온성 액체 중간층을 갖춘 발광 다이오드용 고성능 청색 페로브스카이트 필름 및 마이크로 어레이 연구, 석탄 플라이애시를 이용한 저밀도 세라믹 지지체의 제조 연구, Nb-Si

  자기소개서 | 2페이지 | 3,800원 | 등록일 2024.01.31

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  9주차 a-Si LCD 패널 분해(정보디스플레이학과 AMD실험 보고서)

  일반적으로 a-Si는 Inverted staggered 구조를 사용하고, Poly-Si는 Coplaner 구조, Oxide TFT는 Inverted Coplanar를 사용한다.a-Si ... 무진지, Poly glove, 1자 드라이버, 커터칼, 라이터패널을 분해하기 위하여 필요한 장비들이다. ... 특이 LCD 패널을 분해할 때 나오는 LC 입자는 유해한 경우가 많으므로, 모든 분해 과정 중에는 반드시 Poly glove을 착용하도록 한다.

  리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.02.19 | 수정일 2021.03.20

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  반도체공정 기말정리

  Poly silicon보다 저항 Rs (sheet resist)가 작기 때문에 Silicides을 사용하면 동작속도가 빨라진다.· PolycidesSilicides 대신에 poly ... 가우스 분포 상, 투시거리에 대한 표준편차를 의미한다.Channeling : 채널링, 수로실리콘은 단결정이기 때문에 방향이 잘 맞다면 이온 원자가 Si 원자와 충돌하지 않고 쭉 뚫고 ... 도핑농도를 크게하면 워크펑션에 관계없이 터널링 현상이 발생하고 누설전류라고도 한다.· Silicides기존에는 Si 위에 메탈을 올려 저항이 생겼는데 이를 줄이기 위해 실리사이드라는

  리포트 | 4페이지 | 3,000원 | 등록일 2022.10.22 | 수정일 2024.04.30

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