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"Pspice MOSFET simulation" 검색결과 1-20 / 104건

  • Pspice MOSFET simulation
    //R _{g2} +R _{sig}} BULLET LEFT ( R _{D} //R _{L} RIGHT ) BULLET `v _{sig}#THEREFORE LEFT | A _{v} ... 2009730226 박장선 전자회로 Assignment#1전자회로 #12009730226전자재료공학박장선1.회로는 다음과 같이 구성하였다.I _{D} -V _{GS} graph를 그리기 ... RIGHT | = {v _{o}} over {v _{sig}} =-g _{m} BULLET {R _{g1} //R _{g2}} over {R _{g1} //R _{g2} +R _{sig
    리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2014.07.01
  • [전자회로] ADC DAC SRAM DRAM Mosfet pspice simulation
    0.1ns까지 하여도 convergence error가 자꾸 발생하여 1ms까지 10ns의 step으로 simulation하였다. ... 입력신호를 디지털신호인 stim으로 연결하려 했으나 nano second로 보았을 때 약간의 transition이 있어 vp=-.8 kp=1.2e-05 gamma=.6 phi=.6+ ... (d) Dynamic Logic지금까지의 회로는 static logic이었다.
    리포트 | 18페이지 | 2,000원 | 등록일 2004.05.03
  • MOSFET 증폭기 아날로그 실험 결과 레포트 (A+)
    2-4를 PSPICE simulation을 통하여 수행하시오.(2-1)1 over 2 mu_n C_ox W over L=0.0505, 이고 Rin ={1} over {gm} ||1k ... 실습내용 1-1과 1-3을 PSPICE simulation을 통하여 수행하고 simulation값을 이용하여 1-2를 계산으로 구하시오.(1-1)v100.51.01.51.81.92.02.12.22.3Vgs00.51.01.51.81.92.02.12.22.3Id12.14p12.01p11.857p11.669p11.615p11.015p11.388p0.5mA2.02mA4.52mA ... 참고문헌Fundamental of Microelectronics(2nd edition)Ⅰ.예비 레포트1.MOSFET의 동작 영역은 어떤 것들이 있고 어떻게 정의 되는지 조사하시오.MOSFET
    리포트 | 7페이지 | 2,500원 | 등록일 2021.02.05
  • [전자공학응용실험] Cascode Amplifer 결과레포트
    DiscussionsThere was a difference between the simulated MOSFET of the circuit and the MOSFET actually ... conducted, so the Pspice did not work properly. ... The simulated circuit showed that the VG of below NMOS did not exceed Vth, resulting in improper current
    리포트 | 3페이지 | 1,500원 | 등록일 2022.12.19
  • A+ 2022 중앙대학교 전자회로설계실습 예비보고서 4 MOSFET 소자 특성 측정
    즉 전류가 흐르기 시작한다.PSPice를 통해 simulation 해본 결과 약V _{GS} =1.8`[rmV]에서부터I _{D}의 값이 크게 변하기 시작했다. ... 구하여라.Data Sheet에서V _{T} =V _{GS(th)} =2.1`[rmV]`(typical`value) 임을 알 수 있다.이후에V _{GS}값을 0~5 [V] 까지 바꾸며 simulation을 ... 회로도 구성 및 시뮬레이션 (OrCAD PSPICE)(A) OrCAD를 이용하여 그림 1의 회로도를 설계하여라. (2N7000/FAI 이용, VG와 MOSFET 게이트 연결 시 점퍼
    리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2023.02.25
  • [A+] 전자회로설계실습 4차 예비보고서
    부분을 참고하면 Gate Threshold Voltage는 (Typ)이다.그리고 에서 simulation 시 이므로, 이와 비슷한 조건인 Drain-Source On-Voltage를 ... 이용)(B) PSPICE를 이용하여 iD-vGS특성곡선을 시뮬레이션 하여라. ... 회로도 구성 및 시뮬레이션 (OrCAD PSPICE)(A) OrCAD를 이용하여 그림 1의 회로도를 설계하여라.(2N7000/FAI 이용 및 RD는 Short시켜 시뮬레이션 진행
    리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2023.06.21 | 수정일 2023.06.23
  • [중앙대학교 3학년 1학기 전자회로설계실습] 예비보고서4 구매 시 절대 후회 없음(A+자료)
    (D) 위의 결과를 이용하여V _{OV} =0.6`V인 경우,k _{n},g _{m}을 구하고 2.1의 결과와 비교하여라.PSPICE simulation의 cursor 기능을 사용하여V ... 임을 구할 수 있다.2.2 MOSFET 회로도 구성 및 시뮬레이션 (OrCAD PSPICE)(A) OrCAD를 이용하여 그림 1의 회로도를 설계하여라. (2N7000/FAI 이용,R ... MOSFET 소자 특성 측정과목명전기회로 설계 및 실습담당교수학과전자전기공학부학번이름실험조실험일제출일설계실습 4. MOSFET 소자 특성1.
    리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2023.08.28
  • [전자공학응용실험] 차동 증폭기 심화 실험 결과레포트
    Comparison of experimental, theoretical, and simulated resultsR1 = 717일 때 약 10mA 확인됨.마찬가지로 100kHz의 값 ... 즉 위 회로의 CMRR은 Pspice에서 측정이 불가능하다.3. ... output impedance가 ∞이며, MOSFET 양쪽이 같은 값을 가져 Acm은 0이 된다.
    리포트 | 3페이지 | 2,000원 | 등록일 2022.12.19
  • 중앙대학교 전자회로설계실습 예비보고서9
    Series-Series 피드백 회로 설계(A) 그림 2 회로를 simulation하기 위한 PSPICE schematic을 그린다. ... 설계실습 계획서3.1 Series-Shunt 피드백 회로 설계(A) 그림 1 회로를 simulation하기 위한 PSPICE schematic을 그린다. ... (B) 단계 3.2(a)에서 그린 PSPICE schematic에서 입력저항을 10kΩ으로 변경한다.
    리포트 | 11페이지 | 2,000원 | 등록일 2024.03.10
  • [전자공학응용실험] 능동 부하가 있는 공통 소오스 증폭기 결과레포트
    Comparison of experimental, theoretical, and simulated results(1)예비레포트에서 Vth의 값이 1.8V로 그 때의 전류가 48uA였는데 ... saturation 영역에서 동작해야 하기 때문에 0V보다는 크고 VDD보다는 작은 값을 가져야 한다. ... 이것이 다른 원인들에 비해 유의미한 영향을 출력에 미쳤다.(2) 출력 전압의 크기가 왜곡 여부에 영향을 줄 수 있는 설계 요인들을 생각해보고, 그 원인을 분석하시오출력 전압은 각 MOSFET들이
    리포트 | 3페이지 | 1,500원 | 등록일 2022.12.19
  • 광운대 전자회로2 Project 보고서 (A+학점 자료)
    You can double-click MOSFET device on the pspice screen, and type in the parameter values. ... in transient simulation. ... Verify this in transient simulation.
    리포트 | 24페이지 | 2,500원 | 등록일 2021.08.24
  • [중앙대전자회로설계실습]_A+_예비보고서9_피드백 증폭기 (Feedback Amplifier)
    그린다< 중 략 >3.2 Series-Series 피드백 회로 설계(A) 그림 2 회로를 simulation하기 위한 PSpice schematic을 그린다. ... 설계실습 계획서 3.1 Series-Shunt 피드백 회로 설계그림 1 Series-Shunt 피드백 회로도(A) 그림 1 회로를 simulation 하기 위한 PSpice schematic을 ... 준비물 및 유의사항Function Generator : 1대 Oscilloscope(2chanel) : 1대 DC Power Supply(2channel) : 1대 DMM : 1대 MOSFET
    리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.03.07
  • 중앙대 전전 전자회로설계실습 예비보고서 Feedback Amplifier
    설계실습 계획서3.1 Series-Shunt 피드백 회로 설계(A) 그림 1 회로를 simulation 하기 위한 PSpice schematic을 그린다. ... 준비물 및 유의사항Function Generator : 1대Oscilloscope(2channel) : 1대DC Power Supply(2channel) : 1대DMM : 1대MOSFET
    리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2023.03.01 | 수정일 2024.03.06
  • 피드백증폭기(Feedback Amplifier) 예비보고서
    설계실습 계획서3.1 Series-Shunt 피드백 회로 설계(A) 그림 1 회로를 simulation 하기 위한 PSpice schematic을 그린다. ... 준비물 및 유의사항Function Generator 1대Oscilloscope (2channel) 1대DC Power Supply (2channel) 1대DMM 1대MOSFET
    리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2023.01.21
  • 아주대학교 전자회로실험 설계2 CMOS 증폭단 설계 결과보고서
    simulation2.52.2902.710m실제 실험값b) Function generator로 입력 노드에 0.1 Vpp, 1KHz의 sine-wave 입력을 인가한다.Pspice ... 이 때, 최대 진폭값(Vpp)을 구하시오.Pspice simulation입력 파형이 약V _{p-p} `=`3.7`V 일 때 출력파형이 왜곡되기 시작한다. ... (I _{DS})를 측정한다.Pspice simulation ResultReal Experiment RusultV _{GS} 전압에 대한I _{DS}값V _{GS} ` LEQ `0.4
    리포트 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.06.06
  • [전자공학응용실험] 다단 증폭기(Multistage Amplifier) 결과레포트
    Comparison of experimental, theoretical, and simulated results3. ... Discussions우선 실험에 앞서 Pspice를 통해 시뮬레이션했던 소자와 실제 사용된 MOSFET은 Vth와 gm의 값이 다르게 측정되었다. ... 증폭기 회로가 제대로 동작하려면 Saturation영역에서 MOSFET이 동작해야 하기에 소자의 차이와 인가하는 Vdc의 값이 바뀐 것으로 인해 소자의 값을 바꿔준 것이다.
    리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2022.12.19
  • [전자공학응용실험] 차동 증폭기 기초 실험 결과레포트
    Comparison of experimental, theoretical, and simulated resultsPspice에서는 Vcm의 값이 너무 작아 M2가 Saturation ... Pspice와는 Bias point가 많이 달랐지만, 최종적으로 입력에 따라 확장되는 전압이득과 Clipping현상은 Simulation한 바와 같이 나왔다. ... Current Mirror와 차동증폭기를 활용하여 각 MOSFET이 Saturation영역에서 동작하도록 Bias point를 잡고, 증폭되는 출력과 입력의 소신호를 크게 했을 때
    리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2022.12.19
  • [A+] 전자회로설계실습 4차 결과보고서
    PSpice를 통해 simulation한 의 모양과는 차이가 좀 있지만, 대체적으로 가 증가하면서 가 증가하는 경향을 확인할 수 있다. ... 일 때이므로 MOSFET은 saturation region에서 동작한다.인 경우, =2.2V이므로=2.8V일 때 Drain 전류의 값은 이 된다.식 을 통해 가 나온다.PSPice를 ... 통해 simulation한 결과는 이고, =2.2V였다.Simulation값을 이용한 와 의 오차율을 보였다.
    리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2023.06.21
  • [분반 1등], [A+], 중앙대학교 전자회로설계실습 9. Feedback Amplifier 설계 예비보고서
    위한 PSpice schematic이다.위의 그래프는 pspice simulation을 실행하여 얻은 입출력 transfer characteristic curve이다. ... 설계실습 계획서3.1 Series-Shunt 피드백 회로 설계(A) 그림 1 회로를 simulation하기 위한 PSpice schematic을 그린다. ... .3.2 Series-Series 피드백 회로 설계(A) 그림 2 회로를 simulation하기 위한 PSpice schematic을 그린다.
    리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.09.25 | 수정일 2022.09.30
  • 전자회로실험 A+ 12주차 결과보고서(MOSFET Characteristics)
    Compare the experimental results with the simulation results.2. ... PSPICE 사진실험(1):실험(2):실험(3):7. ... Familiarize with the usage of metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET).2.
    리포트 | 16페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.07.02 | 수정일 2023.07.25
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- 작별인사 독후감
방송통신대학 관련 적절한 예)
- 국내의 사물인터넷 상용화 사례를 찾아보고, 앞으로 기업에 사물인터넷이 어떤 영향을 미칠지 기술하시오
5글자 이하 주제 부적절한 예)
- 정형외과, 아동학대