"STI공정" 검색결과 1-20 / 60건

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  SK하이닉스 양산기술 합격 자기소개서 (10)

  예상되어 그러한 점에서 팀원들이 아쉬워했습니다.문제 개선을 위해 반복적인 식각 공정으로 STI의 높이차를 낮추는 방법을 추가로 생각해 적용했습니다.새로운 공정 방법으로 STI 제작 ... 보통 CMP 장비를 통해 원하는 부분까지 산화막을 깎아 제작하지만 PMOS 제작 중 해당 장비 없이 새로운 공정 방법을 통해 STI를 제작했습니다.실습실에는 CMP 장비가 없어 이를 ... 각 공정 모니터링과 공정 설계 방법은 다양하므로 개인으로 해결하기에 한계가 예상됐습니다. 그러므로 팀원과 아이디어 토의를 바탕으로 진행하는 것이 유리하다고 생각했습니다.

  자기소개서 | 5페이지 | 3,000원 | 등록일 2023.02.06

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  반도체 실무면접 대비_반도체 공정 기초

  SiO2와 SiN 박막 특성 비교Sputtering의 원리Dry Etching 설비Bosch PorcessIsolation 방법에 대해 LOCOS 공정과 STI공정의 차이점Mask

  자기소개서 | 72페이지 | 3,000원 | 등록일 2022.12.16

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  반도체 8대 공정 정리

  이에 따라 현재는 STI(Shallow Trench Isolation) 을 더 많이 사용하고 있는데 , ( 사실 상 대부분 STI 를 사용한다 ) 이는 열산화를 통해 Si 를 소모시켜 ... 산화 공정 – 산화막이 적용되는 주요 Layer (2) Isolation( 소자 간의 격리 ) – LOCOS  STI LOCOS 란 Local Oxidation of Silicon ... 포토 공정 ⑥ 현상 (Develop) 공정 developer 라는 현상액을 이용하여 일정 부위의 PR 을 제거하여 패턴을 형성하는 과정 현상 공정 방식으로는 양산 단계에서는 puddle

  리포트 | 56페이지 | 2,500원 | 등록일 2024.06.09

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  ALD ppt 발표 자료

  application Sensors/ Thin flim battery/ nanophotonics / Solar cells Semiconductor application Litho Spacer/ STI ... liner/ Flash IPD/ GST for PCM ALD 공정 개요※ ALD application ALD 공정 개요 자가 정렬 다중 패턴 공정 현재 리소그래피 기술로 생산가능한 ... No gas phase reactions Sequential stepsAdvantage Particle, pinhole X 정밀한 두께 제어 저온 공정 우수한 박막 품질 넓은 공정

  리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.11.10

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  제우스_반도체영업_최종합격 경력기술서_자소서 전문가에게 유료첨삭 받은 자료입니다.

  리크다이크, 리크센서연결 등- 무선장비 셋업 및 장비 가이드 설치 진행- STI 장비내부 배관연결 작업, KCtech CCSS관련 영업(3) 세정설비 및 장비 관리 (삼성전자 중국법인 ... XXXXXXXXXXX 20XX.XX ~ 현재 (X년 X개월)(1) DRAM 공정 설비 제안 및 기술영업- 신공정 도입을 통한 불량개선 제안- Yield 향상을 위한 장비 검토- 장비 ... 등)- 불량 및 공정오류 발생시 빠른 원인파악 및 개선사항 도출을 통한 문제해결4.

  자기소개서 | 2페이지 | 4,000원 | 등록일 2023.11.25

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  SRT변화에 따른 활성슬러지 공정

  변화에 따라 Yh ,μm, bh, Ks 등의 지표가 바뀜으로 써 수온이 활성슬러지를 통한 C-BOD 제거 에 영향을 끼친다는 것을 확인할 수 있다.유기물질 제거를 위한 활성 슬러지 공정 ... 25293 4.351 4108 0.707TCOD 300 .649 25402 4.370 31753 5.463 4315 0.742TSS 150 SBOD_u 112 NBD SS 88 M(Sti ... 3.297 42518 7.315 53148 9.143 4707 0.810M(Xe) fdbhRsM(Xa) 654 kg VSS f_at =M(Xa)/M(Xt) 0.523M(Xi) fupM(Sti

  리포트 | 1페이지 | 5,000원 | 등록일 2023.12.30 | 수정일 2024.01.23

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  반도체 공정 레포트 - front end process(학점 A 레포트)

  STI 구현과 래치업 억제를 위해 MPU 나 ASIC 생산에는 p/p+ 웨이퍼가 사용되었지만 요즘에는 p/p- ep 웨이퍼도 많은 분야에 사용된다.매개 변수 – 웨이퍼 요구사항은 특정 ... 간접 비용에 의해 균형을 이룬다.데이터 스토리지의 통합은 CMOS 공정의 전공정과 후 공정 사이에서 발생한다. ... 접촉 silicidation 공정 을 통한 확장을 포함한다.

  리포트 | 18페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.12.29 | 수정일 2023.01.03

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  콘돔, 페미돔 보고서

  .# 특별형 콘돔수출형 특수 형태의 콘돔으로 일반 공정과 다르게 수작업으로 제조됩니다. ... 이는 또한 에이즈를 포함한 성감염질환 (STI)으로부터 보호하는데 도움을 준다.2, 효과올바르게 사용하면 95%까지 효과적일 수 있으며, 이는 1년에 여성 콘돔을 사용하는 여성 100명

  리포트 | 8페이지 | 2,500원 | 등록일 2020.12.20

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  서울과학기술대학교 무기공업화학 기말고사 요약자료

  물질의 표면반응-> 촉매 표면에서 생성물 탈착 -> 탈착된 생성물의 담체 기공 밖으로의 확산-촉매 평가 기준⑴ 촉매 활성 : 단위 시간당 생성되는 제품의 생성 속도(공간시간수율(STY ... 금속성분을 분리하기 위해 미분으로 파쇄하는 공정-입구에서의 크기와 출구의 크기 비율은 3:1에서 4:1 사이가 가장 많이 사용됨⑵ 분류 공정-유체를 통하여 유속에 따른 광물의 이동속도 ... 차이를 이용해 분리하는 부유선광법을 사용한다⑷ 응집 공정-미분말을 보다 큰 덩어리로 개질하는 과정-미분쇄의 부유선광에서 미세한 분말이 생성되면 분리 공정 필요-광물이 풍부한 광석은

  시험자료 | 12페이지 | 2,000원 | 등록일 2021.07.08

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  레치업

  STI 기술은 LOCOS 보다 더 복잡한 공정단계를 거쳐야 하기 때문에 LOCOS 보다 많은 비용이 요구 되지만, 다음과 같은 이유 때문에 STI 기술을 더 선호한다.1. ... 있어 소자고립공정은 실리콘 칩 내에 수백만개의 소자가 독립적으로 절연되어야 하므로 집적회로 공정에서 가장 중요한 공정 중의 하나이다. ... 0.25μm 와 그 이하의 웨이퍼 제조공정에 사용된다.

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2017.11.01

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  시마노 보고서 2015

  이 제조방법에 대하여 현재의 공정과 가장 유사하게 최초로 등장하는 것은 18세기 말 프랑스 혁명시대에이크레버를 좌우로 눌러 질 수 있게 하는 것 이였다. ... 라고 쓸 정도로 매우 충격적인 변화였다.STI 레버는 1990년에 더 많은 빛을 보기 시작하였으며 많은 언론에도 소개되면서 큰 유명세를 탔으며 시마노의 STI레버를 쓰고 싶다는 선수들의 ... 또한 유럽의 자존심인 이탈리아의 캄파뇰로가 시마노의 STI레버를 따르기 시작하였다. 당시 자전거 업계에서 캄파뇰로는 항상 혁명의 주인공이였다.

  리포트 | 24페이지 | 1,000원 | 등록일 2016.04.30 | 수정일 2016.05.31

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  중국 현지 채용인 관리 및인사제도 구축 노하우

  KPI 타당성, 본인 달성의지를 높이는 장치 필요 평가시점이 아니라 평소 기록, 관찰하고 F/B하는 노력 중요실행력 제고를 위한 HR 제도 구축보상보상 차별화를 위해서는 평가의 공정성과 ... 사원-●●●Governance ModelGlobal Job ArchitectureMarket Driven Pay StructurePay Policy Pay Structure 표준화STI ... Scheme 표준화* STI : Short Team IncentiveGlobal Mobility중국 특성 고려한 차별화실행력 제고를 위한 HR 제도 구축현장 인사관리 : Management

  리포트 | 28페이지 | 1,500원 | 등록일 2018.08.19 | 수정일 2018.09.25

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  LG전자 성과관리

  연봉조정 HCCR 대상자 선정 면담 , 퇴직처리 퇴직지연자 F-up 기업소 개 성과관리의 미 성과평가방법 성과평가결과 새로운 성과관리사업 본부 별 조직 평가 결과에 따라 차등 적용 STI ... 기업소 개 성과관리의 미 성과평가방법 성과평가결과 새로운 성과관리평가의 공정성과 합리성에 대한 구성원의 요구 증대 인재 구분 및 인재육성의 합리적 수단 필요 성과의 객관적 측정을 통한 ... Organizing ( 관리 ) Task( 일 ) 미래 / 변화 목표 / 결과 현재 / 안정 사람 / 조직 혁신 설득 결과 주도 치밀 체계 배려 팀웍 1 등 지향 정도 경영 최고 지향 사명감 공정

  리포트 | 36페이지 | 2,500원 | 등록일 2017.12.14

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  산화 공정

  ·소자간의 격리LOCAS(Local Oxidation of Silicon), STI·Gate capacitor·MOSFET에서의 유전체MOSFET에서는 source와 drain을 연결하는 ... 그 중에서 이번 실험에서는 열 산화(Thermal oxidation)방법에 대해 소개할 것이다.산화 공정과 산화 기구의 기본 원리와 산화 막 성장에 영향을 미치는 공정 변수들에 대해 ... B.O.E를 이용하여 제거한다.② AFM을 이용하여 산화막의 단차를 측정한다.3.이론적 배경-산화 공정의 정의반도체 소자 제조 공정 중 하나로 고온(800-1200℃)에서 산소나

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2014.04.03

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  [글리벡][환자][노바티스][행정소송][강제실시][암][병원]글리벡의 시장독점, 글리벡의 생산원가, 글리벡과 환자, 글리벡과 노바티스, 글리벡과 행정소송, 글리벡과 강제실시 분석

  이러한 제안에 대해 정부는 이것이 공정거래법의 위반에 해당한다며 수용을 거부하였다. ... 글리벡의 개발사인 노바티스는 1993년 국립암센터의 지원을 받는 미 오레곤암센터 과학자들과 공동으로 암발현 단백질의 활동을 억제하는 화학물질 STI571 연구를 시작하였고 미국 FDA의 ... 글리벡의 개발사인 노바티스는 국립암센터의 지원을 받는 미 오레곤 암센터 과학자들과 공동으로 암발현 단백질의 활동을 억제하는 화학물질 STI571 연구를 시작하였고 그 후 8년이 지나

  리포트 | 6페이지 | 5,000원 | 등록일 2013.04.10

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  메모리 플래쉬 소자의 제조방법

  LOCOS 방식은 기판(10)의 소정 영역을 산화시켜 소자 분리 영역(14)을 형성하는 방식이고, STI 방식은 기판(10)에 트렌치를 형성한 후 절연 물질을 채워 소자 분리 영역( ... 공격을 방지할 수 있는 플로팅 게이트 형성방법이 개시된다.2003-0043615(2003.06.30)난드 플래시 메모리 소자의 제조 방법SA-STI 방식으로 소자 분리막을 형성하고 ... 플러그를 포함하는 금속 배선층이 더 형성될 수 있다.도 5a 내지 도 5c에 도시한 바와 같이, 반도체 기판(10) 위에 LOCOS(local oxidation silicon) 또는 STI

  리포트 | 5페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.11.18

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  산화공정 oxidation

  원래 표면에 있던 오염물이 산화층 위로 올라가 덜 위험하게 된다.(3) 소자간의 격리 - LOCOS(Local Oxidation of Silicon), STI(4) Gate capacitor ... 시키는 공정이다. ... 신소재기초 실험OXIDATION(산화공정)1.

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2013.05.12

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  삼성전자 합격 자소서+2016하반기 삼성전자 면접+삼성고용디딤돌

  2) 웨이퍼의 크기(size)가 점점 커지고 있다에 관련된 질문3) STI 공정 중에 oxidation층의 step coverage 문제점과 해결법2. ... 반도체 산업과 공정장비 그리고 관련 기술들을 직접 배우며 체계적인 교육을 받고 싶습니다.

  자기소개서 | 7페이지 | 3,000원 | 등록일 2016.11.20 | 수정일 2016.11.25

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  CMP 기술소개 및 현황

  이는 STI 공정에 발생되는 dishing과 oxide errosion 등의 결함을 최대한 줄여주고자 하는 바램에 의해 높은 선택비를 가지는 슬러리가 요구됨에 따라 생겨난 결과이다. ... 연마속도로는 퓸드 실리카가 우위이나 연마면에 미치는 손상면에 있어서는 콜로이드상 실리카가 우위에 있다.- STI CMP현재 STI process에서는 CeO2계열의 슬러리가 주로 사용이 ... 피가공재의 표면에 산화막이 형성되거나 혹은 가수화 (hydration) 반응이 일어나고 이와 동시에 피가공재와 패드 사이에 존재하는 가공입자의 기계적 작용으로 표면이 미세 가공되는 공정이다.Figure

  리포트 | 34페이지 | 3,000원 | 등록일 2009.12.21

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  CVD 화학기상증착 PPT 발표 자료ㄱ

  용어정 리Gap fill ( 간극 채움 ) - STI 등의 공정은 깊게 파여진 구멍에 절연물질을 채워 넣어야 한다 . - 종횡비가 클수록 Step coverage 등의 문제로 인해 ... 반도체 제조과정의 77% 를 차지하는 전공정 , 이 가운데 화학증착 (CVD, Chemical Vapor Deposition) 공정은 13% 비율을 차지해 핵심공정으로 분류 . ... 반응 원료의 유량 및 증착온도 , 시간 등에 매우 민감한 특성을 나타내어 공정 조건을 확립하기가 어려움 .

  리포트 | 18페이지 | 2,000원 | 등록일 2012.12.29

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