"Si다이오드" 검색결과 1-20 / 1,403건

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  반도체소재공정(Si IC/p-n diode/bipolar transistor/MESFET/MOSFET/FinFET/GAAFET)

  Si IC2. p-n diode*Transistor(BJT와 FET)3. bipolar transistor4. MESFET5. MOSFET6. FinFET7. GAAFET8. ... MESFET금속-반도체 MESFET는 Schottky 다이오드 형태 구조로 채널을 한 I-V 특성은 JFET 소자와 유사하다. ... 이러한 확산 전위)가 한다.아래 그림은 실리콘(Si) p-n 접합의 전류-전압 특성을 나타낸 그래프이다.

  리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2022.03.26

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  Web-패턴 Si 광다이오드의 감도특성 개선

  한국재료학회 장지근, 이상열, 김장기

  논문 | 4페이지 | 3,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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  버퍼막 두께에 따른 ZnO/ZnO/p-Si(111) 이종접합 다이오드 특성 평가

  한국재료학회 허주회, 류혁현, 이종훈

  논문 | 5페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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  [기초전기전자실험] GE, SI, 제너 다이오드 특성 실험 <A+받은 자료>

  입력전압을 표1-1과 같이 변화시키며 역방향 전류 (IR)을 측정하여 기록한다.(4) Si 다이오드의 순방향 전류를 측정하기 위해 1e-1f 단자에 전류계를 연결하고, 1k-1l, ... 여기에서는 zener diode를 사용할때 주의해야 할 점을 간단하게 소개한다.zener diode는 보통 다이오드와는 달라 역방향으로 전압을 걸어 사용한다. ... 제너 다이오드의 특성 및 기호▶ 제너다이오드에 대한 중요 사항 정리zener diode는 정전압이나 기준 전원을 얻기 위해서 자주 사용되는 소자이다.

  리포트 | 17페이지 | 2,500원 | 등록일 2016.01.02 | 수정일 2016.04.08

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  Si와 Ge다이오드의 반응 특성 및 Photo diode를 이용한 광검출 및 특성 실험

  Photo diode일반적인 다이오드가 순방향의 바이어스를 사용하지만, 포토다이오드는 역방향의 바이어스 또는 개방회로(무 바이어스)를 사용한다. ... Si&Ge 다이오드 및 PD의 특성 실험실험목적☞ 수광 소자로 사용되는 반도체 소자 Si & Ge다이오드의 원리를 이해하고 두 다이오드의 특성을 비교 해본다.☞ PD의 특성을 이해하고 ... PD의 종류에는 PN접합, PIN접합, APD(avalanche photodiode)가 있다.PIN diode는 P형과 N형 사이에 진성 반도체 층(instrinsic layer)을

  리포트 | 14페이지 | 2,000원 | 등록일 2006.11.03 | 수정일 2019.06.18

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  19. 지너 다이오드 회로와 직류 전원 회로-예비-기초전자전기실험2

  차이점을 설명하라.Si 접합 다이오드와 지너 다이오드의 차이점은 역방향 바이어스에서 나타난다. ... 하고 이 이상의 순방향 전압을 가하면 다이오드내에 많은 전류가 흐르게 되는 데 인가 전압이 조금만 높아져도 전류의 증가는 매우 커지게 된다.(2) Si 접합 다이오드와 지너 다이오드의 ... 순방향 바이어스에서는 보통의 Si 접합 다이오드와 동일한 특성을 가진다.지너 다이오드의 전압-전류 특성 (순방향 바이어스)따라서 인가 전압이 0.7V일 때 이 전압을 순방향 전압강하라고

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.12.29

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  직병렬 다이오드 회로 실험 레포트

  다이오드에 인가되면 저항에 걸리는 전압은V _{R} =V-V _{D}가 된다.V _{D}는 문턱전압으로 Si가 다이오드면 0.7V Ge가 다이오드면 0.2V이다. ... 하지만 다이오드를 Si와 Ge, 두개를 사용했다면 했다면, 작은 전압만 걸린다.전압이 걸리지 않은 것 은 오프되어 있는 상태이다. ... 실습 사용기기 및 재료● 직류 전원 공급기● 다이오드(Si: 1N4154, Ge:1N34A)● 저항 330옴, 1k옴, 2.2.k옴● 디지털 멀티미터4.

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.10.25

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  실험19_지너 다이오드와 직류 전원 회로_예비레포트

  따라서 제너 다이오드의 순방향 바이어스는 일반적인 다이오드의 특성과 동일하다.이는 0.7V내외의 전압의 강하가 순방향 바이어스에서 일어남을 의미한다.⑵ Si 접합 다이오드와 지너 다이오드의 ... 제목 : 지너 다이오드와 직류 전원 회로⑴ 지너 다이오드의 전압-전류 특성에 있어서 순방향 바이어스의 특성을 조사하라.다이오드의 항복전압에 대하여 이야기할 때 항복전압을 제너 전압이라고도 ... 말한다는 것을 언급한 바 있다.이처럼 제너다이오드는 정방향에서는 일반적인 다이오드와 동일하게 작동하고, 역방향에서는 항복 전압 이상에서만 전류가 흐르는 다이오드이다.

  리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.04.15

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  PN 접합다이오드(예비+결과)/ 전자회로실습/ 한기대

  일반적으로 전력제어용과 신호처리용으로 나누어 만든다.그림 1-8 정류 다이오드 기호② 정전압 다이오드(Zener diode): 항복전압 이상이 되면 항복 전류가 흐르는 것을 이용한 ... 다이오드의 문턱전압에 벌크저항까지 고려하는 것을 의미한다.2.10 전원전압 10[V]이고 Si 다이오드를 사용하였으며, 부하저항으로 10[kΩ]을 직렬로 접속하였을 경우 이론적으로 ... 기호③ 정전류 다이오드(Current limiting diode,CLD): 정전류원으로 사용되는 전자부품으로 회로에 직렬로 연결했을 때, 전류를 일정수준으로 제한할 수 있다.

  리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2022.03.12 | 수정일 2022.03.14

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  [보고서점수A+]한국기술교육대학교 전자회로실습 CH1. PN접합다이오드 실험보고서

  이론 및 실험 원리① P형 반도체- 반도체 소자의 주재료인 실리콘(Si)이나 게르마늄(Ge)에 3가 원소인 인듐(In), 갈륨(Ga)과 같은 물질을 도핑시킨 것으로, 원자 간의 전자결합 ... 이상적인 다이오드는 아주 작은 전압이 걸려도 전류가 흐르지만, 실제 다이오드는 결합부의 공핍층에 의해 일정 수준 이상의 전압이 공급되어야만 전류가 흐르기 때문일 가능성이 높다. ... 또한, 이상적인 다이오드와는 달리 실제 다이오드는 문턱전압 이상의 기전력이 발생해도 특정 기울기로 증가할 뿐, 무한대의 기울기로 수직상승하지 않기 때문에 오차가 발생할 수 있다.

  리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2023.03.27

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  울산대학교 전자실험결과레포트 1장 PN 접합 다이오드 특성곡선 측정과 기준전압

  다시 그림 1-4회로를 구성하고 Si 다이오드의 전압을 측정한다V _{D} (Si1)=0.631V? ... 이 회로에서 Si 다이오드를 다른 것으로 대치하고 전압을 측정한다.V _{D} (Si2)=0.49V? ... Si 다이오드는 어떻게 동작될 것인지 설명하고 각각의 전류를 측정한다I _{D} (Si1)=0.696mA#,I _{D} (Si1)=0.631mA,I _{D}(Ge)=0.612mA2.

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2023.11.14 | 수정일 2023.11.17

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  3주차_3장_예비보고서_직렬병렬다이오드구조

  계산하고 측정한다.실험에 필요한 이론적 배경다이오드 특성 곡선다이오드 검사 단자- DMM의 다이오드 검사 기능을 사용하여 Si, Ge 다이오드의 동작 상태를 파악한다. ... 전압Si와 Ge 다이오드에 대하여 디지털 멀티미터의 다이오드 검사 기능 또는 커브 트레이서를 사용하여 문턱 전압을 측정한다. ... 순서 1에서 측정한 Si과 Ge 다이오드의 문턱전압을 이용하여 V1(두 다이오드 양단), Vo, ID의 이론적인 값을 계산하라.k.

  리포트 | 18페이지 | 4,000원 | 등록일 2023.11.30

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  2주차_2장_예비보고서_다이오드특성

  특성곡선의 수직상승 영역으로 올라감에 따라서 저항은 어떻게 변화하는가.Si 다이오드와 Ge 다이오드 모두 저항값이 감소한다.AC 저항Si 다이오드에 대해서 = 와 곡선을 이용하여 = ... 9mA -> == 2.88888…9 => 2.9 ΩSi 다이오드에 대해서 = 2mA에서 (a)를 반복한다.이기에 2mA에서의= 26.9965 ΩSi 다이오드에 대해서 = 2mA에서 ... 검사 기능을 사용하여 Si, Ge 다이오드의 동작 상태를 파악한다.

  리포트 | 20페이지 | 4,000원 | 등록일 2023.11.30

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  기초전자실험 실험2 다이오드 특성 결과보고서

  Si 다이오드의 Is가 Ge 다이오드의 Is보다 훨씬 작다는 것을 알 수 있다.Si과 Ge 다이오드의 DC 저항을 계산하라.R(DC)(계산값)(Si) = 2483.37MΩR(DC)( ... 다이오드에 대해서 I(D) = 9mA에서 AC 저항을 계산하라.rd(계산값) = 2.9ΩSi 다이오드에 대해서 I(D) = 2mA에서 a를 반복하라.rd(계산값) = 27ΩSi 다이오드에 ... 위 실험을 통하여 다이오드 전류가 증가하면 저항은 낮아진다는 것을 관측할 수 있다AC 저항Si 다이오드에 대해서 I(D) = 9mA에서 AC 저항을 계산하라.rd(계산값) = 3.4ΩSi

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.10.01

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  전자회로실험 실험 2 - 다이오드 특성 결과 보고서 (보고서 점수 만점)

  반대로 역방향 바이어스 영역에서 Ge 다이오드는 약 -10V에서 급격히 전류가 상승하고, Si 다이오드는 -15V 이상에서 전류가 흐르기 때문에 Si 다이오드가 개방회로에 더 근접한다 ... 이러한 데이터들로부터 D1N4148은 Si 다이오드임을 확인할 수 있다. ..PAGE:10 감사합니다. ... 실험 결과, 순방향은 0.58V로 유사한 값이 도출되고 역방향은 OL로 이론값과 동일하다 다이오드 검사 1 검사 Si 순방향 0.58V 역방향 OL.

  리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2024.05.03 | 수정일 2024.05.10

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  물리화학실험 basic electronics 실험보고서

  , 역방향 저항 측정DIODE순방향 저항역방향 저항역방향/순방향게르마늄(Ge)0.3942MΩ0.37359kΩ실리콘(Si)∞1.83MΩ0게르마늄 다이오드의 순방향 전류+전압(mA)0.1020.2030.3080.4070.503 ... 역방향 전류(V) Ge [R2=100kΩ]0.003(µA) Ge(V) Si [R2=1kΩ]8.510(µA) Si제너 다이오드의 전류+전압R2=200Ω(V)1.0172.0763.0024.0535.0426.0547.038.02전압 ... (V) Si0.5990.6330.6500.6630.6740.6822+3) (게르마늄 다이오드 전류+전압) + (실리콘 다이오드 전류+전압) 그래프전압이 12V일 때 다이오드에 흐르는

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2023.04.09

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  전자실험 4장 반파 및 정류 결과보고서

  , 저항이 의 직렬 회로로 변환된다/ Si 다이오드(OFF) // Si 다이오드(ON) /측정결과예상했던 그래프 모양으로 출력이 측정되었다./ Si 다이오드(OFF)/ Si 다이오드 ... Si 다이오드는 OFF되어 출력은일 때 Si 다이오드는 ON되어 출력은측정결과[][]1.055V측정그래프는 예상이론값과 동일한 모습으로 측정되었다. ... + -을 변경은 입력전압이 마이너스 전압일때 입력을 통과시켜 마이너스 반파가출력되게 만들었다.실험 2예상 이론값 : 일 때 Si 다이오드는 OFF되어 출력에는 입력과 같은` 일 때

  리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2022.05.01

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  울산대학교 전자실험결과레포트 2장 다이오드 직렬 및 병렬연결

  다이오드에 0.7V이상 전압을 주어지면 Si는 0.7V, Ge는 0.3V값을 가지므로 옮의 공식을 이용하면 두 군데 중 전류가 높은 곳이 Si 다이오드이고 낮은 곳이 Ge다이오드이다 ... 또한 VD의 변화로 ID값도 달라지게 된다.2)Si과 Ge 다이오드를 흐르는 각각의 전류는 어떻게 알 수 있는지 제시하라. ... 브리지 회로Vsi(Left)Vsi(Right)VoV2V3이론값(V)0.6060.60603.9943.994실험값(V)0.630.6120.0034.0664.0532.질문에 답하기1)Si

  리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2023.11.14 | 수정일 2023.11.17

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  A+받은 제너 다이오드 특성(지너 다이오드) 예비보고서 PSPICE

  역방향 바이어스에서는 지너 다이오드는 Si 접합 다이오드와는 다른 특성을 갖는다. Si 접합 다이오드는 역방향 바이어스에 대해 전류를 차단하는 특성을 갖는다. ... 갖는다.그림 2 지너 다이오드의 V-I순방향 바이어스에서 지너 다이오드는 Si 접합 다이오드와 동일하게 전압의 증가에 따라 전류가 증가한다. ... 실험목적(1) 지너 다이오드의 전기적 특성을 이해하고 일반 다이오드와 다른 특성을 비교한다.(2) 지너 다이오드의 정전압 특성을 이해한다.(3) 지너 다이오드의 정전압 특성을 이용한

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.12.28

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  A+받은 다이오드 정류회로(반파정류,전파정류) 예비보고서 PSPICE

  실험 이론(1) 다이오드의 특성p형 Si(실리콘) 반도체와 n형 Si 반도체를 접합하면 다이오드가 형성된다. 이 반도체 소자는 전류를 한쪽 방향으로만 통과시키는 특성이 있다. ... 단, 이러한 그래프는 이상적인 다이오드에서의 전압-전류 관계이다.그림 3 다이오드의 V-I그림 4 Si 다이오드p-n 접합 다이오드의 실제적인 전압-전류 특성을 측정해보면 그림 4와 ... 실험목적(1) 다이오드의 순방향 및 역방향 바이어스에 의한 다이오드의 전압-전류 특성을 이해한다.(2) 다이오드 정류 회로의 동작을 이해한다.(3) 발광 다이오드의 특성을 이해하고

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.12.28

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