"Si3N4 whisker" 검색결과 1-18 / 18건

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  왕겨(벼의 껍질)를 이용한 질화규소(Si3N4) 분말 신제조법 연구(순도,사이즈,가격조건)(세라믹공정)

  l 결과 ▪ seed 를 넣지 않았기 때문에 whisker 가 발견 ▪ HCl 과 NaOH 처리로 인해 … - 6 시간 반응 시 생성물에 β - SiC 와 Si 3 N 4 만이 발견 ... 3 N 4 의 함량이 95% 이상이다 . ▪ Seed 를 넣어 whisker 의 생성을 막는다 . ... 사용 ▪ 미국산 왕겨분말을 ( Composition Materials of America.Inc ) 구입 Point 2 l Si 3 N 4 seed 를 사용 ▪ Si 3 N 4 (

  리포트 | 39페이지 | 20,000원 | 등록일 2020.12.20 | 수정일 2021.07.24

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  연속다공질 SiC-Si3N4 복합체의 미세구조 및 기계적 특성

  한국재료학회 이희정, 장희동, 이병택

  논문 | 5페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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  세라믹재료의 용도와 특성

  기구로 사용(SiC whisker-reinforced Al2O3, Si3N4)내열성발전기의 고정기, 터빈 날개, 세라믹 엔진에 사용 (Si3N4)내구성베어링 (Si3N4)SiO2실리카는 ... (UO3, UC), 연료 Cladding(C,SiC), 중성자 감속제(C,BeO)핵 융합티타늄 리액터, 융합 리액터의 내면에 사용(C, SiC, Si3N4)화학적 특성촉매배기 가스의 ... 그 밖의 용도로는 고무제품의 주요 원료로 고무와 유황의 반응을 촉진시켜주는 가황촉진제로서 고무중량의 4~5%정도 혼입되어 사용되고 있다.

  리포트 | 4페이지 | 2,500원 | 등록일 2010.04.14 | 수정일 2021.01.01

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  반도체 물리

  쌍의 생성과 재결합: 열 에너지 E(2)- 반응 상수(3)- 질량작용의 법칙(mass action law)(4): 캐리어 생성/재결합 속도를의 크기와 부호가 결정- 진성 캐리어 농도 ... 수2원소(binary)3원소(ternary)4원소(quaternary)5원소(pentanary)…SiC, SiGe, GaAs, InP, CdS …AlG정공 쌍의 생성과 재결합▷ 전자-정공 ... 기체: 최외각(outermost) 전자가 8개, 절연체▷최외각 전자가 4개뿐인 Si, Ge은 어떻게 최외각전자 8개를 만들까?

  리포트 | 14페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.04.18

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  반도체란 (물성적인 성질까지)

  기체: 최외각(outermost) 전자가 8개, 절연체▷최외각 전자가 4개뿐인 Si, Ge은 어떻게 최외각전자 8개를 만들까? ... 수2원소(binary)3원소(ternary)4원소(quate(가) 절대 0도, (나) 낮은 온도, (다) 높은 온도.전자-정공 쌍의 생성과 재결합▷ 전자-정공 쌍의 생성과 재결합: ... 열 에너지 E(2)- 반응 상수(3)- 질량작용의 법칙(mass action law)(4): 캐리어 생성/재결합 속도를의 크기와 부호가 결정- 진성 캐리어 농도(intrinsic

  리포트 | 23페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.10.16

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  질화규소

  + 6H2 + 2N2 -> Si3N4 + 12HCl- 3SiH4 + 4NH3 -> Si3N4 +12H22) 분말 및 공정 특성- Powder , Whisker, Bulk 제조가 가능 ... 실제 질화규소 구조에서 β-Si3N4(Z=2)형은 단위격자가 Si6N8이며 화학양론적인 Si3N4의 이상형과 거의 같다. ... or NH3 gas- 금속 Si --------------------> 질화반응 ---> Si3N4 분말1200～1400℃가열- 3Si + 2N2 -> Si3N4 ; ΔH = -

  리포트 | 18페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.08.29

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  나노파우더

  반응 분쇄(high energy reaction milling)를 이용하여 나노크기를 갖는 금속간 화합물(NiAl, TiAl등) 또는 탄화물(TiC, SiC, VC 등), 질화물(Si3N4 ... 응용분야1) 나노 입자와 이들의 응집체 제조 및 응용2) 고분자 나노 복합체의 응용3) 금속/세라믹 나노 복합재4) MEMS5) 생체 의료용 응용4. 전망5. 참고 문헌1. ... 분말을 이용하는 형태에 따라 (1) 분말 자체로 활용되는 경우, (2) 금속, 세라믹, 고분자 기지에 분산시켜 사용하는 경우, (3) 소재 표면에 코팅하여 사용하는 경우, (4) 벌크

  리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.10.30

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  [신소재]파인세라믹스

  -> Si3N4 + 12HCl- 3SiH4 + 4NH3 -> Si3N4 +12H2b. ... 기본반응1000℃- 3SiCl4 + 4NH3 -------> 비정질 Si3N4 + 12HCl-> 1450～1500℃에서 결정화 -> α-Si3N4- 3SiCl4 + 6H2 + 2N2 ... , 유기용매 제거-> Si(NH)2-> 하소 at 1000℃-> 비정질 Si3N4-> 결정화 at 1400～1450℃-> α-Si3N4④ 기상 반응법(CVD)a.

  리포트 | 89페이지 | 3,000원 | 등록일 2006.09.13

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  파괴된 제품에 대한 해석과 다른 재료의 선택

  ) 강화- 전위가 없는 고순도의 단결정, 이론강도에 가까운 강도- SiC, TiC, Si3N4, TiN, Al2O3 휘스커 개발장섬유 강화- monolithic 재료와 같은 돌발 파괴 ... 4〈그림 3〉과〈그림 4〉는 부러지지 않은 살대와 부러진 살대를 사진으로 나타낸다. ... 세라믹 기지 복합재료의 파괴 인성은 6 ~ 20MPasqrt {m} 로 향상된다.CMC의 종류▷강화재 크기별ⅰ Micrometer size 복합재료입자 강화- 제조공정 간단휘스커(whisker

  리포트 | 12페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.01.08

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  질화물

  치구④ MHD 발전로재, Plasma Jet로에 이용⑤ 원자료 材料⑥ Si3N4, AlN, ZrO2 + 10～40% h-BN -> machineble ceramics2. ... -> h-BN 생성1. ex) B2O3 + 2NH3 -> 2BN + 3H2O2. ③ 할로겐화 붕소(BF3, BCl3)(g) + 4NH3 -> BN + 3NH4Cl④ B2O3 + Mg ... or N2③ BPO3 -------------> BN1atm, 800℃④ B 소결체를 H2 + N2 gas 내에서 방전-> 미분말, 박막상 c-BN 형성3) 소결체 제조초고온, 고온

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.11.06

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  질화규소

  > α-Si3N4- 3SiCl4 + 6H2 + 2N2 -> Si3N4 + 12HCl- 3SiH4 + 4NH3 -> Si3N4 +12H22) 분말 및 공정 특성- Powder , Whisker ... 거의 없는 α-Si3N4의 합성이 보고됨으로써 Si-N 화합물로서 α-Si3N4가 존재한다는 것이 확인 되었다. ... 실제 질화규소 구조에서 β-Si3N4(Z=2)형은 단위격자가 Si6N8이며 화학양론적인 Si3N4의 이상형과 거의 같다.

  리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2005.05.19

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  [신소재]세라믹 복합재료

  지금까지 SiC, TiC, Si3N4, TiN, Al2O3 위스커 등이 개발되었는데 이 중 강도와 탄성계수 및 열적, 화학적 안정성이 우수한 SiC 위스커가 가장 널리 사용되고 있다 ... 즉, 단일재료의 문제점을 극복하기 위하여 세라믹 재료에 고강도의 섬유(fiber)나 위스커(whisker), 혹은 입자(particulate)등을 강화재로 첨가하여 복합재료를 제조하게 ... 강화 (whisker reinforced composite)위스커는 전위가 없는 고순도의 단결정으로 이론강도에 가까운 강도를 갖기 때문에 복합재료의 강화재로 널리 이용되고 있다.

  리포트 | 4페이지 | 2,000원 | 등록일 2004.03.13

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  [반도체]CVD 화학증착

  활성화된 CVD플라즈마에 의해 증착된 SiO2 또는 SiO2/Si3N4의 비활성 막(반도체의 표면에 보호막을 씌움)은 반도체 산업에서 상당히 중요하다.그의 논평에서 Yee는 반응적인 ... 경우에는 SiCl4(사염화규소)를, Ti증착의 경우에는 TiCl4(사염화티탄)를 반응 가스로 사용한다. ... 반응가스의 원활한 이송을 위해서 N2, H2등을 이송 매개로 이용하는데 이를 Carrier gas라고 한다.

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.05.26

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  [광섬유] 광섬유

  Si3N4 섬유는 휘발성 실리콘 화합물을 사용하여 CVD법에 의해 제조된다. 반응물인 SiC4와 NH3·Si3N4는 탄소 또는 텅스텐 기판 위에 증착된다. ... 이러한 탄소를 함유하는 Si-N프리커서의 열분해 시에는 Si3N4 이외에 SiC가 생성된다. BN(Boron Nitride)는 탄소섬유와 경쟁적인 재료이다. ... SiC(Nicalon) 제조의 개략도2.4. 기타 세라믹 섬유들Al2O3나 SiC 섬유이외에 Si3N4, B4C, BN등과 같은 여러 종류의 세라믹 섬유들이 있다.

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.05.29

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  복합재료에 대한 레포트

  , Si3N4, BeO, graphite 단결정 섬유들이 있으며 소지금속 재료로는 Ni, Cr, Al, Ti, Cu 등과 이들의 합금 등이 주로 강화 대상 금속들이다.단결정 섬유강화 ... 복합재료의 정의3. 복합재료의 역사4. 복합재료의 종류와 특성5. 제조 방법6. 나노복합재료7. 유리섬유 복합재료8. 단결정 섬유강화 복합재료(WRCM)9. ... 전기/전자 (Electrical/Electronics)3. 건축분야 (Building construction)4. 사회 간접자본 시설 (Infrastructure)5.

  리포트 | 79페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.11.25 | 수정일 2015.04.20

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  세라믹 재료와 금속자료

  3Si + 2N2 → Si3N4 (1)? 환원 질화법 [3]? 3SiO2 + 6C + 2N2 → Si3N4 + 6CO (2)? 기상 반응법 [4]? ... 3SiCl4 + 4NH3 → Si3N4 + 12HCl (3)? 3SiH4 + 4NH3 → Si3N4 + 12H2 (4)? 이미드 열분해법 [5]? ... Si3N4), 탄화규소(SiC), 지르코니아(ZrO2), 알루미나(Al2O3), WC, BN 등의 단일재료(monolithics)와 Al2O3-TiC, Si3N4-TiC, Si3N4

  리포트 | 41페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.04.21

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  [나노] SnO2 나노 센서

  모든 peak은 SnO2 rutile 구조와 같은 위치에서 나타나며, a = 4.742Å, c = 3.182Å이다. ... XRD를 통해 SnO2는 JCPDS card의 값과 일치하였고, a = 4.732Å, c = 3.184Å으로 bulk SnO2의 값과 일치하였다. ... (fig 14c) 얻어진 Sn nanowire는 SiO2/Si 기판에 증착시켜 열처리를 하게 된다.

  리포트 | 12페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.03.19

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  [세라믹 기지] 세라믹 기지 복합재료

  Si3N4/SiC 위스커90020.0열프레스 Si3N44703.7 4.5열프레스 Si3N4/SiC 위스커80056.0표> 섬유로 보강되지 않은 세라믹과 보강된 세라믹의 기계적 특성Al2O3 ... 1400Si3N4/SiC4.5 7.5850 15501200 1400표>세라믹 나노 복합재료의 기계적 특성제조 방법. ... {복합구조파괴인성값강도최대사용온도Al2O33.5 4.8350 1520800 1200Al2O3/Si3N43.5 4.7350 850800 1300MgO/SiC1.2 4.5340 700600

  리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2002.09.24

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