"TiSi2" 검색결과 1-20 / 20건

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  PVD 방법에 의한 TiN/TiSi2-bilayer 형성

  한국재료학회 최치규, 강민성, 김덕수, 이광만, 황찬용, 서경수, 이정용, 김건호

  논문 | 8페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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  TiSi2 박막의 열안정성에 미치는 막 스트레스의 영향

  한국재료학회 김영욱, 김영욱, 고종우, 이내인, 김일권, 박순오, 안성태, 이문용, 이종길

  논문 | 7페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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  C49 TiSi2상의 에피구조 및 상안정성

  한국재료학회 전형탁

  논문 | 7페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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  TiSi2의 상전이에 미치는 박막의 두께 및 기판의 방위의 영향

  한국재료학회 윤강중, 전형탁

  논문 | 9페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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  초청정 Si기판에 동시 증착된 TiSi2 의 상전이 및 형성

  한국재료학회 강응열, 조윤성, 박종완, 전형탁

  논문 | 6페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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  Si (001) 기판에서 N2처리에 의해 형성된 에피택셜 C49-TiSi2상의 열적 거동과 결정학적 특성에 관한 연구

  한국재료학회 양준모, 이완규, 박태수, 이태권, 김중정, 김원, 김호정, 박주철, 이순영

  논문 | 6페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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  Grain boundary diffusion에 의한 Si 기판에서의 TiSi2 성장

  Many experimental studies of TiSi2formation kinetics have been carried out.-. ... Pico and Lagally[14] obtained a non (time)1/2dependent growth. ... Murarkaand Guldan[8-9] also concluded that the silicide growth had (time)1/2dependence.-.

  리포트 | 29페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.12.10

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  반도체공정, 반도체고집적공학 예상문제+공정순서 정리

  metal line 저항)Acoustic measurement(film thickness)Thermal stressIC fabrication에서 Ti의 용도를 세가지 이상 나열하라TiSi2TiN

  시험자료 | 4페이지 | 2,000원 | 등록일 2022.12.15 | 수정일 2022.12.16

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  포항공과대학교(포스텍) POSTECH 일반대학원 신소재공학과 연구계획서

  샘플을 위한 확장 가능한 기질 개발 연구, 새로운 전기 자극 보조 장치를 이용한 설치류 점프력의 전임상 평가 연구, 용기 없는 공기역학적 공중부양 기술로 제조된 Sm3+ 도핑된 Ba2TiSi2O8 ... 농도가 (CaO-SiO2)-xAl(2)O(3) 슬래그의 밀도와 구조에 미치는 영향 연구, 단결정 FCC 마이크로기둥의 인장 및 비틀림 결합 하중에서 잠재 경화/연화 거동 연구 등을 ... 연구계획저는 포항공과대학교 대학원 신소재공학과 연구실에 진학한 다음에 저비용의 유연한 전자 장치를 위한 높은 면적 밀도를 갖춘 초박형 결정질 실리콘 나노 및 마이크로 멤브레인 연구, Al2O3

  자기소개서 | 1페이지 | 3,800원 | 등록일 2024.06.02

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  반도체 금속공정

  contact Ohmic contactSilicide Process Silicide 재료 기준 : 높은 열적 안정성 , 낮은 비저항 , 낮은 접촉저항 , 적은 실리콘 소모량 현재 : TiSi ... ) 증착 PR coating- photo- develop- SiO 2 etch- PR strip- Cu 매립 - CMP- 절연막 (SiO 2 ) 증착StructureStructure ... 2 , CoSi 2 많이 사용되나 NiSi 가 나노급 소자에서 증가할 것으로 예상 살리사이드 ( Salicide , Self-Aligned Silicide ) 실리콘 위에 금속 sputtering

  리포트 | 15페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.02.26

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  [반도체공정]Thermal Process 열공정 레포트 및 문제풀이

  NiSi는 CoSi2와 TiSi2에 버금가는 저항으로 약 450도의 낮은 온도에서 형성될 수 있다는 장점이 있다. ... 첫 450도 어닐링에서는 CoSi를 형성하고 두번째 700도 어닐링 과정에서 CoSi2가 형성된다. RTP에서 어닐링은 700~750도의 온도에서 CoSi2를 한번에 형성시킨다. ... 반도체공정2Thermal ProcessesThermal process hardware1.

  리포트 | 16페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.09.25

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  [시험자료] 반도체 공정 및 응용 기말고사 정리 (족보)

  silicide: TiSi2, CoSi2 등의 합금을 실리콘과 먼저 결합하여 Schottky Contact으로 인해 높은 저항이 발생하는 것을 낮춰주기 위한 공정이자 화합물? ... 900도에서 DCS(디클로로실란),S`iC`l _{2} H _{2} +2N _{2} O` rarrow`S`iO _{2} +2N _{2} +2HC`l25. ... Angle}2P _{2} O _{5} +5S`i? ?4P+5S`iO _{2}2As _{2} O _{3} +3S`i? ?

  시험자료 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2019.12.02 | 수정일 2024.05.14

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  반도체공정실험 예비보고서(silicidation)

  TiSi{} _{2} 나 CoSi{} _{2}와 같은 silicide는 낮은 면저항을 갖는 silicide 상 형성온도가 높기 때문에 silicide 형성 후 열 안전성이 좋다. ... 그림 2과 같이 Ni은 Si와 Annealing temperature 200℃에서 반응하여 Ni{} _{2}Si를 생성한다. ... (NiSi{} _{2} Resistivity : 34-50 cm / Cubic Structure), 그 다음으로 Ni{} _{2}Si(Resistivity : 24-30 cm / Orthorhombic

  리포트 | 3페이지 | 5,000원 | 등록일 2014.09.23 | 수정일 2021.04.11

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  반도체 입문교제(Metal)

  Resistivity의 범위 는 50 ~ 100 uΩ-Cm로 Salicide보다 크다. 2) Salicide TiSi2 및 CoSi2, low resistivity(~ 15 uΩ-Cm ... 다음 sputter 방식으로 Ti이나 Co를 증착한후, RTP(Rapid Thermal Process) 열처리를 실시하면 Ti이나 Co가 Si과 접촉한 부위에서만 Silicide(TiSi2 ... 제거 ② Ti 380Å or 460 Å Sputtering ☞ 17.7 ohm/sq ③ Silicide Form by RTP of 750 C, 30 sec (C-49 phase TiSi2

  리포트 | 30페이지 | 2,500원 | 등록일 2010.11.08 | 수정일 2016.05.08

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  나노와이어 에대한 조사보고서Total of Nanorods (or Nanowires)

  Porous rod 제작Ti, SiSi, TiSi substrateSiForm Zn2SiO4, Zn2TiO4 Si, TiDecompose to Zn O2HoleSi substrateZnO ... to Zn O2Si substrateA thin Layer of tinZn Vapor O2Zn Vapor O2Si substrateSnZnO nanowire= 2 ZnO + SiO2 ... nanowireZn2SiO4, Zn2TiO4 LayerTi와 Si가 승화1300℃, 200~300 torr알루미늄 제거NaOHExperimental section4.

  리포트 | 18페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.03.26

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  [반도체공학] ION IMPLANTATION & RAPID THERMAL PROCESS

  (650℃, 30sec) TiSi2 Anneal(850℃, 20sec)4. ... TiSi2형성을 위해 고안된 것인데, CONTACT 부위의 Ti SILICIDE FORMATION 을 위한 것이다. ... SILICIDE FORMATION은 높은 저항을 가진 C49에서 TiSi2가 형성되는데, C49 → C54로의 PHASE TRANSFORMATION이 POLY LENGTH감소에 따른

  리포트 | 33페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.02.21

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  박막의 표면처리 및 식각 실험 예비보고사

  및 Photo, Etch 공정을 거쳐 Field Oxide(FOX) 및 Gate Oxide를 성장시킨뒤, CVD와 위과정을 또 거쳐 Poly-Si(Gate) 및 Sillicide(TiSi ... /실험제목/박막 재료의 표면 처리 및 PR 제거/2. ... 식각 깊이- GaN template wafer (within 2μm)- Sapphire wafer (within 2μm)?

  리포트 | 13페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.06.04

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  반도체 공정

  formationN-wellP-wellNPN-implantP-implantNPN-wellP-wellNPN-implantP-implantNPTiNWafer 표면을 Etchinggn에 Ti를 sputtering Ti 와 Si와 반응해서 TiSi2를 ... 제거하기 위해 Cleaning SiO2 layer를 Si표면에 Thermally 성장 Si3N4 를 LPCVD로 증착 3SiH4 + 4NH3 Si3N4 +12H2 Photoresist를 ... 노출된 Photo resist 부분은 사라진다 Si3N4 는 dry etching에 의해 사라진다 Si3N4 + 12F 3SiF4 + 2N2Si, (100), P type, 5-50Ω

  리포트 | 19페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.03.19

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  [스포츠] 국내골프용품 시장조사

  , 킹코브라SS티타늄, 핑TiSI텍, 스릭슨 Hi-COR XXIO, 윌슨 딥레드 등이 아담스에 이어 우수한 드라이버로 선정됐다. ... 서론 ……………………………………………………………………. 2Ⅱ. 본론A. 국내 골프용품시장의 발달 역사i. 골프클럽 ……………………………………………………………… 2ii. ... 타이틀리스트 프로V1스타,윌슨 트루 등이 공동 2위에 뽑혔다.

  리포트 | 9페이지 | 1,500원 | 등록일 2003.06.14

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  [품질관리] 국제표준화기구 - ISO

  SIS)1947가나(GSB)1966스위스(SNV)1947그리스(ELOT)1955시리아(SASMO)1981헝가리(MSZH)1947탄자니아(TBS)1979아이슬란드(STRI)1992태국(TISI ... ISO의 조직 및 운영2.1 총 회2.2 이 사 회2.3 기술관리부2.4 기술위원회2.5 중앙사무국2.6 회 장2.7 부 회 장2.8 재 무 관전산통계학과 4학년31970766신상헌1 ... ISO 개요1.1 목 적1.2 회 원1.3 재 정1.4 언 어2.

  리포트 | 14페이지 | 1,000원 | 등록일 2002.10.28

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