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"Wet Etchant" 검색결과 1-20 / 64건

  • 식각액(Wet Etchant)제조공정의 품질향상을 위한 강건설계에 대한 연구
    대한안전경영과학회 최용석, 황덕형, 조광희, 오선일, 강경식
    논문 | 11페이지 | 4,200원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05
  • (LCD) Manufacturing Processes (제조 공정)
    前 세정 Etch 실 Rinse 실 DI 세정 상부 분사 Nozzle  Etch 실에서 상부의 Etchant 분사 Nozzle 에 의해서 Etchant 가 분사 (Spraying ... 않아 Gate Metal 이 전부 제거되지 않고 잔존할 경우 Critical 한 불량 발생 요인이 됨 E/R 의 경우 Etchant 특성이며 , E/R 을 높일수록 공정의 Tact ... 형성될 경우 Step Coverage (Gate Metal 이후 증착되는 Profile) 가 악화되어 상위 Metal 의 단선이 발생할 가능성 有  E/R 의 상향하기 위해서 Etchant
    리포트 | 14페이지 | 2,500원 | 등록일 2022.03.21 | 수정일 2022.03.25
  • [고분자재료실험]ITO patterning 결과레포트
    Etching은 그 방법에 따라 크게 wet etching과 dry etching으로 나누어지는데 wet etching은 주로 liquid상태의 chemical을 사용하는 모든 종류의 ... ITO etchant에 dipping하여 경과를 보면서 ITO를 식각 후, 식각된 부분 이외에 남아있는 PR을 제거하기 위하여 stripper에 dipping하여 제거한다4. ... 스며들지 않도록 둘의 결합을 강화하고 수분을 제거하는 과정이다.Etching: PR의 보호를 받지 않는 곳을 etchant를 사용하여 제거한다.Stripping: etching과정에서
    리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.01.21
  • PDMS를 이용한 Micro pyramid 제작
    또한 빛을 받았을 때 용해도가 내려가고 경화된다.)2) #4 식각 공정에 대한 설명•Wet etching: etchant를 이용해 식각하며 화학적 반응을 이용한다. ... BOE는 NH4F: HF=6:1로 희석한 etchant다. ... 다 silicon이다. si etching 후 oxide strip까지 하면 아래 그림과 같이 나오기 때문이다.2)SEM image를 보고 해당 이미지의 etching에 대해 설명Wet
    리포트 | 6페이지 | 1,500원 | 등록일 2023.08.03 | 수정일 2023.11.08
  • ITO Patterning 예비
    Etching은 그 방법에 따라 크게 wet etching과 dry etching으로 나누어지는데 wet etching은 주로 liquid상태의 chemical을 사용하는 모든 종류의 ... 유기전자 디바이스의 Patterning 공정에서는 wet etching 방식을 사용한다. ... ITO 박막의 대표적인 etchant로서는HCl + Fe2Cl3 + H2O = 2 : 1 : 1HCl + HNO3 + H2O = 1 : 0.08 : 1가 있다.ITO가 etching되고
    리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2019.12.16
  • 정보디스플레이학과 광전자공학 3차 준비 보고서 리소그라피 장비 종류 및 구동 방법
    Wet etch는 크게 분사 방식과 담금 방식이 있다.Wet etch 의 공정 흐름과 장비 구성Glass loading-유기세정(이 모듈은 excimer UV 또는 상압 plasma ... Mask 수 저감 및 성능 향상을 위한 가격, 기술력이 필요하다.EtchingWet etching스퍼터에서 증착된 금속을 화학약품(etchant)을 사용하여 원하는 모양(photo ... 를 사용하여 유기 이물을 제거하는 공정)-neutral unit(etchant fume의 유출을 방지함)-etch구간(spray nozzle type, shower swing oscillation
    리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2024.01.30
  • 8대공정 요약
    Wet etching은 etchant를 이용하여 물질을 제거하는 방식으로 공정이 용이하고 selectivity가 우수하지만, 등방성 식각을 하여 미세 패턴에는 적합하지 않습니다. ... Dry etching은 wet etching에 비해 비용이 비싸고 까다로운 단점이 있으나, 최근에는 나노 단위로 고집적화되는 반도체 기술 변화에 따라 수율을 높이기 위한 방법으로 wet ... Wet oxidation은 산소와 함께 용해도가 큰 수증기를 함께 사용하여 성장속도가 빠르고 두꺼운 막을 형성할 수 있지만, 산화층의 밀도가 낮습니다.
    리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.04.11
  • 반도체 8대 공정 정리
    가장 기본적인 식각 공정의 메커니즘은 1) 식각 물질 (Etchant) 의 식각 대상 표면까지의 확산 , 2) 화학적 반응 (Reaction), 3) 반응 부산물의 용액으로의 확산이다 ... 오히려 Wet 과 Dry 를 나누 는 주요 기준은 플라즈마 방식을 이용하여 식각을 하는지 여부에 달려있다고 볼 수 있 다 . ... 식각 공정의 종류에는 용액을 이용하는 습식 식각 (Wet Etch) 와 플라즈마를 이용하는 건식 식각 (Dry Etch) 가 있다 .
    리포트 | 56페이지 | 2,500원 | 등록일 2024.06.09
  • 초미세공정 족보 정리본 - A+ 학점 확정
    되면 에칭 시 계면활성제가 실리콘 표면을 덮어주어 etch rate을 전체적으로 비슷하도록 맞춰줄 수 있으므로, 이를 이용하여 과도한 언더컷 형성을 막아줄 수 있다.자주 쓰이는 wet ... 그 후 etchant에 담가 n-type 쪽에 양극을 연결하고 counter electrode에 음극을 연결하여 electrochemical etching을 하여 backside를 ... Time-based etch stop웨이퍼를 etchant로부터 꺼냄으로써 etch stop을 하는 방법으sic stress를 갖고 있을 경우 back etching이 완료되는 시점에
    리포트 | 23페이지 | 2,000원 | 등록일 2019.10.16 | 수정일 2019.10.22
  • 재료공학기초실험_광학현미경_저탄소강미세구조관찰
    Wet etching? 정의: 웨트 에칭(Wet etching)이란 목표 금속만을 부식 용해하는 성질을 가지는액체의 약품을 사용하는 에칭이다. ... 높은 미세 가공이 어렵다.- undercut 발생, 용액의 측면 침식으로 미세 pattern 구현이 어려움(3um 이하 어려움)- 약품의 온도에 따라서 에칭 속도가 변화된다.- Etchant
    리포트 | 9페이지 | 1,500원 | 등록일 2023.05.22
  • [반도체공정실험]Cleaning & Oxidation, Photolithography, Dry etching, Metal Deposition, Annealing(Silcidation)
    실험 과정1) BOE(Buffered Oxide Etchants) 용액을 이용하여 기존에 존재하는 Oxide층과 Wafer의 표면 유기물, 이온, 금속 물질을 화학적으로 제거한다. ... Tube Furnace를 이용하여 Wet oxidation을 실시한다.Oxidation은 1000도에서 진행되며 2시간, 4시간, 6시간 세 번 진행된다.6) Ellipsometer을 ... 이 때 세정되는 표면의 특성이 친수성(hydrophilic)인가 소수성(hydrophobic)인가에 따라서 용제의 선택과 첨가물의 선택이 달라져야 한다.5) Wet oxidationVertical
    리포트 | 19페이지 | 5,500원 | 등록일 2022.09.17
  • 기판 건식, 습식 클리닝 공정 정리
    세정법은 유기 오염물 중에서도 포토레지스트와 같은 무거운 유기 오염물을 효과적으로 제거하며 세정 후 기판 위에 화학적 산화막을 형성시키며 기판 표면을 친수성으로 만들고 다른 세정액의 wetting을 ... 또한 HF와 불화암모늄이 1:7의 혼합비율로 구성된 BHF(Buffered oxide etchant)는 강산인 HF로부터 포토레지스트 중합체의 손실을 줄이고 유전체 박막의 식각을 위해 ... 줄이거나 pinhole에 결함으로 작용하는 역할을 한다.공정 중 자연적으로 발생할 수 있는 산화막은 epi 층의 품질을 저하시 쉽지 않고 HF 자체가 BOE(Buffered oxide etchant
    리포트 | 9페이지 | 4,000원 | 등록일 2021.11.12
  • [시험자료] 반도체공정및응용 중간고사 정리 (족보)
    Wet 혹은 dry chemical etching의 원리를 그림을 이용하여 간략하게 설명하세요.? ... wet etching : 필름을 attack하는 용액에 웨이퍼를 넣어주되 마스크는 attack 하지 않는다.? ... Buffered oxide etchant (BOE)의 성분 및 그 특징을 설명하세요.? BOE 불화 암모늄 (NH4F), 불화 수소산 (HF)과 같은 완충제 의 혼합물이다.?
    리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2019.10.20 | 수정일 2019.12.02
  • 금속조직학 및 미세조직 관찰 A+ 실험레포트
    그라인딩시 열 발생을 최소화하고 페이퍼의 수명을 연장하기 위하여 웨트 그라인딩(wet grinding) 을 이용한다. ... 그렇기 때문에 적당한 부식액(etchant)으로 관찰할 연마면을 부식시키면 결정입계, 상의 경계, 상의 종류, 결정방향 등이 부식 정도에 따라 다르게 나타나므로 조직을 관찰할 수 있게
    리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2020.12.22 | 수정일 2021.01.26
  • 반도체공정-Etching(wet,dry)
    Etching( wet,dry ) Contents Etching 이란 ? Etching 의 중요한 parameters Wet Dry Etching RIE 란 ? ... (Reactive Ion Etching) Wet Dry Etching- wet etching Etch 속도를 조절하는 방법 출처 Etching 이란 ? ... Etching( 식각공정 ) : 필요한 회로 패턴을 제외한 불필요한 부분을 액체나 기체의 Etchant( 플라즈마도 포함 ) 를 이용해 선택적으로 제거하는 과정 도체를 구성하는 여러
    리포트 | 14페이지 | 1,500원 | 등록일 2019.02.27
  • 반도체공정-식각공정
    포토공정(빛과 감광액)을 통해 부식 방지막을 형성하고, 부식액 역할을 하는 etchant로 불필요한 회로를 벗겨 내는 것이다.? ... 식각공정은 습식(wet etching)과 건식(dry etching)으로 나뉜다. 이는 식각 반응을 일으키는 물질의 상태에 따라? 나뉘는 것인데. ... 식각공정(Etching)에 대해 소개해 드리겠습니다.식각 공정은 필요한 회로 패턴을 제외한 나머지 부분을 제거하는 과정▲ 식각공정(Etching)식각공정은 웨이퍼에 액체나 기체의 etchant
    리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2019.02.27 | 수정일 2020.09.16
  • 반도체 제조 공정 에칭
    Etching 9 /12 용액성 화학물질을 사용하여 에칭 Wet Etching 화학적 반응 - Oxidation - Dissolution of the oxide Wet Etchant ... 3 /12종류 4 /12 Wet Etching ( 습식 식각 ) . 액상의 Chemical (Etchant) 사용 . Isotropic Etching ( 등방성 식각 ) . ... Etchant 소요에 따른 유지비, 폐액처리 비용 및 환경측면에 문제 - Dry Etching ( 건식 식각 ) .
    리포트 | 13페이지 | 1,000원 | 등록일 2016.03.31
  • [고분자공학실험]ITO Pattering 공정
    식각 공정은 그 방식에 따라 크게 wet etching과 dry etching으로 구분하는데, wet etching이란 금속 등과 반응하여 부식시키는 산(acid)계열의 화학 약품을 ... etching에서의 선택적 etching은 특정 물질에만 반응하도록 몇몇 화학약품을 조합하여 etchant를 만들어 사용함으로서 가능하며 dry etching의 경우 특정 물질에만 ... layer에는 영향을 주지 않고 표면의 layer에만 반응하여 식각하는 것을, 비선택적 etching은 기타 다른 layer와도 반응하여 여러 layer를 동시에 식각하는 것을 말한다. wet
    리포트 | 4페이지 | 2,000원 | 등록일 2017.11.12 | 수정일 2020.08.05
  • [고분자재료실험] 6. ITO Patterning - 예비
    ITO etchant- 식각액(wet etchant)이란 photolithography 공정 중 식각 공정에서 사용되는 재료이다. ... Etching은 그 방법에 따라 크게 wet etching과 dry etching으로 나누어지는데 wet etching은 주로 liquid상태의 chemical을 사용하는 모든 종류의 ... 유기전자 디바이스의 Patterning 공정에서는 wet etching 방식을 사용한다.
    리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2014.12.26
  • 반도체공정실험 예비보고서(Wafer Cleaning & Oxidation)
    있으며 HF{} _{2}-가 major etchant로 쓰인다. ... 산화막을 성장시키는 기술엔 wet oxidation(습식 산화)와 dry oxidation(건식 산화)이 있다. wet oxidation은 그림 3과 같이 H{} _{2}O 증기 하에서 ... 이번 실험에서 이용될 BHF(or BOE, Bufferd oxide etchant) 세정은 DHF 대신 산화물을 제거하는 방법으로 HF와 NH{} _{4}F가 1:7의 혼합비율로 구성되어
    리포트 | 4페이지 | 5,000원 | 등록일 2014.09.23 | 수정일 2021.04.11
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2024년 09월 15일 일요일
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- 작별인사 독후감
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- 국내의 사물인터넷 상용화 사례를 찾아보고, 앞으로 기업에 사물인터넷이 어떤 영향을 미칠지 기술하시오
5글자 이하 주제 부적절한 예)
- 정형외과, 아동학대