"a-SiOx" 검색결과 1-15 / 15건

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  [물리학과][진공 및 박막실험]Ellipsometer를 이용한 박막의 두께 측정 결과 보고서

  A1 = 116.3°P1 + P2 = 444.7°444.7° - 360° = 84.7°Ψ = (180-116.3)/2 =31.85°△ = 360° ? ... 실험결과A1 : 32.8°P1 : 358.5°A2 : 149.1°P2 : 86.2°A2 ? ... 시료는 단층박막이나 몇 개의 층으로 이루어진 다층박막이며, 각각의 층이 같은 종류(예를 들면 Si와 SiOx 등)의 등방적이고 비흡수성인 물질로 가정된다.

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.09.23

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  12주차 LTPS, a-Si LCD 패널 분해(정보디스플레이학과 AMD실험 보고서)

  TN, a-Si Inverted staggered 방식을 사용한 FFS 패널이었다. ... LTPS, a-Si LCD 패널 분해실험일: 2018.05.24실험 목적분해한 LCD 패널의 C/F 및 TFT Backplane, 각 Sheet의 물리적, 광학적 특징을 분석 및 이해한다.실험 ... MI MAX 6.44 inch (IPS mode, a-Si)Panel size(PPI)6.44(342)Resolution1920*1080LC ModeIPS(FFS)LC Operating

  리포트 | 18페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.02.19 | 수정일 2021.03.20

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  RF 마그네트론 스퍼터링에서 증착거리와 증착온도가 무기 액정 배향막의 물리적 성질에 미치는 영향에 대한 연구

  한국재료학회 박정훈, 손필국, 김기범, 박혁규

  논문 | 8페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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  AMOLED -Backplane Encapsulation

  , p.11-14(2011) - 무기물과 유기물의 박막을 교차로 증착하여 encapsulation 하는 기술 - 무기물로 SiOx , SiNx , AlOx , 유기물로 Polymer ... 등의 단점을 보완하기 위해서 a-Si TFT, OTFT, Oxide TFT 등의 기술이 활발히 이루어 지고 있다 . ... Backplane 구현을 위한 TFT - Si 기반 TFT : poly-Si TFT, nc -Si TFT, a-Si TFT - 유기물 반도체 기반 TFT : Organic TFT(OTFT

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2013.01.30

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  이차전지 음극활물질

  전지 제조업체인 Maxell 에서는 신에츠에서 개발한 10~20%SiOx/C 를 흑연에 섞어 이용한 전지를 개발하였으며 , 삼성전자 ( 스마트폰 用 ) 에 납품하였음 쿠레하社의 하드카본은 ... 리튬 이온 전지 ( Lithium-ion battery, Li-ion battery)는 이차 전지의 일종으로서, 방전 과정에서 리튬이온이 음극에서 양극으로 이동하는 전지이다. ... %3D1%26hl%3Dko%26gbv%3D2%26tbm%3Disch itbs=1 sa=X ved=0CEEQrQMwCw리튬 이차 전지의 음극 탄소 소재 변화 추이 전지의 에너지밀도에

  리포트 | 28페이지 | 1,000원 | 등록일 2015.05.27

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  결정질 실리콘 태양전지용 기판의 텍스쳐링

  SiNx 및 SiOx 박막 등을 제거하는데 사용하는 방법으로 plasma etching과 reactive ion etching 등이 있다.3. ... 25EC%25A0%2584%25EC%25A7%2580-%25EC%25A0%259C%25EC%25A1%25B0%25EA%25B8%25B0%25EC%2588%25A0-%25ED%258A ... %25A7%2580-%25EC%25B4%2588%25EA%25B3%25A0%25ED%259A%25A8%25EC%259C%25A8-%25ED%2583%259C%25EC%2596%2591%

  리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2011.11.15 | 수정일 2023.05.26

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  TFT LCD의 TV용에 사용되는 VA Mode의 기술적 분석

  of Multi-domain ModesFour-domain VA mode has a good electro-optical qualityTNIPSElectro-Optical PropertyResponse ... evap.('91 IDRC) Kent ; SiOx + photolithography, 4D-TH TN ('96 JJAP) LG.Philips ; M/D VA by photo-alignment ... Patterning Dielectric FrameVA mode technologies for wide viewing angleTilted Homeotropic AlignmentIBM ;SiOx

  리포트 | 20페이지 | 3,000원 | 등록일 2009.02.08

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  Color TFT-LCD의 구조 및 동작 원리

  p-Si(poly-silicon:다결정 실리콘) TFT-LCD로 나눌 수 있으며 현재 가장 많이 사용되고 있는 TFT-LCD의 경우 a-Si 이 가장 많이 사용된다. ... Simulation1.1 Color TFT-LCD의 구조Color TFT-LCD는 사용하는 TFT 소자의 종류에 따라 a-Si(amorphous-silicon:비정질 실리콘) TFT-LCD와 ... 그 이유는 a - Si TFT의 경우 TFT-Array 제조공정에서 기판 처리온도가 상대적으로 낮은 300~350℃ 이하에서 진행되기 때문에 p-Si TFT와 달리 유리 기판을 사용할

  리포트 | 67페이지 | 10,000원 | 등록일 2011.06.12

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  HfO2 /HfSixOyNz gate oxide ALD 리포트

  , KoreaReceived 10 August 2007; accepted 22 October 2007; published 29 November 20071조한재용이기석차상민이성영A downstream ... In order to suppress the growth of an unintentional interfacial layer such as HfSixOy and SiOx (x>> SiOz ... ,Hf-Si-O, Si-O-N, SiNx peak가 증가했음을 알 수 있다.5 cycles 의 RPALD(N2, O2 mixed plasma) 이후 생성된 HfSixOyNz film의

  리포트 | 20페이지 | 2,500원 | 등록일 2009.09.03

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  (포장학)기능성 필름:Ag-zeolite 필름

  포장의 정의한국 KS(KS A 1006)에서 「포장이라 함은 물품의 유통과정에 있어서, 그 물품의 가치 및 상태를 보호하기 위하여 적합한 재료 또는 용기 등으로 물품을 포장하는 방법 ... 코팅탄산가스EVOH, SiOx 코팅수분HDPE, OPP, Al 증착, SiOx 코팅빛(UV)Titanium oxide 첨가, Iron oxide 첨가, Hydroxybenzophenon ... - 서론 -1.

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.06.05

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  세라믹재료 분체의 표면처리

  실리콘카바이드 ( SiC ) : 표면은 Si-C 와 동시에 제법 많은 부분은 SiOx 가 되어있고 , 그 결과 표면 수산기를 지니는 것으로 고려된다 . 2 산화몰리브덴 (MoO 2 ... 표면처리의 목적과 효과 ZnO 배리스터 ZnO – Bi 2 O 3 계 배리스터 매우 얇은 석출층이 성장 ( 그림 (a)), 이 석출 생성층은 전압 – 전류의 비직선 성장특성 ( 그림 ... (a)) 입자표면에 관능기가 없는 경우 먼저 관능기를 생성시킴 먼저 그래프트화를 산화오스메늄으로 처리하면 그래파이트 표면에 있는 벤젠환의 서로 이웃하는 곳에 수산기가 생성함 .

  리포트 | 23페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.12.06

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  산화물반도체,Oxide Semiconductor

  통한 IGZO-TFT의 성능향상에 대한 연구결과와 Bottom-gate structure의 TFT에 있어서 공정중 IGZO Channel이Damage를 입는 것을 방지하기 위한 SiOx를 ... Excimer Laser Annealing(ELA) poly-Si TFT의 경우, a-Si TFT에 비해서 높은 이동도를 갖으며, threshold voltage shift현상이 적다는 ... )기반의 TFT소자의 mobility에 한계를 느꼈으며, 둘째, 기존 a-Si 기반의 소자는 bias stress에 의해 treshold voltage(문턱전압)이 shift하는 현상에

  리포트 | 9페이지 | 2,500원 | 등록일 2009.10.18

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  TFT-LCD의 특징 및 제작원리

  절연막, 비정질 실리콘, n+ 증착 게이트 절연막은 SiOx/SiNx, AlOx/SiNx 등의 이중막으로 redundancy 구조이다.위에 active 층인 a-si:H을 증착하고 ... equivalent circuitData 구동 ICPCB유리기판표시부PCBGate 구동Data 구동회로a-Si TFT-LCDpoly-Si TFT-LCD컬러 TFT-LCD panel ... ----++V'DSVDSV'GSVGS+VGS=V'GS + IDrSVDS=V'DS + ID(rS+rD)Equivalent circuit of a-Si:H TFTSourceDrainGate

  리포트 | 22페이지 | 3,000원 | 등록일 2007.10.26

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  [공학]유기발광다이오드 (OLED)

  A 3-in full-color flexible OLED display [4]4. ... A Introduction and the Future Prospect of OLEDHyung-Seok Park (朴亨錫)1. ... 이전 연구논문에서 수분의 불투수력이 10-5g/m2/day 만큼 되야한다는 것이 밝혀졌다.[5] 그러나 가장 평이한 SiOx는 불투수력이 좋지 않다.

  리포트 | 5페이지 | 4,000원 | 등록일 2007.02.27

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  [환경] 응집제의 종류 및 장단점

  + K × R) - A1] × FW : 알카리제 주입율(㎎/ℓ)A1 : 원수중의 알카리도(㎎/ℓ)A2 : 처리수의 잔류 알카리도(㎎/ℓ)K : 응집제별 알카리도 주입율(㎎/ℓ)R ... 폴리황산알루미늄규산(Poly Aluminium Sulfate Silicate : Ala(OH)b(SO4)c(SiOx)d )이 응집제는 최근에 캐나다에서 개발된 응집제로 PASS라고도 ... ·무기 응집제ㄱ알루미늄- 칼륨명반, 알루민산나트륩, 황산 알루미늅, 암모늄 명반.ㄴ철염- 황산 제1철, 황산 제2철, 염화 제2철, 염소화 copperas.ㄷ무기제조- 소석회, 소다회

  리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.05.25

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