"cma cgm" 검색결과 1-20 / 335건

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  A+ 전자회로설계실습_MOSFET 소자 특성 측정

  Saturation 상태에서 이므로, 이다.따라서 이다.3.1의 (A)의 값인 223mA/V^2와 gm값인 133.8mA/V보다 약간 큰 값을 가짐을 확인할 수 있었다.PSPICE를 ... 상에서 값은 56.23mA정도이다. ... pinch-off되어 channel의 길이가 변하지 않기 때문에 전류가 일정하나, 실제 상황에서 Saturation 영역에서 가 커지면 channel의 길이가 짧아지는 Channel-length

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2024.08.21

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  중앙대 전자회로 설계 실습 결과보고서4_MOSFET 소자 특성 측정

  오차율은 각각 15% 정도가 나온다.측정kn3.502222측정gm2.101333예비레포트kn4.166667예비레포트gm2.54.2 가변에 따른 특성 곡선 측정(A) Power Supply ... (C) 측정한 데이터를 이용하여 MOSFET의 특성곡선을 구하여라.(0V ~ 측정데이터)(D) 위의 결과를 이용하여 를 구하고 3.2(c)의 결과와 비교하여라.그래프를 참고하였을 때 ... .*************21230235323332340423433440524534541(C) =+0.6V인 경우, 를 구하라.

  리포트 | 5페이지 | 2,000원 | 등록일 2024.03.05 | 수정일 2024.03.11

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  [전자회로실험 결과보고서바이폴라 트랜지스터의 바이어스 해석(A+)

  실험에서beta 값이 모두 데이터 시트의 범위 내에서 관찰되었다.gm과r _{PI }는 다음과 같은 공식으로 계산하였다.gm ={I _{C}} over {V _{T}}r _{PI } ... 고정 바이어스 회로와는 달리 VB와 VC값은 크게 변화하지 않았다.gm과r _{PI }는 다음과 같은 공식으로 계산하였다.gm ={I _{C}} over {V _{T}}r _{PI ... 회로.2.1.2 실험 방법1) 그림 2-1의 회로를 구성하라.2) VBB를 0V에서 8V까지 0.5V 간격으로 변화시키면서 VB와 VC를 측정하고 이로부터I _{B} `와I _{C`

  리포트 | 1페이지 | 2,000원 | 등록일 2022.03.04

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  전자공학실험 16장 전류원 및 전류 거울 A+ 결과보고서

  length modulation에 의한 저항 ro3와 M3의 diode connected로 인한 저항 1/gm3의 병렬연결인 ro3||(1/gm3)이 되는데, ro3는 channel ... 그 결과 RREF=164.25[Ω]일 때I_1=10.436mA, Vpbias=1.657[V], RREF=77.787[Ω]일 때I_1=20.292mA, Vpbias=1.566[V], ... RREF=51.324[Ω]일 때I_1=30mA, Vpbias=1.489[V] 의 값이 측정됨을 알 수 있다.

  리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2024.05.13

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  전자공학실험 14장 MOSFET 다단 증폭기 A+ 결과보고서

  구하면 gm1=2ID1/Vov1=0.496mA/1.107V? ... =1.6003V가 되고 각각의 gm을 구하면 gm1=2ID1/Vov1=0.497mA/1.117V? ... 0.89[kΩ]-1, gm2=2ID2/Vov2=0.496mA/1.122V?0.884[kΩ]-1, gm3=2ID3/Vov3=7.813mA/1.6003V?9.76[kΩ]-1이 된다.

  리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2024.05.13

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  BJT증폭회로(Common Base, Emitter Follower) 기본특성 실험 결과레포트

  G}=16.175ΩR _{S}=500ΩAv= {dVout} over {dVs}=8.376Rc=4.6k Ic=1.960mA gm=Ic/Vt=0.0754OMEGA ^{ -1}A_{ V} ... _{E}}=127.050ΩR _{G}=27.05Ω이다.Rs=500ΩAv= {dVout} over {dVs}=8.16Ic=1.998mA gm=Ic/Vt=0.0768OMEGA ^{ -1 ... gm=Ic/Vt=0.0754OMEGA ^{ -1}A_{ V}={g _{m} R _{C} `R _{E}} over {R _{E} +(1+g _{m} R _{E} )R _{S}}=40.377

  리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2021.06.01

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  실습6. Common Emitter Amplifier 설계-에이쁠-예비보고서

  |RL)=-100/2.5k=40mS(C) 적절한 수식을 사용하여 (b)의 gm을 얻기 위한 IC를 구하고 IB, IE를 구하라.gm=IC/VT이고 상온 25oC에서 VT=25.7mV이므로IC ... -부하저항에서 바라본 출력 저항은 RC이므로 RC=RL일 때 부하저항에 최대전력이 전달된다.RC=RL=5k옴(B) gm을 구하라.Av=-gm(RC||RL) 이므로gm=-Av/(RC| ... =gmVT=40*25.7*10-6A=1.028mAIB=IC/β=1.028mA/100=0.010mAIE=IB+IC=IC*(β+1)/ β=1.01*1.028mA=1.038mA(D) 앞의

  시험자료 | 6페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.09.04

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  전자회로응용및실험 A+ 실습과제 한양대 에리카

  (즉, load 시스템의 동작에 따라 current 가 변경하는 상황임.)(1장에서 load current 스펙만 변경됨. 2장에서는 load current가 최소 1mA, 최대 100mA의 ... 기초 Voltage Regulator 설계 2Load current 범위: 1 mA ~ 100 mA. ... Load current가 0.8 mA에서 1.2 mA로 1 ps (pico second)만에 급격히 변하도록 하고, 이때 load current 와 Vout의 파형을 첨부하고 분석하시오

  리포트 | 23페이지 | 5,000원 | 등록일 2024.09.10

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  중앙대학교 전자회로설계실습 예비보고서4

  준비물 및 유의사항DC Power Supply(2channel) : 1대Digital Multimeter (이하 DMM) : 1대40cm 잭-집게 연결선 (빨강) : 4개40cm 잭-집게 ... 75mA, =0.14V의 정보를 이용하여 을 계산한다. ... 이 때 이므로 triode 영역에서 동작한다.의 수식 = = 229.92 mA/ 이다.

  리포트 | 5페이지 | 2,000원 | 등록일 2024.03.10

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  [A+][예비보고서] 중앙대 전자회로설계실습 4. MOSFET 소자 특성 측정

  saturation영역에서 Id 구하는 식에 대입한다.Id = 을 통해 kn을 구하면 약 295mA/V2이 나온다.Gm = kn * Vov = 295 * 0.6 = 177 mA / ... 또한, Data Sheet에서 구한 kn을 이용하여 VOV=0.6V인 경우, gm의 값을 구하여라.Vgs = 4.5V, Id =75mA일 때 Vds(on) = 0.14V (Typical ... /V2Gm = kn(Vgs - Vt) = knVOV = 223 * 0.6 = 134mA/V3.2 MOSFET 회로도 구성 및 시뮬레이션 (OrCAD PSPICE)(A) OrCAD를

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.04.08

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  (결과보고서) 전자회로 설계 및 실습 MOSFET 소자 특성 측정 실험4 (중앙대학교)

  mA/V) 로서 3.2(D)에서의 gm=130 (mA/V) 와 13.333 (mA/V)의 차이(오차율 10.256%)를 보였다. ... DC Power Supply(2channel) : 1대?DMM : 1대?40cm 잭-집게 연결선 (빨강) : 4개?40cm 잭-집게 연결선 (검정) : 4개? ... /V2)의 차이 (오차율 10.256%)를, gm은 13.333 (mA/V)의 차이(오차율 10.356%)를 보였으며 ro의 경우 iD-vDS특성곡선을 이용하여 구할 수 있었다.-

  리포트 | 6페이지 | 3,500원 | 등록일 2020.04.13

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  [중앙대 전자회로설계실습 4 예비보고서] MOSFET 소자 특성 측정

  (D) 위의 결과를 이용하여 VOV=0.6V인 경우, kn, gm을 구하고 3.1의 결과와 비교하여라.이고 (C)에서 구한 를 대입하면 , =68.034mA 이다. ... 준비물 및 유의사항DC Power Supply(2channel) : 1대Digital Multimeter (이하 DMM) : 1대40cm 잭-집게 연결선 (빨강) : 4개40cm 잭-집게 ... 이 때 MOSFET은 Saturation 영역에서 작동하므로,, [mA/], ×0.6=113.388[mA/V] 이다.3.1의 값과 비교하면 오차율은 15.33% 이다.

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.08.09

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  서강대학교 고급전자회로실험 3주차 예비/결과레포트 (A+자료)

  이를 이론적으로 구하기 위해 gm을 구해 보았다. gm은 아래와 같은 식으로 나타낼 수 있다.아래와 같이 데이터시트를 통해 찾은 트랜지스터 2n7000의 Vth는 0.8V이다.따라서 ... 위에서 실험을 통해 구한 값을 대입하면 gm = 16.87mS가 나온다. ... -ideal current source는 양단의 전압에 상관없이 항상 일정한 전류를 흘려줘야 한다.

  리포트 | 21페이지 | 1,000원 | 등록일 2024.09.02

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  2019학년도 3학년 1학기 중앙대 전자회로설계실습 4. MOSFET 소자 특성 측정 예비

  V)로서 3.1에서의 gm=133.8 (mA/V) 와 마찬가지로 거의 같았다. ... 따라서 kn=75/(4.5-2.1)/0.14 = 223 (mA/V2)임을 알 수 있다.또한, gm=knVOV= 223×0.6= 133.8 (mA/V) 임을 알 수 있다.3.2 MOSFET ... 준비물 및 유의사항DC Power Supply (2channel): 1대Digital Multimeter (이하 DMM): 1대40cm 잭-집게 연결선 (빨강): 4개40cm 잭-집게

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2019.09.21

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  [전자회로실험 예비보고서]증폭기의 주파수 특성(A+)

  즉I _{E} = {2.55V} over {2kohm} =1.275mA이다.따라서I _{C} = alpha I _{E}이므로I _{C} = {150} over {150+1} 1.275mA ... =1.267mA이다.소신호 파라미터는 다음과 같이 구할 수 있다.g _{m} = {1.267mA} over {26m} =0.049r _{pi } = {beta } over {g _{ ... 예비 보고 사항1) 실험 회로 8-1에서 VBE = 0.7V,beta = 150이라 가정하고 동작점 IC를 구하고 소신호 파라미터r _{PI }, gm도 구하라.

  리포트 | 13페이지 | 2,000원 | 등록일 2022.03.04

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  전자회로설계실습 실습4(MOSFET 소자 특성 측정) 결과보고서

  (E) 위의 결과를 이용하여 Vov=0.6V인 경우, kn, gm,을 구하고 3.2(d)의 결과와 비교하라.kn, gm을 구하는 공식은 각각 kn = ID/VOV*VGS, gm = ... (C) VGS=VT+0.6V인 경우, ro를 구하여라. ... (C) 측정한 데이터를 이용하여 MOSFET의 iD-vGS특성곡선을 구하여라.(0V ~ 측정데이터)(D) 위의 결과를 이용하여 VT를 구하고 3.2(c)의 결과와 비교하여라.그래프를

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.09.07 | 수정일 2020.09.15

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  [전자회로실험 예비보고서]바이폴라 트랜지스터의 바이어스 해석(A+)

  } over {150} =8.26uAIE = IB + IC =1.247mAbeta =150gm ={I _{C}} over {V _{T}} = {1.239mA} over {260mV} ... IB, gm,r _{PI },를 구하라.실험 회로 4-3. ... 150150gm0.020.00477r _{PI }7500314505) 실험 회로 4-3의 회로에서 VBE = 0.7V,beta = 150이라 가정하고 VB, VC, IC, IE,

  리포트 | 14페이지 | 2,000원 | 등록일 2022.03.04

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  Biasing and Common-Source Amplifier 11주차 예비보고서

  측정한다.3) Drain current가 20mA가 될 때까지 Vdd를 올린다.4) gm은 동작점에서의 Drain current 변화를 나타내며, 접선의 기울기이다. ... Vdd를 약간만 증가시켜 측정한다.5)이 때 증가한 Drain current를 측정한다.6) 동작점에서의 gm을 구한다.7) 1)~3)의 과정을 반복하고 Drain current를 ... 따라서 gm의 값은이다.2) 이어서 Vth를 구하기 위해 Vgs1=2.1V일 때 ID-20mA를 이용한다.

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.04.04

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  [A+]중앙대 전자회로설계실습 예비보고서 설계실습4. MOSFET 소자 특성 측정

  준비물 및 유의사항DC Power Supply (2channel): 1대Digital Multimeter (이하 DMM): 1대40cm 잭-집게 연결선 (빨강): 4개40cm 잭-집게 ... 또한, Data Sheet에서 구한 kn을 이용하여 VOV=0.6V인 경우, gm의 값을 구하여라. ... {(4.5-2.1) TIMES0.14 } =0.223[A/V^2 ] = 223[mA/V^2 ]II)g _{m=} K _{n} (V _OV )=223 TIMES (0.6)=133.8

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.12.24 | 수정일 2022.01.10

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  2019학년도 3학년 1학기 중앙대 전자회로설계실습 4. MOSFET 소자 특성 측정 결과

  V)로서 3.2(D)에서의 gm=130 (mA/V) 와 33.333 (mA/V)의 차이(오차율 25.641%)를 보였다. ... (C) VGS=VT+0.6V인 경우, ro를 구하여라. ... (C) 측정한 데이터를 이용하여 MOSFET의 iD-vGS특성곡선을 구하여라. (0V ~ 측정 데이터)(D) 위의 결과를 이용하여 VT를 구하고 3.2(C)의 결과와 비교하여라.-

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2019.09.21

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