"ge 다이오드" 검색결과 1-20 / 822건

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  [기초전기전자실험] GE, SI, 제너 다이오드 특성 실험 <A+받은 자료>

  실험과정 및 실험결과■ 실험1(1) 다이오드의 순반향 전류와 역방향 전류의 특성을 실험하기 위해 M-5의 회로-1을 사용한다.(2) Ge 다이오드의 순방향 전류를 측정하기 위해 1c ... 입력전압을 표 1-1과 같이 변화시키면서 순방향 전류 (IF)를 측정하여 기록한다.(3) Ge 다이오드의 역방향 전류를 측정하기 위해 1c-1d 단자에 전류계를 연결하고 1h-1i, ... 여기에서는 zener diode를 사용할때 주의해야 할 점을 간단하게 소개한다.zener diode는 보통 다이오드와는 달라 역방향으로 전압을 걸어 사용한다.

  리포트 | 17페이지 | 2,500원 | 등록일 2016.01.02 | 수정일 2016.04.08

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  Si와 Ge다이오드의 반응 특성 및 Photo diode를 이용한 광검출 및 특성 실험

  Photo diode일반적인 다이오드가 순방향의 바이어스를 사용하지만, 포토다이오드는 역방향의 바이어스 또는 개방회로(무 바이어스)를 사용한다. ... Si&Ge 다이오드 및 PD의 특성 실험실험목적☞ 수광 소자로 사용되는 반도체 소자 Si & Ge다이오드의 원리를 이해하고 두 다이오드의 특성을 비교 해본다.☞ PD의 특성을 이해하고 ... PD의 종류에는 PN접합, PIN접합, APD(avalanche photodiode)가 있다.PIN diode는 P형과 N형 사이에 진성 반도체 층(instrinsic layer)을

  리포트 | 14페이지 | 2,000원 | 등록일 2006.11.03 | 수정일 2019.06.18

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  [A+ 4.5 결과레포트] 기초전자공학실험 - 다이오드 특성

  역방향 바이어스회로에서 Si 다이오드와 Ge 다이오드의 차이를 알아봄으로써 Si 다이오드가 Ge 다이오드보다 역방향에서 저항값이 충분히 커 개방회로와 근접하다.2. ... 순방향 바이오스에서 Si 다이오드는 Ge 다이오드에 비해 조금의 전압변화에도 더 많은 전류가 흐르기 때문에 Si 다이오드가 더 이상적인 다이오드에 적합하다. 5. ... 순방향 바이오스에서 Si과 Ge은 회로 내부의 저항에 영향을 받아 이론적인 특성 곡선과 차이를 보인다. 4.

  리포트 | 10페이지 | 5,000원 | 등록일 2021.04.20

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  [보고서점수A+]한국기술교육대학교 전자회로실습 CH1. PN접합다이오드 실험보고서

  이론 및 실험 원리① P형 반도체- 반도체 소자의 주재료인 실리콘(Si)이나 게르마늄(Ge)에 3가 원소인 인듐(In), 갈륨(Ga)과 같은 물질을 도핑시킨 것으로, 원자 간의 전자결합 ... 이상적인 다이오드는 아주 작은 전압이 걸려도 전류가 흐르지만, 실제 다이오드는 결합부의 공핍층에 의해 일정 수준 이상의 전압이 공급되어야만 전류가 흐르기 때문일 가능성이 높다. ... 또한, 이상적인 다이오드와는 달리 실제 다이오드는 문턱전압 이상의 기전력이 발생해도 특정 기울기로 증가할 뿐, 무한대의 기울기로 수직상승하지 않기 때문에 오차가 발생할 수 있다.

  리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2023.03.27

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  직병렬 다이오드 회로 실험 레포트

  다이오드에 인가되면 저항에 걸리는 전압은V _{R} =V-V _{D}가 된다.V _{D}는 문턱전압으로 Si가 다이오드면 0.7V Ge가 다이오드면 0.2V이다. ... 하지만 다이오드를 Si와 Ge, 두개를 사용했다면 했다면, 작은 전압만 걸린다.전압이 걸리지 않은 것 은 오프되어 있는 상태이다. ... 실습 사용기기 및 재료● 직류 전원 공급기● 다이오드(Si: 1N4154, Ge:1N34A)● 저항 330옴, 1k옴, 2.2.k옴● 디지털 멀티미터4.

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.10.25

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  PN 접합다이오드(예비+결과)/ 전자회로실습/ 한기대

  일반적으로 전력제어용과 신호처리용으로 나누어 만든다.그림 1-8 정류 다이오드 기호② 정전압 다이오드(Zener diode): 항복전압 이상이 되면 항복 전류가 흐르는 것을 이용한 ... 기호③ 정전류 다이오드(Current limiting diode,CLD): 정전류원으로 사용되는 전자부품으로 회로에 직렬로 연결했을 때, 전류를 일정수준으로 제한할 수 있다. ... 조사하고 사용되는 대표적인 예를 5가지 정도 들고 간단히 용도에 대하여 설명하여라.① 정류 다이오드(Silicon diode): 전원공급장치나 신호처리시 정류작용을 활용한 회로에

  리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2022.03.12 | 수정일 2022.03.14

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  2주차_2장_예비보고서_다이오드특성

  검사 기능을 사용하여 Si, Ge 다이오드의 동작 상태를 파악한다. ... 스케일을 사용하여 Si와 Ge 다이오드의 순방향과 역방향 바이어스 영역의 저항 값을 결정하고 표에 기입하라. ... 선들의 극성을 반대로 연결하면 OL이 나타날 것이다.Si과 Ge 다이오드에 대해서 표의 검사를 수행하라. 표의 결과로부터 두 다이오드는 양호한 상태인가?

  리포트 | 20페이지 | 4,000원 | 등록일 2023.11.30

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  3주차_3장_예비보고서_직렬병렬다이오드구조

  ( Si: D1n4148, Ge: D1n60)전원)직류전원실험방법문턱 전압Si와 Ge 다이오드에 대하여 디지털 멀티미터의 다이오드 검사 기능 또는 커브 트레이서를 사용하여 문턱 전압을 ... 계산하고 측정한다.실험에 필요한 이론적 배경다이오드 특성 곡선다이오드 검사 단자- DMM의 다이오드 검사 기능을 사용하여 Si, Ge 다이오드의 동작 상태를 파악한다. ... 순서 1에서 측정한 Si과 Ge 다이오드의 문턱전압을 이용하여 V1(두 다이오드 양단), Vo, ID의 이론적인 값을 계산하라.k.

  리포트 | 18페이지 | 4,000원 | 등록일 2023.11.30

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  물리화학실험 basic electronics 실험보고서

  , 역방향 저항 측정DIODE순방향 저항역방향 저항역방향/순방향게르마늄(Ge)0.3942MΩ0.37359kΩ실리콘(Si)∞1.83MΩ0게르마늄 다이오드의 순방향 전류+전압(mA)0.1020.2030.3080.4070.503 ... 역방향 전류(V) Ge [R2=100kΩ]0.003(µA) Ge(V) Si [R2=1kΩ]8.510(µA) Si제너 다이오드의 전류+전압R2=200Ω(V)1.0172.0763.0024.0535.0426.0547.038.02전압 ... (V) Ge0.1780.2100.2460.2590.276(mA)1.0112.0243.0394.0105.0336.024(V) Ge0.3520.4730.5750.6700.7480.830실리콘

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2023.04.09

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  기초전자실험 실험2 다이오드 특성 결과보고서

  Si 다이오드의 Is가 Ge 다이오드의 Is보다 훨씬 작다는 것을 알 수 있다.Si과 Ge 다이오드의 DC 저항을 계산하라.R(DC)(계산값)(Si) = 2483.37MΩR(DC)( ... 측정할 때 Si와 Ge다이오드의 문턱전압 측정값이 실제 이론상의 문턱전압과 오차가 있어 맞는 다이오드를 찾는 시간이 걸렸지만 각 다이오드 오차의 범위를 측정을 통해 다이오드를 종류별로 ... ®(측정값) = 4.92mVIs(계산값) = 4.17μVSi과 Ge 다이오드의 결과값 Is를 비교하면 어떤가?

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.10.01

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  울산대학교 전자실험결과레포트 1장 PN 접합 다이오드 특성곡선 측정과 기준전압

  되어 다이오드에 낮은 전압을 넣었을 때 다이오드에서 전압이 측정되지 않을 것을 실험을 통해 확인할 수 있다.Si 다이오드와 Ge다이오드 차이점은 순방향 바이어스일 때 문턱전압이다. ... 또한 문턱 전압이란 말 그대로 어떤 장치 및 전자 부품이 동작을 시작하는 전압이기 때문에 두 다이오드의 밴드 차이을 비교해 본다면 Ge 다이오드의 밴드 차이가 더 작다고 예측 할 수 ... 있다.실험을 통해서 Si 다이오드와 Ge 다이오드의 차이점을 확실하게 알 수 있게 되었다.실험에서 이론값과 측정값에서 오차가 발생하는 것을 확인할 수 있는데 오차가 발생한 원인은

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2023.11.14 | 수정일 2023.11.17

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  울산대학교 전자실험결과레포트 2장 다이오드 직렬 및 병렬연결

  다이오드에 0.7V이상 전압을 주어지면 Si는 0.7V, Ge는 0.3V값을 가지므로 옮의 공식을 이용하면 두 군데 중 전류가 높은 곳이 Si 다이오드이고 낮은 곳이 Ge다이오드이다 ... 또한 VD의 변화로 ID값도 달라지게 된다.2)Si과 Ge 다이오드를 흐르는 각각의 전류는 어떻게 알 수 있는지 제시하라. ... 다이오드 직렬 및 병렬연결 결과레포트1.

  리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2023.11.14 | 수정일 2023.11.17

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  다이오드 직렬 및 병렬 예비레포트

  공급기, DMM(Digital Multimeter)부품◇저항100Ω, 1kΩ: 1개, 2kΩ: 2개◇다이오드Si diode(1N4148): 2개, Ge diode(1N60): 1개실험이론DC ... 그리고 다이오드 양단의 전압이 임계전압 이하이거나 (Ge 다이오드 경우에는 0.4V), 역방향 바이어스가 인가될 경우에는 개방회로로 해석한다. ... 다이오드 직렬 및 병렬연결실험목적특성이 다른 다이오드를 직렬 및 병렬로 연결하였을 경우의 각 다이오드의 동작을 이해하고, 이를 바탕으로 다이오드 응용회로를 해석하는 능력을 개발한다.실험준비물실험장비직류전원

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.12.03

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  [전자회로]다이오드 결과

  게르마늄 다이오드에 대해서도 실험과정 5-6을 되풀이하여 표1-3을 작성하라.실험결과표1.1바이어스V_AK}[V]I[mA]R(diode)순방향0.712.4mA56.5Ω역방향1.50mA ... Ge은 초기의 트랜지스터와 접합 다이오드 제조에 쓰여졌으며, 요즈음은 Si재료가 사용되고 있다. Ge과 Si은 반도체 제조공정 이전에 고순도로 정제되어야 한다. ... 다이오드의 순바이어스 전압은 대표적으로 0.7[V]이며, Ge은 0.3[V] 정도이다.

  리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.10.10

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  직렬 및 병렬 다이오드 구조 결과보고서

  (Ge다이오드 또한 마찬가지이다. Ge다이오드의 문턱전압은 0.3V인데 측정값은 0.5422V로 나왔기 때문이다.) ... 문턱 전압 Si과 Ge 두 다이오드에 대해서 DMM의 다이오드 검사 기능 또는 커브 트레이서(curve tracer)를 사용하여 문턱 전압을 측정하라. ... 문턱 전압  DMM의 다이오드 검사 기능을 이용하여 Si 다이오드의  값을 0.5374V로 측정하였고 Ge 다이오드의  값은 0.5422V로 측정하였다. 2.

  리포트 | 17페이지 | 1,500원 | 등록일 2021.05.25

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  다이오드 특성곡선 예비레포트

  Multi-meter), 오실로스코프, 함수 발생기부품◇저항500Ω: 2개, 1kΩ: 1개◇다이오드Si(1N4148) diode: 2개, Ge(1N60) diode: 1개실험이론대부분의 ... Si나 Ge 물질로 만든 다이오드는 순방향 바이어스 전압이 증가되면 어느 구간까지는 미세하지만 전류도 증가하는 Ohm의 법칙이 성립한다. ... 다이오드 특성곡선실험목적전압과 전류사이에 Ohm의 법칙이 성립하지 않은 다이오드의 비선형 관계를 측정하고, 다이오드의 동작원리를 확인한다.실험준비물실험장비직류전원 공급기, DMM(Digital

  리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.12.03

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  전기전자공학기초실험-직렬 및 병렬 다이오드 구조

  3주차 기초전자 공학 실험 예비 리포트박**의****제목 : 직렬 및 병렬 다이오드 구조(diode configurations)목적 :1. ... , Ge(게르마늄), 전원 - 직류전원1. ... Ge 다이오드 경우, 천이 전압은 0.3V이다.- 인가되는 직류전압이 다이오드의 천이 전압을 초과하는 대부분의 회로에서 마음속으로 다이오드를 저항으로 대체하고 저항을 통하여 흐르는

  리포트 | 5페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.02.09

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  다이오드 특성 결과보고서

  다이오드는 게르마늄(Ge) 다이오드인 것을 확인할 수 있었다. ... Ge 다이오드의 경우 다이오드의 상태가 양호하다고 볼 수는 없다. ... Si과 Ge 다이오드에 대해서 표2.1의 검사를 수행하라회로 구성, 순방향 검사 SiGe 역방향 검사표 2.1검사 Si Ge순방향 0.5768V 0.5504V역방향 Open Open표

  리포트 | 13페이지 | 1,500원 | 등록일 2021.05.25

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  클리퍼 회로 결과보고서

  Si 다이오드는 1N4007을 사용하였고 Ge 다이오드는 1N4148을 사용하였다.Ⅱ. ... 실험 결과(1) 문턱 전압DMM의 다이오드 점검 기능 또는 커브 트레이서를 사용하여 Si과 Ge다이오드의 문턱 전압을 결정하라. ... (실험 조교님의 지시로 Si 다이오드는 1N4007을 사용하였고 Ge 다이오드는 1N4148을 사용하였다.) 측정된 값은 다음과 같다.

  리포트 | 14페이지 | 1,500원 | 등록일 2021.05.25

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  전자회로실험 제11판 예비보고서 실험2(다이오드 특성)

  나머지 VR 값들에 대해서도 단계 b를 반복하여라.d. si 다이오드를 Ge 다이오드로 대치하고 표 2.4를 완성하라.e. ... 실험을 통해 확인하고자 하는 내용1) 다이오드 DC 저항 / AC 저항2) Si소재, Ge소재 다이오드에 대한 Vd, Id3) 다이오드 순방향, 역방향 바이어스2. ... 순방향 바이어스의 다이오드 특성곡선Si과 Ge 다이오드의 순방향 특성곡선을 그리기 위해서 충분한 데이터를 이 실험에서 얻고자 한다.a.

  리포트 | 17페이지 | 2,000원 | 등록일 2022.03.18

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