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"gm csr" 검색결과 1-20 / 2,316건

  • [고려대학교 보건환경융합과학부 전공선택_방사선안전분석] 4. Resolving time
    (cps)이라 하고, Resolving time을 T (sec)이라고 하면 실제의 계수율은 하기 식을 통해 구할 수 있다.이 식을 R에 대해 정리하면2. ... Postlab Q&A(1) GM tube의 Resolving time을 계산하라. 이 값이 1μs에서 100 μs 사이에 속하는가? ... 즉, coincidence 현상 때문에 계측값은 실제값보다 항상 작을 수밖에 없다.Counter에 들어오는 방사선 입자의 수를 R (cps), counter가 가리키는 계수율을 r
    리포트 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2021.02.12
  • GM고객지정요구사항,CSR(Aug., 2023)
    1.1 Scope GeneralIATF16949:2016 1st Edition, 2016.10.1., "자동차 품질경영시스템 표준“, ISO9001:2015, 5th Edition, ... 참고해야 한다.1.2 IATF 16949:2016 이탈(deviation) (웨이버)IATF 16949:2016 인증에 대한 편차(면제)를 요청하는 조직은 GM SQE에 연락하여 GM ... 1927 70 SQ IATF 16949 인증 면제 요청을 완료하고 GM 공급업체 품질 리더십 승인을 받아야 한다.
    리포트 | 23페이지 | 2,500원 | 등록일 2023.08.20
  • 기초실험2 project 결과보고서
    MOSFET에서 gm은 3가지 식으로 표현할 수 있으며, 아래와 같이 표현할 수 있다.2 stage common source amplifier왼쪽 이미지와 같이 2개의 MOSFET을 ... 실제 MOSFET은 channel length modulation이 존재하므로 이를 고려해 회로를 구현해야 할 것이다.참고문헌Adel s. sedra, Kenneth C. smith ... 이용해, source를 ground로 고정시킨 것이 MOSFET을 이용한 2-stage common source amplifier이다.
    리포트 | 5페이지 | 2,000원 | 등록일 2022.11.19 | 수정일 2023.11.29
  • 전자회로 ) 전자회로 요약하기 - BJT의 저주파 소신호 등가모델
    _{c} =g _{m} TRIANGLE v _{BE}i _{c} =I _{ s}e ^{ v _{ BE/V _{ T} } }gm= {alpha i _{c}} over {alpha v ... #alpha == {i _{c}} over {i _{e}} = {beta o} over {beta o+1} SIMEQ 1#beta omicron == {i _{c}} over {i ... βo는 큰 영향을 받지 않지만, gm이 커지고, rπ, re는 작아짐: BJT의 각 단자에서 본 소신호 등가저항은 re < rπ < r0의 상대적인 크기를 가짐g _{m} = {I
    리포트 | 4페이지 | 5,000원 | 등록일 2022.07.26
  • GM고객지정요구사항,CSR(Dec, 2020)
    범위 (Scope)1.1 Scope GeneralIATF16949:2016 1st Edition, 2016.10.1., "자동차 품질경영시스템 표준“, ISO9001:2015, 5th ... IATF 3자 인증기관은 다음 조건들을 충족해야 한다:.인증범위는 IATF 16949와 수반되는 IATF16949 GM 고객지정 요구사항을 포함해야 한다, .인증은 IATF가 인정한 ... Edition,2015.9.15., "품질경영시스템-요구사항” 과 이 문서는 생산과 또는 서비스를 위한 자동차 고객 지정부품이 제조되는 조직을 위한 GM의 기초적인 품질시스템 요구사항을
    리포트 | 22페이지 | 2,500원 | 등록일 2021.01.05 | 수정일 2021.03.05
  • 홍익대 실험 프로젝트 <Two Stage Amplifer 회로설계> 입니다. mosfet를 사용한 회로이며, pspice에서 2N7000/FAI 소자를 사용했습니다.
    common gate source의 gain만큼 증폭된 저항으로 보인다.수식으로 나타내면R _{out} =(1+gm _{1} ro _{1} )(ro _{2} )+ro _{1} 이다 ... MOSFET의 Gate에 3V~4V전압을 넣어주기 위해R _{1} =9M ohm ,R _{2} =3M ohm 로 설계하였다. c1은 입력 디커플링 커패시터이다. ... 좋은 방법은 아니다. ro(output impedance)를 높이기위한 가장 좋은 방법은 cascode를 사용하는 것이다. output쪽에서 바라보면 common source stage는
    리포트 | 9페이지 | 2,500원 | 등록일 2022.06.26 | 수정일 2023.03.14
  • BJT증폭회로(Common Base, Emitter Follower) 기본특성 실험 결과레포트
    ={g _{m} R _{C} `R _{E}} over {R _{E} +(1+g _{m} R _{E} )R _{S}}=8.905(R _{S} +R _{G} )= {{g _{m} R _ ... (R _{S} +R _{G} )= {{g _{m} R _{C} R _{E}} over {A _{V}} -R _{E}} over {1+g _{m} R _{E}}=116.175ΩR _{ ... =Ic/Vt=0.0754OMEGA ^{ -1}A_{ V}={g _{m} R _{C} `R _{E}} over {R _{E} +(1+g _{m} R _{E} )R _{S}}=40.377
    리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2021.06.01
  • Common source amplifer 결과 보고서(13주차)
    Saturation 영역에서 gm과 r0를 구한다면, gm은 cutoff영역 이후에서 계속해서 증가하다가 다시 줄어들 것이며, r0는 iD가 계속해서 증가하므로 saturation ... C. smith, 정원섭 외 5 역, 마이크로 전자회로 ) ... 결과보고서학 과학 년학 번성 명실험 제목Common-source amplifier실험 목적MOSFET을 이용해 증폭기, 그 중 source를 ground로 설정하는 common-source
    리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.11.19 | 수정일 2023.11.29
  • 우주비행역학 2주차 과제
    .html그림 2 gravitational parameter in solar system https://ko.wikipedia.org/wiki/%ED%91%9C%EC%A4%80_%EC ... `인력에`의한`위치에너지는#V= int _{r} ^{INF } {Fdr} = int _{r} ^{INF } {{-Gm _{1} m _{2}} over {r ^{2}} dr} = {Gm ... #R _{e} 에서의`위치에너지는`- {Gm _{1} m _{2}} over {R _{e}} 이므로`지표며`기준`물체의`위치에너지는`V=- {Gm _{1} m _{2}} over {
    리포트 | 1페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.05.17
  • 힘의평형실험-결과보고서
    tan phi_{R^{'}} = {|m _{B} |`sin theta_{AB} } over {|m _{A} |+|m _{B} |`cos theta_{AB} } 여기서phi_{R^{' ... 해석법 -|m _{R} |`=` sqrt {|m _{A} | ^{2} +|m _{B} | ^{2} +2|m _{A} ||m _{B} |`cos theta_{AB} } ? ... 해석법 -|m _{R} |`=` sqrt {|m _{A} | ^{2} +|m _{B} | ^{2} +2|m _{A} ||m _{B} |`cos theta_{AB} } ?
    리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.07.14
  • 전자회로실험 설계2 결과보고서
    따라서 전체 gain은A _{v} `=`- {gm _{1}} over {r _{o2} //r _{o1} //gm _{2}} APPROX - {gm _{1}} over {gm _{2} ... 또한 MOSFET 소자의 채널이 형성되고 cut-off region을 벗어나는 문턱 전압V _{TH}를 측정하고,V _{GS}의 bias를 증가시키며 cut-off region, saturation ... Small signal을 이용하여 M2임피던스를 구하면` {v _{t}} over {i _{t}} `=`r _{o2} // {1} over {gm _{2}} 이다.
    리포트 | 8페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.06.10
  • 전자공학실험 14장 MOSFET 다단 증폭기 A+ 결과보고서
    입력 신호의 small signal vi와과 출력 신호의 small signal vo를 이용하여 전압이득을 구하면 첫 번째 단은 AV=600/22.4=26.79[V/V]가 나오고 이를 ... 입력 신호의 small signal vi와과 출력 신호의 small signal vo를 이용하여 전압이득을 구하면 첫 번째 단은 AV=560/22=26.45[V/V]가 나오고 이를 ... =R3=R6=100kΩ, R2=R4=R5=50kΩ, RL=10kΩ으로 고정하고 회로를 구성한 후, 소오스 팔로워 출력의 DC값이 6V가 되도록 하는 RS3 값을 결정한다.
    리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2024.05.13
  • 2011년도 충북대 물리1 3차시험
    . [10점] 답:풀이 과정{1} over {2} mv ^{2} +(-{Gm _{e} m}over{R _{e} })=0+0v=sqrt{{2Gm _{e} }over{R _{e} }}= ... _{s} m _{e} }over{r ^{2} }={m _{e} v ^{2} }over{r}```````````````````````therefore````v=sqrt{{GM _{s ... } }over{r}}a=` {GM _{s}} over {r ^{2}} = {6 TIMES 10 ^{-11} TIMES 2 TIMES 10 ^{30}} over {(1 TIMES 10
    시험자료 | 2페이지 | 2,000원 | 등록일 2021.03.24
  • 전자회로실험 A+ 14주차 결과보고서(Current Mirror)
    While R2B is shorted intermittently, by connecting and disconnecting R2B, measure the value of node D ... Make R1B Short and repeat step 3 to calculate the output resistance value of Q2(w.r.t node B).(2) Cascode ... To study current mirror circuits which offer bias from the reference current/voltage source.2.
    리포트 | 8페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.07.02 | 수정일 2023.07.25
  • 전자회로실험 A+ 11주차 결과보고서(BJT Common Base Amplifier, Emitter, Follower)
    Then fill the [Table 8.2].c) Calculate the α, β, rπ, gm, Ai, Av (gm, rc) and fill the [Table 8.3]. d) ... Connect the function generator in series with C E like Fig. 1 and set Voff=0V, freq=1kHz.e) Connect ... the oscilloscope in series with C2.f) Decreasing function generator’s Vpp from 0.1V to 0.02V by 0.02V
    리포트 | 17페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.07.02 | 수정일 2023.07.25
  • 2013년도 충북대물리1 2차시험
    {2} m( sqrt {{GM} over {2R}} ) ^{2} -G {mM} over {2R}THEREFORE``V _{0} =sqrt{{3GM}over{2R}}8. [10점] ... b) 지표면에서 발사된 쇠공이 지구 반지름R 에 해당하는 높이를 유지하며 인공위성처럼 원운동하려{{GM} over {R}} b)THEREFORE``V _{0} =sqrt{{3GM}over ... {2R}}풀이:a) 역학 에너지 보존법칙으로부터{1}over{2}mv ^{2} -G{mM}over{R}=0-G{mM}over{2R}#THEREFORE`v=sqrt{{GM}over{R
    시험자료 | 3페이지 | 2,000원 | 등록일 2021.03.24
  • 전자회로1 hspice 프로젝트
    Av=-gm(R1//RL//ro)가 되며 이로 인해 출력 신호가 감쇄되게 된다.그림 2-4의 Source Follower gain을 구하기 위한 small signal model은 ... 위의 회로에서 VDD=VDS+R1ID이다. ... 즉, 그래프가 가장 급격한 기울기를 갖는다는 것은 가장 큰 Current gain을 갖는다는 것이며 Gate Voltage 변화량에 따른 Drain current 변화량인 gm(Transconductance
    리포트 | 14페이지 | 5,000원 | 등록일 2023.12.17
  • 일반물리학_총정리
    등속 원운동 하기 위한 속력G Mm over (R+h)^2 = mv^2 over R+h이므로v^2 = GM over R+h = gR^2 over R+hv = R sqrt{g over ... R+h}원운동하기 위한 속력은 지구 중심으로부터 거리에 반비례→ 제 1 우주속도 : 지표 근처에서 등속 원운동 하기 위한 속도v = sqrt{g R} = sqrt {GM over ... 중력 가속도만유인력의 법칙으로부터g' = GM over (R+h)^2g = GM over R^2이므로g' = g left(R over R+h right)^2행성 외부에서의 중력 가속도는
    리포트 | 25페이지 | 2,500원 | 등록일 2022.11.07
  • [전자회로실험 결과보고서바이폴라 트랜지스터의 바이어스 해석(A+)
    실험에서beta 값이 모두 데이터 시트의 범위 내에서 관찰되었다.gm과r _{PI }는 다음과 같은 공식으로 계산하였다.gm ={I _{C}} over {V _{T}}r _{PI } ... 고정 바이어스 회로와는 달리 VB와 VC값은 크게 변화하지 않았다.gm과r _{PI }는 다음과 같은 공식으로 계산하였다.gm ={I _{C}} over {V _{T}}r _{PI ... VCE,sat값의 평균은 0.142V이다.
    리포트 | 1페이지 | 2,000원 | 등록일 2022.03.04
  • 전기전자공학실험-다단 증폭기 RC 결합
    출력 임피던스의 예상값은 다음과 같다.Z _{o} `=R _{D _{2}}Z _{o}(예상값)= 2.394kΩc. 1MΩ 저항R _{x}를 주파수 f = 100Hz에서 실효값V _{ ... c)에서 측정한 값을 비교하라.Q _{1}##I _{D _{1}} =�� {2.9mA-3.05mA} over {2.9mA} �� TIMES 100%=5.17%#V _{GS _{1}} ... P}} ) ^{2}V _{GS} =-I _{D} R _{S}V _{DS} =V _{DD} -I _{D} (R _{S} +R _{D} )V _{S} =I _{D} R _{S}V _{D
    리포트 | 19페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.02.14
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2024년 07월 18일 목요일
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