"high k" 검색결과 1-20 / 6,797건

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  High-k report

  Poly Si/high-k stacks의 적용은 Vth controllability, poor reliability, dopant penetration, and inversion oxide ... The Magazine of the IEIE, Volume 28, Issue 8, Pages.63-74, 2001/1016-9288(pISSN), 김기범, 차국헌, 김재성, 주영창- High-k ... High-ĸREPORT1.

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.02.21

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  반도체공정 레포트 - High-k

  1. Memory ICsMemory IC는 정보를 담거나 기억할 수 있는 반도체 제품이다. 이러한 Memory IC는 Volatile type과 Non-volatile type으로 분류할 수 있다. 먼저, Volatile(휘발성) type은 전원/전압을 공급하고 있을 ..

  리포트 | 13페이지 | 1,500원 | 등록일 2022.07.11 | 수정일 2024.06.19

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  Porous polyhedral carbon matrix for high‑performance Li/Na/K‑ion battery anodes

  한국탄소학회 Vinoth Ganesan, Young‑Han Lee, Heechul Jung, Cheol‑Min Park

  논문 | 10페이지 | 4,000원 | 등록일 2023.12.18

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  High-K 물질을 적용한 반도체 기술 실험 레포트

  예비 레포트- 실험날짜 : 2018년 03월 14일- 실험제목 : High-K 물질을 적용한 반도체 기술- 예비이론• High-K 물질의 정의 / 종류 / 적용 분야: High-K ... High-K 물질은 유전상수(K)가 20 이상으로 3.9인 와 비교하여 높은 유전 특성을 나타낸다. [1]현재 개발된 High-K 물질로는 등과 같이 유전 상수가 약 20~30인 물질들이 ... 따라서 게이트 산화물에서 누설전류를 감소시키며, 채널 형성을 잘 시키기 위해서 High-K 물질을 이용한다.

  리포트 | 5페이지 | 2,500원 | 등록일 2021.11.08

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  반도체 공정 레포트 - high-k(학점 A 레포트)

  High-k dielectrics목차High-k dielectrics 이란Dram capacitorMOSFET gate oxide주의점 및 요구조건High-k dielectrics ... [사진 11] high-k 물질의 유전상수와 band offset세번째는 열적 안정성이다. High-k 물질은 산화물이므로 Si 기판과 반응하여 SiO₂가 형성되기 쉽다. ... 그러하여 낮은 전압에서 channel을 형성하게 하고 절연막을 두께를 늘리기 위해서 high-k 물질을 사용하였다. high-k 물질을 사용하면 oxide층의 capacitance값은

  리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2022.12.29

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  High-K 물질을 적용한 반도체 기술 실험 예비레포트

  예비 레포트- 실험날짜 : 2018년 04월 11일- 실험제목 : High-K 물질을 적용한 반도체 기술- 예비이론• 산화물 반도체의 정의, 장단점 및 활용 가능한 영역산화물 반도체란

  리포트 | 10페이지 | 2,500원 | 등록일 2021.11.08

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  GAAFET발표자료(대본포함),게이트올어라운드,(삼성전자,TSMC,숏채널효과,High-k,FinFET,공정방식,개발동향,시장동향)

  둘러싸기 때문에 구조적으로 채널에 대한 게이트의 영향력 을 키울 수 있음 전체 표면적이 증가 함에 따라 채널의 전류를 증가 시킬 수 있음 최고의 transistor 조건 : PPA(High ... High process compatibility with FINFETs eliminates the need for new tools.16 FinFET vs GAAFET 출처 : 가젯서울GAAFET

  리포트 | 33페이지 | 3,000원 | 등록일 2022.12.03 | 수정일 2022.12.14

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  High k 물질에 관하여

  high-k dielectricsHigh-k 란? ... High-k 유전체에 대해 설명하기에 앞서 우선 high-k의 유래에 대해 알아보겠습니다.반도체란 도체와 부도체의 중간적 전기적 전도성 성질을 가지고 있고 이 성질은 에너지밴드갭이 ... 그 과정에서 탄생한 것이 'High-k' 물질입니다.

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2018.08.20

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  [반도체 공정 A+] High k(고유전체) 관련 레포트

  MOSFET에 사용되는 high-k 물질은 다음과 같다.HfO2HfO2는 Hafnium oxide로 약 22에서 25정도의 비유전율을 갖는 high-k 물질이다. ... 따라서 High-k 물질의 수요가 늘어나게 되었다.현재 ZrO2나 HfO2 등 다양한 High-k 물질을 이용함으로써 동작 속도나 전력 소모량 등을 개선하고 있다. ... 반대로 상태값을 쓰기(write) 위해서는 DL에 전류를 흘려주어 캐패시터가 완충될 때까지 AL을 열어둔다.High-K 물질은 높은 유전율을 갖는 물질을 말하며 여기서 K는 유전 상수

  리포트 | 8페이지 | 3,500원 | 등록일 2018.12.07 | 수정일 2021.11.08

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  TGV-K의 제동함수를 고려한 고속철도 교량으 동적거동 (Dynamic Behavior of Bridges for High-Speed Train Considering Braking Function of TGV-K)

  한국지진공학회 곽종원

  논문 | 7페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.01 | 수정일 2023.04.05

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  [프레젠테이션]high-k gate oxide

  High-K dielectic material김기주이LOGOContents이론적 소개1제조방법/ 제조기업2시장현황3향후 전망4이론적 소개MOSFET제조방법/ 제조기업※현재 실제로 제조에 ... 우리나라에서의 반도체산업의 비중을 생각한다면 세계 경제회복 이후 반도체산업이 위상은 여전 할 것Click to edit company slogan .Scale down은 지속적인 과제 - High-K

  리포트 | 28페이지 | 2,500원 | 등록일 2009.09.04

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  [high-k oxide] The interface between silicon and a high-k oxide

  대부분의 high-k oxides 는 injection barrier가 매우 낮다. ... Ceramic thin film LabChangwon National UniversityThe interface between silicon and a high-k oxideCeramic ... Silicon의 bandgap에서 interface states가 없어야 한다.Ceramic thin film LabChangwon National UniversitySiO2 : 유전율 부족 High-k

  리포트 | 18페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.05.13

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  전자및에너지재료공학 기말 보고서

  대신 금속 계열 사용, 이때 게이트 옥사이드의 물질은 절연성이 더 높은 High-k 로 사용함 ... 통제가 쉬운 폴리실리콘 사용하게 됨, 높은 저항값 때문에 트렌지스터의 성능 저하를 야기함Doped SiO2 : 폴리실리콘의 저항 성분을 낮추어 동작속도를 빠르게 하기 위해 도핑함High ... K Metal : 트렌지스터의 크기가 축소되면서 게이트 옥사이드 두께가 얇아지고 게이트 층의 도핑된 농도가 채널로 이동하게 되고 이에 따라 문턱전압이 다시 높아짐, 때문에 폴리 실리콘

  리포트 | 10페이지 | 2,500원 | 등록일 2023.06.22

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  삼성전자 파운드리 공정기술 직무면접 준비자료

  HKMG(High K Metal Gate)란?(SiO2대신 사용할 수 있는 절연막? 두께가 얇아질 때 누설전류를 줄일 수 있는 방법? 금속Gate 쓰면 Vth 낮은 이유?)15. ... 근데 산화막 두께가 넘 얇으면 채널의 전하가 산화막에 투입되거나 누설전류가 발생할 수도 있기 때문에, SiO2대신 비유전율이 높은 high-k 유전막을 사용함.④기판효과 이용.

  자기소개서 | 19페이지 | 3,000원 | 등록일 2023.09.07

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  인하대학교 나노집적반도체소자 MOSCAPACITOR 설계 및 분석

  High-k 물질 도입에 대한 배경- Moore의 법칙과 Device Scaling Down- High-k material 선택 및 조건- Reasonable K value- Thermodynamic ... High-k 물질을 포함한 MOS Capacitor 설계 과정- 서론- Body Substrate Doping Conc 적절한 VT window가 필요하다고 생각됩니다. ... 이러한 High-k material의 ionicity와 polarization은 low-frequency phonon vibration mode를 가능하게 합니다.이에 따라, 같은

  리포트 | 50페이지 | 5,000원 | 등록일 2024.01.07 | 수정일 2024.06.12

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  광운대학교 반도체 공정1 조()()교수님 레포트과제

  material전자재료공학과2020000000000제출일: 2022.11.19High-k 물질 도입High-k물질은 집적이 계속되면서 발생하는 문제점을 보완하기 위해 사용한다. ... 하지만 이러한 방법으로 130nm세대 이상에서 충분한 커패시턴스를 유지하기 어려웠고 Ta2O5 및 Al2O3와 같은 high-k물질이 유전체로 사용되었다. ... Trench profile은 특정 깊이 아래로 넓어지고 trench 측벽은 거칠어지고 커패시터의 표면적을 증가시킨다. 80nm이하는 Al2O3또는: HfSiON과 같은 high-k

  리포트 | 63페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.12.21

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  [합격자소서] 어플라이드 머트리얼즈 AMK CE 자기소개서

  이를 기존 Poly-Si/SiO2 대신 Metal/HIgh-K 구조를 선정하여 해결하고자 했습니다.High-K 소재는 Al2O3/HfSiO4/HfO2, Metal 소재로는 Ta/TiN ... 결과값을 그래프로 비교하고 에너지 밴드 다이어그램을 활용해 retention 특성이 우수한 Al2O3와 TiN소재를 선정했습니다.하지만 Metal/High-K 는 상대적으로 낮아진

  자기소개서 | 4페이지 | 3,000원 | 등록일 2023.09.29

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  고려대학교 일반대학원 반도체공학과 연구계획서

  멀티게이트 벌크 MOSFET의 설계 최적화 연구, 다중 게이트 벌크 MOSFET의 라인 에지 거칠기에 대한 이중 패터닝 및 이중 에칭의 영향 연구, Rayleigh 분포를 이용한 high-k

  자기소개서 | 1페이지 | 3,800원 | 등록일 2023.04.05

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  반도체공정 Report-4

  하지만 high-k물질이라고 장점만 가지는 것은 아니다. ... 이런 문제들 때문에 gate insulator로 high-k 물질의 single layer가 아니라 silicon oxide와 같이 사용하여 multi-layer로 사용하는 등의 방법이

  리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.04.11 | 수정일 2021.04.13

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  Active Filter 회로 실험 예비보고서

  pass filter1pole high pass filter그림5는 gain을 갖는 inverting 1pole high pass filter이다. ... 그리고 주파수가 0에 가까이 가게 되면 커패시터는 open돠고 입력신호도 0이 된다.2pole high pass filter그림6은 2pole high pass filter를 나타낸다 ... 실험기기오실로스코프, 함수발생기, 직류전원장치, 만능기판, 만능기판용 전선, 스트리퍼, OP Amp 741 1개, 저항 1kΩ, 2kΩ, 20kΩ 등 다수, 커패시터 0.1μF, 0.2μF

  리포트 | 14페이지 | 1,500원 | 등록일 2021.09.25

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