"high-k" 검색결과 1-20 / 6,631건

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  High-k report

  차국헌, 김재성, 주영창- High-k 게이트 절연물질의 전기적 특성: 도전과 현 문제점 및 해결책, RESEAT, 2007-04-03, 김정수- The Hmmy ... Poly Si/high-k stacks의 적용은 Vth controllability, poor reliability, dopant penetration, and inversion oxide ... High-ĸREPORT1.

  리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.02.21

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  반도체공정 레포트 - High-k

  이러한 Memory IC는 Volatile type과 Non-volatile type으로 분류할 수 있다. ... 이와는 달리 Non-volatile(비휘발성) type은 전원/전압의 공급이 멈추더라도 Data가 그대로 유지된다.그중 Volatile memory는 RAM(Random Access ... RAM)DRAM은 앞서 소개했듯이 Volatile memory에 속하며, 아래의 그림과 같이 기본적으로 Transistor 1개와 Capacitor 1개로 구성되는데, 이는 1T-1C로

  리포트 | 13페이지 | 1,500원 | 등록일 2022.07.11 | 수정일 2024.06.19

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  반도체 공정 레포트 - high-k(학점 A 레포트)

  High-k dielectrics목차High-k dielectrics 이란Dram capacitorMOSFET gate oxide주의점 및 요구조건High-k dielectrics ... [사진 11] high-k 물질의 유전상수와 band offset세번째는 열적 안정성이다. High-k 물질은 산화물이므로 Si 기판과 반응하여 SiO₂가 형성되기 쉽다. ... 그러하여 낮은 전압에서 channel을 형성하게 하고 절연막을 두께를 늘리기 위해서 high-k 물질을 사용하였다. high-k 물질을 사용하면 oxide층의 capacitance값은

  리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2022.12.29

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  High-K 물질을 적용한 반도체 기술 실험 레포트

  예비 레포트- 실험날짜 : 2018년 03월 14일- 실험제목 : High-K 물질을 적용한 반도체 기술- 예비이론• High-K 물질의 정의 / 종류 / 적용 분야: High-K ... High-K 물질은 유전상수(K)가 20 이상으로 3.9인 와 비교하여 높은 유전 특성을 나타낸다. [1]현재 개발된 High-K 물질로는 등과 같이 유전 상수가 약 20~30인 물질들이 ... 따라서 게이트 산화물에서 누설전류를 감소시키며, 채널 형성을 잘 시키기 위해서 High-K 물질을 이용한다.

  리포트 | 5페이지 | 2,500원 | 등록일 2021.11.08

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  High-K 물질을 적용한 반도체 기술 실험 예비레포트

  예비 레포트- 실험날짜 : 2018년 04월 11일- 실험제목 : High-K 물질을 적용한 반도체 기술- 예비이론• 산화물 반도체의 정의, 장단점 및 활용 가능한 영역산화물 반도체란 ... a-Si:H, LTPS, 산화물의 특성 비교 [2]기존 디스플레이 제품은 주로 비정질 Si을 이용해서 구현했다. ... 하지만 뛰어난 성능을 갖지만, LTPS에 비해 낮은 이동도를 갖고, P-type을 구현하기 어려우며 신뢰성이 떨어지는 것이 단점이다. [2]그림 SEQ 그림 \* ARABIC 1.

  리포트 | 10페이지 | 2,500원 | 등록일 2021.11.08

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  GAAFET발표자료(대본포함),게이트올어라운드,(삼성전자,TSMC,숏채널효과,High-k,FinFET,공정방식,개발동향,시장동향)

  둘러싸기 때문에 구조적으로 채널에 대한 게이트의 영향력 을 키울 수 있음 전체 표면적이 증가 함에 따라 채널의 전류를 증가 시킬 수 있음 최고의 transistor 조건 : PPA(High ... High process compatibility with FINFETs eliminates the need for new tools.16 FinFET vs GAAFET 출처 : 가젯서울GAAFET ... Remove dummy gate to form Gate-All-Around structure Spacer Formation Source-Drain Epitaxy Dummy Gate

  리포트 | 33페이지 | 3,000원 | 등록일 2022.12.03 | 수정일 2022.12.14

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  TGV-K의 제동함수를 고려한 고속철도 교량으 동적거동 (Dynamic Behavior of Bridges for High-Speed Train Considering Braking Function of TGV-K)

  한국지진공학회 곽종원

  논문 | 7페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.01 | 수정일 2023.04.05

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  [프레젠테이션]high-k gate oxide

  High-K dielectic material김기주이LOGOContents이론적 소개1제조방법/ 제조기업2시장현황3향후 전망4이론적 소개MOSFET제조방법/ 제조기업※현재 실제로 제조에 ... High-K material의 사용은 꼭 필요함www.themegallery.comClick to edit company slogan .www.themegallery.com{nameOfApplication ... 우리나라에서의 반도체산업의 비중을 생각한다면 세계 경제회복 이후 반도체산업이 위상은 여전 할 것Click to edit company slogan .Scale down은 지속적인 과제 -

  리포트 | 28페이지 | 2,500원 | 등록일 2009.09.04

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  [high-k oxide] The interface between silicon and a high-k oxide

  대부분의 high-k oxides 는 injection barrier가 매우 낮다. ... Ceramic thin film LabChangwon National UniversityThe interface between silicon and a high-k oxideCeramic ... Silicon의 bandgap에서 interface states가 없어야 한다.Ceramic thin film LabChangwon National UniversitySiO2 : 유전율 부족 High-k

  리포트 | 18페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.05.13

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  전자및에너지재료공학 기말 보고서

  대신 금속 계열 사용, 이때 게이트 옥사이드의 물질은 절연성이 더 높은 High-k 로 사용함 ... 통제가 쉬운 폴리실리콘 사용하게 됨, 높은 저항값 때문에 트렌지스터의 성능 저하를 야기함Doped SiO2 : 폴리실리콘의 저항 성분을 낮추어 동작속도를 빠르게 하기 위해 도핑함High ... K Metal : 트렌지스터의 크기가 축소되면서 게이트 옥사이드 두께가 얇아지고 게이트 층의 도핑된 농도가 채널로 이동하게 되고 이에 따라 문턱전압이 다시 높아짐, 때문에 폴리 실리콘

  리포트 | 10페이지 | 2,500원 | 등록일 2023.06.22

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  인하대학교 나노집적반도체소자 MOSCAPACITOR 설계 및 분석

  High-k 물질 도입에 대한 배경- Moore의 법칙과 Device Scaling Down- High-k material 선택 및 조건- Reasonable K value- Thermodynamic ... High-k 물질을 포함한 MOS Capacitor 설계 과정- 서론- Body Substrate Doping Conc 적절한 VT window가 필요하다고 생각됩니다. ... 이러한 High-k material의 ionicity와 polarization은 low-frequency phonon vibration mode를 가능하게 합니다.이에 따라, 같은

  리포트 | 50페이지 | 5,000원 | 등록일 2024.01.07 | 수정일 2024.06.12

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  고려대학교 일반대학원 반도체공학과 연구계획서

  멀티게이트 벌크 MOSFET의 설계 최적화 연구, 다중 게이트 벌크 MOSFET의 라인 에지 거칠기에 대한 이중 패터닝 및 이중 에칭의 영향 연구, Rayleigh 분포를 이용한 high-k ... Ge Junctionless FinFETs에 대한 금속-간층-반도체 소스/드레인 구조의 면역 효과 연구, DRAM Cell에 Metal-Interlayer-Semiconductor ... 일반대학원 반도체공학과 OOO 교수님의 OOOOO OOOO 연구실에서 초고해상도를 이용한 2D 광학 소자의 전자기장의 그리드 방식 시뮬레이션 가속 연구, 효과적인 임계값 Steep-Slope

  자기소개서 | 1페이지 | 3,800원 | 등록일 2023.04.05

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  [합격자소서] 어플라이드 머트리얼즈 AMK CE 자기소개서

  이를 기존 Poly-Si/SiO2 대신 Metal/HIgh-K 구조를 선정하여 해결하고자 했습니다.High-K 소재는 Al2O3/HfSiO4/HfO2, Metal 소재로는 Ta/TiN ... 결과값을 그래프로 비교하고 에너지 밴드 다이어그램을 활용해 retention 특성이 우수한 Al2O3와 TiN소재를 선정했습니다.하지만 Metal/High-K 는 상대적으로 낮아진

  자기소개서 | 4페이지 | 3,000원 | 등록일 2023.09.29

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  광운대학교 반도체 공정1 조()()교수님 레포트과제

  material전자재료공학과2020000000000제출일: 2022.11.19High-k 물질 도입High-k물질은 집적이 계속되면서 발생하는 문제점을 보완하기 위해 사용한다. ... 하지만 이러한 방법으로 130nm세대 이상에서 충분한 커패시턴스를 유지하기 어려웠고 Ta2O5 및 Al2O3와 같은 high-k물질이 유전체로 사용되었다. ... Trench profile은 특정 깊이 아래로 넓어지고 trench 측벽은 거칠어지고 커패시터의 표면적을 증가시킨다. 80nm이하는 Al2O3또는: HfSiON과 같은 high-k

  리포트 | 63페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.12.21

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  반도체공정 Report-4

  하지만 high-k물질이라고 장점만 가지는 것은 아니다. ... 이런 문제들 때문에 gate insulator로 high-k 물질의 single layer가 아니라 silicon oxide와 같이 사용하여 multi-layer로 사용하는 등의 방법이 ... N-MOSFET에서 source와 drain은 substrate와 p-n+ junction을 이루고 있다. 따라서 channel영역으로 공핍층이 형성된다.

  리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.04.11 | 수정일 2021.04.13

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  삼성전자 파운드리 공정기술 직무면접 준비자료

  근데 산화막 두께가 넘 얇으면 채널의 전하가 산화막에 투입되거나 누설전류가 발생할 수도 있기 때문에, SiO2대신 비유전율이 높은 high-k 유전막을 사용함.④기판효과 이용. ... HKMG(High K Metal Gate)란?(SiO2대신 사용할 수 있는 절연막? 두께가 얇아질 때 누설전류를 줄일 수 있는 방법? 금속Gate 쓰면 Vth 낮은 이유?)15. ... 실리콘은 14개 전자로 이뤄짐. 1s-2s-2p-3s-3p, 3p에 전자 2개.근데 실리콘은 결정구조가 sp3 혼성결합으로, 3s에 전자 1개, 3p에 전자 3개임그래서 파울리 배타원리에

  자기소개서 | 19페이지 | 3,000원 | 등록일 2023.09.07

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  한양대 신소재공학부 반도체공정 특허발표자료

  발명자: 박기연 외 5명출원번호:10-2003-0025533반도체 소자 집적도 증가 - 단위면적당 큰 커패시턴스 요구 - 유전막 두께를 얇게 하거나, high k 재료를 유전막으로 ... 이용하는 방법 등이 있음 - 하지만 유전만 두께 얇게 하면 leakage current 증가(한계가 있음), high k를 유전막으로 쓸 경우 폴리실리콘을 사용할 수 없음(폴리실리콘과 ... 반응해서 산화됨=금속 실리케이트가 생성되면서 저유전층 생성) - 따라서 고유전막과 폴리실리콘 사이에 질화막을 deposition증착해야 함La2O3는 유전율이 27, 1000K에서도

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.03.02 | 수정일 2020.03.21

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  2023년 SK이노베이션(SK ON, 아이이테크놀로지, 지오센트릭) 96가지 면접 질문 + 답변 + 기업정보

  하이니켈(high-Ni) 기술에 대해 알고 있는 것을 말해주세요.13. ... 우리 회사의 친환경 사업 중에 알고 있는 것을 말해주세요.9. sk이노베이션은 향후 글로벌 시장에서 어떨 것 같나요?10. sk이노베이션의 단점을 말해주세요.11. ... 12. sk 이노베이션 경쟁사의 현황에 대해 알고 있나요?13. sk 이노베이션이 어떤 회사이고 핵심 사업이 무엇인지 설명해주세요.14. SK 이노베이션의 기업가치15.

  자기소개서 | 39페이지 | 10,000원 | 등록일 2023.11.15

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  [반도체 공정1] 1차 레포트 - ITRS 2005 PIDS

  특히 highly scaled devices의 short-channel effects를 제어하기 위함이다. ... 앞에서 언급한 다른 재료 및 공정 솔루션(high-κ gate dielectric, metal gate electrodes, 억지로 만든 실리콘 채널, 높은 소스/드레인 등)은 non-classical ... EOT를 스케일링하려면 상대 유전 상수(k)가 높은 유전 재료가 필요하다.일부 제조업체는 2005년 80nm 1⁄2피치를 적용한 D램에 Ta2O5와 Al2O3(k~10~25)를 사용한

  리포트 | 27페이지 | 2,500원 | 등록일 2019.11.22

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  반도체 공정 레포트2 (Flash memory)

  Erase 동작 시 전극으로부터 전자가 주입되어 reprogramming되는 현상이 발생함으로 인하여 High-k물질을 사용한 새로운 구조의 charge trap flash가 많이 ... High-k material의 경우 SiO2에 비하여 큰 dielectric constant를 가지고 있어 blocking oxide로 사용하면 erase 동작 시 blocking ... 이 중 특히 ONO (SiO2/Si3N4/SiO2) 구조의 gate dielectric 사용을 통한 신뢰성의 열화 문제는high-k dielectric을 적용한 소자 연구의 필요성을

  리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.01.15 | 수정일 2021.01.17

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