"hot-Wire CVD" 검색결과 1-18 / 18건

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  증착법

  CVD1 열선에 의한 CVD2. 1. 1 Hot - Wire CVD2 압력에 의한 CVD2. 2. 1 APCVD2. 3 활성화 에너지 공급 방법에 의한 CVD2. 3. 1 PECVDⅢ ... . 1. 1 HWCVD (Hot – Wire CVD)HWCVD의 특징은 저온에서 플라즈마를 이용하지 않고 열선을 이용하여 Si 나 Si 화합물을 증착할 수 있는 방법으로 고온의 열선을 ... 하는데 E-beam은 열 증발으로 열에 의해 증발하는 것이다.

  리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2018.12.08

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  CVD method 예비

  나노와이어(나노끈)는 나노미터 단위의 크기를 가지는 와이어 구조체.? ... 실험제목 : CVD method를 통한 ZnO Nano Wires synthesis2. 실험날짜 및 시간 :3. 이름 :4. ... Hot Wall System : 주기적인 cleaning이 필요? Cold Wall System : 냉각 장치 필요② 반응기 내부의 압력에 의한 분류.?

  리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2017.06.17

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  양면동시증착 열선-CVD를 이용한 a-Si:H/c-Si 이종접합 태양전지 제조

  한국재료학회 정대영, 송준용, 김경민, 이희덕, 송진수, 이정철

  논문 | 7페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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  CVD method를 통한 ZnO NWs synthesis 예비보고서[1].

  Nanowires나노와이어(나노끈)는 나노미터 단위의 크기를 가지는 와이어 구조체.대체로 10 nm 미만의 지름을 가지는 것에서부터 수백 nm 지름의 나노와이어를포함해서 일컬으며, ... Lasing 380 nm -400 nm.?CVD(chemical vapor deposition)-화학적 기상 증착. ... PhCVD (Photo-assisted CVD) : UV lamp, IR lamp?LCVD (Laser-assisted CVD) : Laser⑤ 반응 기체의 종류에 의한 분류.?

  리포트 | 11페이지 | 2,000원 | 등록일 2015.07.26 | 수정일 2022.09.02

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  수소화 비정질 실리콘

  )Unit 03 ㅣ 수소화 비정질 실리콘 증착 04 ㅣ 열선 화학기상 증착법 선 (Hot Wire)반응에 의해 가스 분자들이 분해하는 방식Unit 04 ㅣ 앞으로의 기술 개발 추이 ... 증착법Unit 03 ㅣ 수소화 비정질 실리콘 증착 03 ㅣ 원격 플라즈마 화학기상 증착법 확장 열 플라즈마 화학기상 증착법 ETPCVD(expanding thermal plasma CVD ... :H 태양전지가 만들어지고 , a-SI:H 태양전지 기술은 눈부시게 발전하였다 . 1980 년대 초기에는 a-Si:H 태양전지의 연구는 a-Si:H 를 기반으로 하는 합금의 개발과

  리포트 | 22페이지 | 1,500원 | 등록일 2016.05.11

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  박막증착 공정과 식각 공정 자료입니다.

  Plasma-enhanced CVD is also popular when low deposition temperatures are required. ... A simple low flux electron beam system consists of a loop of heated tungsten wire surrounding a thin ... Since the silence will begin to decompose when it approaches the hot suscepter, the concentration of

  리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.06.23

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  Thin film Deposition(박막 제조)

  ) - Atomic layer CVD (ALCVD) - Hot wire CVD (HWCVD) - Metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) ... ) Microwave plasma-assisted CVD (MPCVD), Plasma-Enhanced CVD(PECVD), Remote plasma-enhanced CVD (RPECVD ... from a heated wire (thermionic filament) and accelerated is focused by magnetic fields and hits the surface

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.04.03

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  Thin film Deposition(박막 제조) - 대본

  아토믹 스케일의 두께로 증착이 가능한: Hot wire CVD (HWCVD) - hot filament를 이용: Metalorganic chemical vapor deposition ... CVD (LPCVD) -대기보다 낮은 압력Ultrahigh vacuum CVD (UHVCVD) -대기보다 한참낮은 압력(below 10-6Pa (~ 10-8torr)- 증기의 물리적 ... 증기Microwave plasma-assisted CVD (MPCVD)Plasma-Enhanced CVD (PECVD) - 플라즈마를 이용하여 화학적반응을 일으켜 증착, 반도체 소자를

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.04.03 | 수정일 2017.02.17

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  박막의 표면처리 및 식각 실험 예비보고사

  성장시킨뒤, CVD와 위과정을 또 거쳐 Poly-Si(Gate) 및 Sillicide(TiSi or TiN)을 증착시킨다. ... ※CVD(Chemical Vapor Deposition)-기체 상태의 화학적 성분들을 웨이퍼상에서 화학 반응을 유발하여 박막을 형성하는 공정-박막을 증착하는 방법중의 하나로써, PVD에 ... 식각 속도- GaN template wafer (500nm/mitron을 이용했는데 hot electron은 반도체에 강한 전기장을 외부로부터 인가하여 주면, 가속에 의하여 열적 평형상태에

  리포트 | 13페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.06.04

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  실리콘태양전지

  기존에 시도되고 있는 저열화 태양전지 제작 방법으로는 수소 희석에 의한 i층 사용, 열선 증착법 (Hot wire CVD)에 의한 저열화 박막 증착에 관한 연구가 있으나 실험실 규모의 ... 집광형 : GaAs 계열, 적층형 등ⓑ 위성용 태양전지- IV 족 : 단결정 실리콘, Ge (저온용)- GaAs 계열 : GaAs, InP 등- 적층형(Tandem) : GaAs/Ge ... 그 대표적인 방법으로는 강한 자장으로 실리콘 재료를 녹이는cold-crucible casting 방법, graphite heater를 사용하는 drip-controlled casting법등이

  리포트 | 35페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.11.27

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  [공학]Thermal Evaporation법을 이용한 발광박막의 제조

  CVD는 증착하고 싶은 필름을 gasgudxo로 웨이퍼 표면으로 이동시켜 gas의 반응으로 표면에 필름을 증착시키는 방법이다.Thermal Evaporation에는 저항열을 이용한 ... 그는 불활성 분위기 (inert atmosphere)에서 금속 wire를 폭발시키는 방법으로 박막을 형성하였다. ... Electron beam source인 hot filament에 전류를 공급하여 나오는 전자 beam을 전자석에 의한 자기장으로 유도하여, 증착재료에 위치시키면 집중적인 전자의 cdehf로

  리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.12.22

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  [반도체공학] 반도체기초과정

  HOT WALL CVD : 주기적인 CLEANING 필요- COLD WALL CVD : 냉각 장치 필요(2) 반응기 내부의 압력에 의한 분류- APCVD (Atmosperic Pressure ... 2.45GHz)- PhCVD (Photo-assisted CVD) : UV LAMP, IR LAMP- LCVP (LASER-assisted CVD) : LASER(4) 반응온도에 의한 ... , CVD XE "Chemical Vapor 반도체장비*) CVD 반응의 종류- 열분해, 환원, 산화, 질화, 탄화, 합성반응*) CVD의 종류(1) 반응기 벽의 온도에 의한 분류-

  리포트 | 14페이지 | 1,500원 | 등록일 2005.04.21 | 수정일 2021.03.30

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  카본나노튜브, 알루미나, 나노유체, 나노파티클

  이 석영보트를 CVD 장치의 반응로에 집어넣은 후, 750 - 1050 ℃의 온도에서 NH3 가스를 사용하여 이 촉매금속막을 추가적으로 식각하여 나노크기의 미세한 촉매금속 파티클 ... wire method이용 측정유체와 직접 접촉하는 열선이 일정한 시간 내에 온도변화를 계산하여 열 전도도 측정 백금의 온도와 저항관계는 Bentley등이 발표한 논문에 제시되어 있기 ... 촉매금속으로서 Fe, Ni, Co, 또는 세가지 촉매금속의 합금을 증착한 후, 이 촉매금속을 증착시킨 기판을 물에 희석시킨 HF로 식각처리를 한 다음, 이 시료를 석영보트에 장착시킨 후, 이어서

  리포트 | 77페이지 | 3,000원 | 등록일 2006.11.28

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  [공학]대체에너지(태양광 발전을 중심으로)

  기존에 시도되고 있는 저열화 태양전지 제작 방법으로는 수소 희석에 의한 i층 사용, 열선 증착법 (Hot wire CVD)에 의한 저열화 박막 증착에 관한 연구가 있으나 실험실 규모의 ... )(4)CIS 태양전지 (Copper Indium Diselenide solar cells)(5)a-Si/poly-Si 적층형 태양전지(6)a-Si/a-SiGe(/a-SiGe) 적층형 ... 6)태양광 발전기술의 분류(1)비정질 실리콘 태양전지 (a-Si solar cells)(2)다결정 실리콘 태양전지 (Poly-Si solar cells)(3)CdTe 태양전지(카트뮴-텔러라이드

  리포트 | 32페이지 | 2,000원 | 등록일 2006.08.31

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  [나노기술] 나노의 특성과 공정

  CVC법은 감압 IGC법과 CVD법을 조합한 것으로 IGC법의 가열도가니 대신에 hot wall tubular reactor 내를 통과한 carrier가스를 hot wall reactor ... 이처럼 나노화학은 물질을 나노미터 단위에서 제어함으로써 양자구조(Quantum structure), 양자선(Quantum wire) 등의 합성법을 제시하고 와이드 밴드갭 광소자, 단일 ... 방식이 물리적이라면, bottom-up 방식은 화학적인 방법.Top-down방식 : 50nm이하의 물질은 제조불가.Bottom-up 방식 : 자가조립에 관한 연구 필요.자가조립:현재

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.12.15

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  [공학] LCD 작동원리 생산공정 및 시장동향

  베어칩을 실장하는 주요한 방식은 다음의 세가지가 있다.와이어본딩(Wire Bonding) 방식과 TAB(Tape Automated Bonding)방식, 그리고 Flip Chip Bonding방식이 ... 처음엔 박막재료로서 CdS 등이 사용됐으나 지금은 아모퍼스 실리콘막이 주류를 이루고 있다.● 아모퍼스 실리콘 TFT의 드레인과 소스층은 고농도의 아모퍼스실리콘으로 형성, 절연층은 CVD ... 램프는 CCFT(Cold Cathode Fluorenscence Tube), HCFT(Hot Cathode Fluorenscence Tube)로 구분되며, 반사판은 빛의 반사각을 변화시킨다

  리포트 | 17페이지 | 2,000원 | 등록일 2004.11.02

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  [에너지] 태양전지

  기존에 시도되고 있는 저열화 태양전지 제작 방법으로는 수소 희석에 의한 i층 사용, 열선 증착법 (Hot wire CVD)에 의한 저열화 박막 증착에 관한 연구가 있으나 실험실 규모의 ... 이때 p-type반도체에서 여기된 전자들과 n-type반도체에서 만들어진 정공을 각각의 minority carrier라고 부르 며, 기존 접합전의 p-type또는 n-type반도체내의 ... 그림1은 p-n 접합의 비 대칭성을 나타낸 것이다. n-type 지역은 큰 전자밀도 (electron density)와 작은 정공밀도(hole density) 를 가지고 있고 p-type

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.04.05

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  [디스플레이장치] TFT-LCD

  베어칩을 실장하는 주요한 방식은 다음의 세가지가 있다.와이어본딩(Wire Bonding) 방식과 TAB(Tape Automated Bonding)방식, 그리고 Flip Chip Bonding방식이 ... 처음엔 박막재료로서 CdS 등이 사용됐으나 지금은 아모퍼스 실리콘막이 주류를 이루고 있다.● 아모퍼스 실리콘 TFT의 드레인과 소스층은 고농도의 아모퍼스실리콘으로 형성, 절연층은 CVD ... 램프는 CCFT(Cold Cathode Fluorenscence Tube), HCFT(Hot Cathode Fluorenscence Tube)로 구분되며, 반사판은 빛의 반사각을 변화시킨다

  리포트 | 17페이지 | 1,000원 | 등록일 2002.09.25

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