"i-V 및 i-P 곡선" 검색결과 1-20 / 1,650건

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  [물리화학실험]순환 전압 전류법(CV)

  측정하는 방법이다.선형주사전위법의 전위주사 형태 및 이로부터 얻어지는 전류-전위 곡선가역적인 전극 반응의 경우, 피크 전류i _{p}는 아래와 와 같이 주어진다.i _{p} `=` ... ,i _{p}와E _{p}를 측정하면 전극 활성물질의 정량 및 정성분석이 가능함을 알 수 있다.일반적으로 피크전류i _{p}는 전위주사속도 V 1/2에 비례하는 관계에 있어, V가 ... 산화 및 환원 피크전류값이 동등하거나(|i _{pc}|= |i _{pa}|), 산화 및 환원 피크전위차의 값(E _{pa}-E _{pc})이 0.057/N(V) 이다.만약 전극 반응의

  리포트 | 7페이지 | 3,000원 | 등록일 2024.02.19

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  울산대학교 전기전자실험 12. JFET 특성 및 바이어스 회로

  _{R} = 0.81VI _{DSS} = 8.01mAV _{P} = -3.02V(2)JFET의 전달 및 출력 특성곡선(3)V _{GS} 변화에 대하여I _{D}와V _{DS} 특성V ... 고정 바이어스 회로를 통해I _{DSS} ,V _{P}값을 구하고,V _{DS}에 따른I _{D}값을 측정함으로써 특성곡선을 그리고,전자회로 수업에서 배운 특성곡선과 비슷하게 그려진다는 ... - 앞의 회로에서는I _{D`=`} I _{DSS} (1- {V _{GS}} over {V _{P}} ) ^{2} 이고이 회로에서V _{GS} = -I _{D} R _{S} 이므로I

  리포트 | 3페이지 | 1,500원 | 등록일 2024.03.23 | 수정일 2024.03.25

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  MOSFET의 특성 실험

  결과 분석 및 결론이번 실험은 MOSFET이라는 새로운 소자에 대해서 동작 원리를 이해하고 전압-전류 관계를 실험적으로 측정하여 드레인 특성곡선과 전달 특성곡선을 알아보는 실험 이었다 ... 실험 개요MOSFET의 동작 원리를 이해하고 전압-전류 관계를 실험적으로 측정하여 드레인 특성곡선과 전달특성곡선을 결정한다.2. ... 이 점을 숙지한 뒤에 실험에 임하였다.회로를 구성하고V _{GS}와 VDS값을 조정해가면서I _{D}를 측정하였다.V _{GS}값이 3V까지는I _{D}가 급격하게 증가하다가 4V

  리포트 | 4페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.07.06

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  전자회로실험 JFET의 특성 실험 예비레포트

  _{D}가 본질적으로 일정하게 되는 B점에서의V _{DS}값을 핀치-오프전압V _{P}라하며V _{DS}가 Vp 이상으로 계속 증가하면 게이트-드레인 사이의 역방향 전압은V _{DS ... 실험 목적JFET의 동작 원리를 이해하고 전압-전류 관계를 실험적으로 측정하여 드레인 특성곡선과 전달특성곡선을 결정한다2. ... 실험 원리(1) JFET의 구조 및 종류접합 전계효과 트랜지스터는 n채널이라 불리는 n형 반도체의 양쪽으로 2개의 p형 반도체를 확산시켜 게이트, 소스, 드레인 이라 불리는 3개 단자로

  리포트 | 6페이지 | 2,500원 | 등록일 2022.10.05

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  전기전자공학실험-JFET 특성

  V _{GS}의 범위0V SIM V _{P}ㆍSoruce(S)와 Drain(D) 사이의 바이어스-I _{D}에서I _{S}방향으로 전류가 흐르도록V _{DS}인가- 최대I _{D}에 ... 1`- sqrt {{I _{D}} over {I _{DSS}}} RIGHT )이 식을 정리하면, 다음과 같은 식도 얻을 수 있다.⑹ JFET의 특성곡선JFET의 특성곡선 그래프 ( ... BJT와 마찬가지로 화살표를 통해 JFET의 형태를 구분하며, 화살표가 JFET을 향하고 있으면 n채널, 반대일 경우 p채널 형이다.⑷ JFET의 작동원리 및 Pinch-OffㆍGate

  리포트 | 6페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.02.14

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  울산대학교 예비레포트 전자12장 JFET 특성 및 바이어스 회로

  시뮬레이션그림 12-1 JFET 전달특성곡선을 위한 회로V _{R} =5V일`때`I _{DSS} =6.85mA표 12-1 VGS의 변화에 대하여 ID와 VDS 특성VGS 표시값0V- ... P-Chanel의 경우는 전압의 +와 -가 반대가 된다.I _{d} =I _{DSS} (1- {V _{GS}} over {V _{P}} ) ^{2}여기서 IDSS는 Drain Source ... 1V-2V-3V-4V-5V-6VV _{DS}I _{D} (mA)

  리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2023.11.14 | 수정일 2023.11.17

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  전기전자공학기초실험-쌍극성 접합 트랜지스터(BJT)의 특성

  따라 조금씩 증가 하였다.Q9) 표 6-4의 값에서 측정된 입력전류V _{BE}/I _{B} 및V _{CE}/I _{C}는 각각 물리적으로 무엇을 의미하며 그 값들의 변화는 어떤지 ... 및 실험치Q)그림 6-7과 같은 회로를 구성하고 공통 에미터에서 오실로스코프를 이용한 방법과 동일하게 에미터에 걸리는 전류를 조절하여 출력 특성 곡선을 그림 6-6에 중복하여 구분되게 ... BJT의 특성곡선의 개형과 비슷하게 나온다.(5) BJT의 공통 base(CB) 입출력 실험V _{RE}(V)이론 : 측정I _{E}(mA)(측정)V _{CB}(V)이론 : 측정V

  리포트 | 9페이지 | 1,500원 | 등록일 2022.09.01

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  [부산대학교 응용전기전자실험2] 태양광 결과보고서

  개방전압 및 단락 전류 측정Eoc(V)Isc(A)10.19V0.096A이번 실험을 통해 태양전지의 E-I곡선과 전력이 어떻게 되는지와 태양전지의 단락전압 및 개방전류를 측정해봤습니다 ... 이번 실험을 통해 태양전지의 E-I곡선과 전력이 어떻게 되는지와 태양전지의 단락전압 및 개방전류를 측정해봤습니다. ... 상온에서 동작하는 PV 모듈의 E-I 특성곡선(가변 저항)이번 실험을 통해 태양전지의 E-I곡선과 전력이 어떻게 되는지 측정해봤습니다.

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2024.02.27

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  신소재프로젝트3 광전자 A+ 예비레포트

  )V _{oc} `=` {q} over {nkT} V _{oc}, I-V 곡선에서 곡선인자의 방정식 :FF`=` {V _{MP} I _{MP}} over {V _{OC} I _{SC ... }}4) 변환효율(Conversion Efficiency) :P _{max} `=`V _{oc} I _{sc} FF,` eta `=` {V _{oc} I _{sc} FF} over ... 스크라이빙은 Mo증착 후 1차 증착 후 Laser Scribing(P1), CIGS/CdS/i-ZnO 2차 증착 후 2차 Mechanical Scribing(P2), ZnO 증착후

  리포트 | 14페이지 | 3,000원 | 등록일 2023.10.07

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  전기전자공학기초실험--JFET 특성 및 바이어스

  드레인 전류의 최대값이 낮은 값에서 나타난다.그림 12-2 2N4416의 전달 및 출력 특성곡선(3)V _{DS} 변화에 대한 트랜지스터 출력 저항Q1) 표 12-2에 측정값 기록.A1 ... 부르는I _{D} =I _{DSS} (1- {V _{GS}} over {V _{P}} ) ^{2}식에 의해 입출력 관계가 정해지며, 여기서 IDSS와 VP는 소자마다 주어진 상수이기 ... 결과 토의 및 고찰이번 실험에서는 JFET의 특성 및 바이어스에 대해서 실험했다.

  리포트 | 6페이지 | 1,500원 | 등록일 2022.09.02

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  [화학공학실험]기-액 평형

  2.303log{L _{1`}} over {L _{2}}+I _{1}X대 I곡선을 이용하여X _{2}를 구할 수 있다. ... 실험 기구 및 시약가. ... _{1}} {{dx} over {y-x}}이 식은 Rayleigh식 이라고 부른다.메탄올-물계의 기액 평형 곡선 (x-y곡선)에서{1} over {y-x}의 관계를 구할 수 있다.임의의X

  리포트 | 7페이지 | 2,500원 | 등록일 2023.09.11

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  전기공학실험1 11장 CE구성의 특성곡선 및 B 측정 결과

  CE구성의 특성곡선 및 β 측정(11장 결과)전기공학실험1전기공학과실험 목표CE구성에 대한 V(CE) 대 Ic 특성곡선을 실험적으로 결정한다.I(B)의 변화에 따른 Ic의 변화를 측정한다.β값을 ... 3개의 최대 정격인 콜렉터손실, 콜렉터전압, 콜렉터전류를 포함하고 있다.그림 11-6에 나타난 특성곡선을 갖는 트랜지스터의 최대 정격은 P(c,max)=30mW , I(c,max) ... 이때의 Ic를 측정하여 표에 기록하라.전원을 끄고, β를 게산하며, 표 11-2에 계산과정 및 계산치를 기록하여라.V(CE) 대 Ic그림 11-4의 회로를 결선하여라.

  리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2021.12.02

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  [알기쉬운 기초 전기 전자 실험 (문운당)] 04. 옴의_법칙 예비보고서 (A+)

  ※P`=`I ^{2} R이므로,R`=` {P} over {I ^{2}} `=` {60} over {(50 TIMES 10 ^{-3} ) ^{2}} `=`24 TIMES 10 ^{3} ... 4-5] 동일 크기의 저항을 갖는 전압과 전류곡선5. ... 따라서 비옴성 물질의 전류-전압 곡선은 비선형적으로 증가하는 특성을 보인다.두 개 이상의 저항들이 끝과 끝이 연결되어 있는 연결을 직렬(series)연결이라 칭한다.

  리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2023.12.31

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  전자기적특성평가_태양전지 결과보고서

  실험목적태양전지의 특성과 원리를 이해하고, 광원과의 거리 및 각도에 따른 전압, 전류를 측정하여 I-V 그래프, P-V 그래프를 그려보고 FF를 구하여 비교 및 분석한다.2. ... 따라서, FF는 빛이 가해진 상태에서 I-V 곡선의 모양이 사각형에 얼마나 가까운가를 나타내는 값이다. ... 태양전지의 I-V CurveIV 곡선은 태양전지가 생성할 수 있이 없는 상태에서 태양전지가 빛을 받았을 때 나타나는 역방향(음의 값)의 전류밀도이다.

  리포트 | 11페이지 | 3,000원 | 등록일 2024.01.11

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  실험 17_능동 부하가 있는 공통 소오스 증폭기 예비보고서

  17-1]에 기록하고, [그림 17-8]에 입력-출력 전압의 전달 특성 곡선을 그리시오.실험절차 2번을 위한 회로도[표 17-1] 특성 곡선을 그리기 위한 입력-출력 DC 전압 측정입력전압V ... 여기서 입력 파형은 주파수가 1kHz, 크기는 0.1mV _{p-p}인 정현파이고, 출력 파형은 주파수가 1kHz, 크기는 1.8mV _{p-p}인 정현파이므로 전압 이득은 18V/ ... 전압 이득이 최소 10V/V 이상 나오는지 보기 위해 입력에 10kHz의 0.01V _{p-p} 정현파의 입력 전압을 인가한다.

  리포트 | 8페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.01.25 | 수정일 2023.02.07

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  [부산대 이학전자실험] Transistor

  특성 곡선(I_C vsV_CE)을 그려라10.I_B를40 muA까지10 muA 간격으로 증가시키면서 과정 8-9를 반복하여라11. ... 1.0로 변화시키며 각각의 경우에서V _{C,p-p},V _{b,p-p}를 측정하고 증폭도A _{V}를LEFT | {V _{C,p-p}} over {V _{b,p-p}} RIGHT ... 파형이 찌그러지는 순간을 관찰하였고, 이때의V _{s,p-p},V _{C,p-p},V _{b,p-p}를 기록하였다.

  리포트 | 13페이지 | 1,500원 | 등록일 2023.03.26

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  [전자회로실험] Diode 실험 보고서

  {kT} )`-`1)[I _{S} : 역바이어스 포화전류]6. ... 다이오드 회로에서 전류값V _{d}V _{S}V _{R}I 그림 9와 같은 간단한 반파정류회로에서 전압방정식은 아래와 같다.V _{S} `=`V _{d} `+`IR _{L} 따라서, ... `R _{d}} (V _{S} `-V _{0} )이고, 전압이 역방향이거나V _{0}보다 작을 때, 저항에서 전압은 0이 된다.그림 11 반파정류회로 입/출력 [파랑 - 입력, 빨강

  리포트 | 10페이지 | 2,500원 | 등록일 2024.09.09 | 수정일 2024.09.13

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  울산대학교 전자실험결과레포트 1장 PN 접합 다이오드 특성곡선 측정과 기준전압

  1-6의V _{R} =2.34mV```````````I _{S} =2.34nA가 된다오실로스코프를 이용한 다이오드의 특성곡선 측정(a)공통접지(b) 별도접지1)임계전압실험이론에서 ... 검토 및 토의- 이번 실험은 전압과 전류사이에 Ohm의 법칙이 성립하지 않은 다이오드 비선형 관계를 측정하고, 다이오드 동작원리를 확인하는 것이다.Si 다이오드는 이론값에서 0.7V부터 ... -)의 전위를 걸어준 바이어스 방향을 나타낸다.역방향 바이어스는 반도체다이오드에서 바이어스전압을 걸 때, p형 반도체쪽에 음(-)의 전위, n형 반도체쪽에 양(+)의 전위를 걸어준

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2023.11.14 | 수정일 2023.11.17

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  전자회로실험 제11판 예비보고서 실험2(다이오드 특성)

  실험 내용 및 절차A. 실험할 회로도B. P-SPICE 모의 실험 결과 및 분석C. 예상되는 실험 절차(2) 순방향 바이어스의 다이오드 특성 곡선(2) - A. ... . si 다이오드에 대해서 식(2.2) rd=ΔV/ΔI와 그림 2-5 곡선을 이용하여 ID=9mA에서 AC 저항을 과정을 보이면서 계산하라.rd(계산값) ={122.000} over ... Si와 LED 다이오드의 DC저항을 다음 식으로 계산하라.R _{DC} `=` {V _{D}} over {I _{D}} `= {V _{D}} over {I _{s}} = {E-V _

  리포트 | 17페이지 | 2,000원 | 등록일 2022.03.18

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  13장 MOSFET의 특성 실험

  이러한 n채널 및 p채널 MOSFET에 대해 그림 13-6에 전달특성곡선으로 나타내었으며,V _{GS} =0인 점은I _{DSS}에 대응하고I _{D} =0인점은V _{GS(off) ... 증가형 MOSFET의 전달특성곡선그림 13-7의 전달특성곡선에서I _{D}와V _{GS}사이의 수학적인 관계는 다음과 같이 주어진다.I _{D} =K(V _{GS} -V _{GS(th ... 공핍형 MOSFET의 전달특성곡선그림 13-6의 전달특성곡선에서I _{D}와V _{GS} 사이의 수학적인 관계는 JFET의 경우와 동일하게 다음과 같에 표현된다.I _{D} =I _

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.12.19

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