"igbt" 검색결과 1-20 / 173건

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  IGBT

  IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)목 차 IGBT 란 ? 구조 동작원리 적용분야1. IGBT 란 ? ... IGBT 동작원리 G-E 간 전압을 “ 0 ” 으로 하면 입력단의 MOSFET 가 Off 되어 정공의 주입이 정지되어 IGBT 는 Off 상태IGBT 출력특성IGBT 출력특성 ON ... IGBT 는 두 제품의 장점만을 결합한 제품2. IGBT 구조2. IGBT 구조 Thyristor (pnpn 의 4 층구조 ) 의 Gate 에 MOSFET 를 접속한 구조 .

  리포트 | 19페이지 | 2,500원 | 등록일 2009.11.25 | 수정일 2014.01.16

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  IGBT를 이용한 PWM 인버터 / PWM인버터 회로 및 실험값

  SCR 사이리스터 대신, 임의의 시각에 턴온과 턴오프가 가능한 IGBT(온·오프 제어가능 소자)를 사용함으로써 교류측의 전압이나 전류의 크기(magnitude)와 주파수(frequency

  리포트 | 16페이지 | 2,000원 | 등록일 2016.12.08

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  IGBT를 이용한 구형파 인버터 report / TLP250의 활용 / TCA785 기능

  키트 내부에 4개의 IGBT가 부착되어 있으며, 각 극에 따라 IGBT소자가 2개씩 턴 온 된다. ... IGBT를 이용한구형파 인버터 레포트한국기술교육대학교전기공학과IGBT를 이용한 구형파 인버터 회로인버터는 스위치의 On-Off를 통하여 직류를 단속시킴으로써 교류를 얻는 것이 일반적인 ... 이번 실험에서는 절연 게이트 양극성 트랜지스터인 IGBT (Insulated gate bipolar transistor)를 스위치 소자로 사용하여 전압을 제어한다.

  리포트 | 9페이지 | 1,500원 | 등록일 2016.12.08 | 수정일 2016.12.14

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  IGBT 반도체

  What is the IGBT? ... Process (3 / 6)Trench – Gate IGBT Fabrication Process (4 / 6)Trench – Gate IGBT Fabrication Process ... Fabrication Process (1 / 6)Trench – Gate IGBT Fabrication Process (2 / 6)Trench – Gate IGBT Fabrication

  리포트 | 42페이지 | 1,500원 | 등록일 2005.04.03

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  Power BJT, Power FET, Thyristor, IGBT 스위칭 소자에 대한 특성 분석

  KOREA E.M.L [15] IGBT 그림에서 보듯이 IGBT 는 양방향 전압저지 특성과 단방향 전류 특성을 갖고 , 온 , 오프제어방법은 MOSFET 과 같다 . ... Power BJT, Power FET, Thyristor , IGBT 스위칭 소자에 대한 특성 분석 Electric Machinery Lab. ... KOREA E.M.L [14] IGBT I nsulated– G ate B ipolar T ransistor, 전압제어 소자 300V 이상의 전압영역에서 사용 , 고효율 , 고속의

  리포트 | 16페이지 | 2,500원 | 등록일 2011.12.23

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  전력변환시스템_건국대_finalproject_영구자석동기전동기_구동시스템

  각각의 IGBT 스위치는 인버터 사이클의 반주기 동안만 PWM 스위칭을 하고 나머지 반주기 동안은 스위칭을 하지 않으므로 2-레벨 인버터와 비교했을 때 3-레벨 인버터는 스위칭 손실을

  리포트 | 10페이지 | 40,000원 | 등록일 2023.06.26 | 수정일 2024.03.07

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  매트랩을 활용한 PMSM 속도제어 전기기기 설계

  영구 자석 동기 전동기(PMSM)는 모터 내의 회전자에 영구 자석을 사용하며, 회전자 구동의 원천으로서 계자권 선이 영구자석으로 대체된 모터이다. 다른 전동기와는 달리 회전자에 권선을 감지 않으며, 고정자에는 3상 권선 을 감아 전류를 흘려주어 회전자계를 발생시킨다. ..

  리포트 | 20페이지 | 4,000원 | 등록일 2021.04.01

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  삼성전자DS 반도체 공정기술직 합격자소서

  1.취미/특기스도쿠,로직,익사이팅스포츠,수영2.존경인물강대원박사님3.존경이유최초 MOSFET, flash개발 등 반도체 성장에 큰 기여4.Essay 1 삼성전자를 지원한 이유와 입사 후 회사에서 이루고 싶은 꿈을 기술하십시오.#신조: 큰 목표를 가져라혁신의 아이콘 삼성..

  자기소개서 | 5페이지 | 3,000원 | 등록일 2023.08.22

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  삼성전자 공정기술 합격 자기소개서 (2)

  #경험1 전력반도체 인턴PowerMOSFET, IGBT 등 전력소자 및 모듈개발 부서에서 인턴을 했습니다.

  자기소개서 | 5페이지 | 3,000원 | 등록일 2023.02.06

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  SiC 전력반도체에 대한 정리

  감소 효과↑- 에어컨, 의료기기, PC 등 다양한 전자기구에 이용- 특히 내구성이 중요한 전기차에서 주로 활용ㆍ발전소에서 생산되는 전기가 가정 및 공장에 전달될 때 또한 전력반도체(IGBT

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.09.01

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  전력전자_건국대_HW4_전기차급속충전시스템_PART3

  이 3 상 부스트 정류기를 구현하기 위한 IGBT 또는 SiC MOSFET 모듈을 www.digikey.com 을 참조하여 선정하라. ... 필요한 경우 y 축의 스케일을 적절히 조절하여 구한 결과가 명확히 나타날 수 있도록 한다.실험결과 IGBT에 걸리는 최대전압이 800V, 흐르는 전류는 37.5A이므로 과도기 상태를

  리포트 | 10페이지 | 20,000원 | 등록일 2023.06.26 | 수정일 2023.11.29

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  Matlab Simulink PMSM 속도제어 보고서[단국대,전기기기 A+보고서]

  우선 1번 IGBT를 지난 신호는 6번으로 가고 2번을 지난 신호는 5번의 IGBT에 인가되고 마지막으로 3번을 지나는 신호는 4번의 IGBT를 통과하게 된다. ... 그래서 이 두 제품의 장점만을 결합한 제품이 전력용 반도체 IGBT이다.왼쪽 위의 IGBT부터I_1으로 가정하는 경우, 나머지 다이오드는 시계 방향으로 각각의 번호를 부여했을 때, ... 만약 상하에 위치한 IGBT 소자가 동시에 바이어스가 되게되는 경우 인버터 회로는 단락이 발생할 수 있기 때문이다.

  리포트 | 21페이지 | 4,900원 | 등록일 2020.05.13

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  PLECS를 이용한 인버터 시뮬레이션

  < RL부하측의 역기전력을 고려했을 때 >(밴드폭은 1로 고정)출력전류THD스위치의 손실(평균값) [W]스위칭 횟수IGBT전도손실IGBT스위칭손실Diode전도손실Diode스위칭손실지령전류 ... PLECS simulation time 0.1로 해서 비교한다. )< RL부하에 역기전력이 없다고 가정했을 때 >밴드폭주파수[Hz]출력전류THD스위치의 손실(평균값) [W]스위칭 횟수IGBT전도손실IGBT스위칭손실Diode전도손실Diode스위칭손실1600.04082051.2986261.96261.192714.67451183100.04082451.2986562.12711.2140114.836911891600.04082051.2986261.96261.192714.6745118320.0816571.3025931.53581.189436.7372161240.1631571.3191616.39881.183262.79614325

  리포트 | 5페이지 | 2,000원 | 등록일 2020.03.19

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  [전기전자요소설계] DC-AC 인버터 회로 결과 발표

  인버터 이번 실험 특징점 스위치 - IGBT 사용 GATE 신호 - 단상교류전원 사용 양방향이 아닌 단방향 스위칭 데드밴드 형성으로 회로 보호 실험 이론 실험 목적 6 2 . ... band 형성 ( TP2-6, 8 : NOR , TP2-7, 9 : AND ) 1 Gate driver 를 통해 각 Gate 로 신호 전달 ( G1, G2, G3, G4 ) IGBT

  리포트 | 16페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.11.08

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  Trench MOSFET 실험 레포트

  /igbt_what1 ... id=FSB50760SFT[5] Hyperlink "http://www.rohm.co.kr/web/korea/igbt_what1" http://www.rohm.co.kr/web/korea

  리포트 | 3페이지 | 2,500원 | 등록일 2021.11.08

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  [A+자료] 차량별 도시철도차량의 제원 및 차량의 기기명칭(영어약자, 원어풀이) / 각종 기기의 구조 및 작용 방식

  다만 최근에 제작된 동글이의 경우 IGBT 소자를 장착한 인버터가 사용되며, 기존의 동글이도 IGBT로 개조되고 있다. ... mm최고속도90 km/h제동장치회생제동병용 전기지령식 공기제동제작사(도입시기)현대로템 (2010년~2011년)전기방식AC 25,000V, 60Hz가속도3.0km/h/s제어방식VVVF-IGBT ... mm최고속도70 km/h제동장치회생제동 병용 전기지령식, 공기제동 (응하중부)제작사(도입시기)현대로템 (2011년)전기방식직류 750V 제3궤조 하면접촉가속도4.0 km/h/s제어방식VVVF-IGBT상용감속도4.7

  리포트 | 42페이지 | 4,000원 | 등록일 2022.10.18

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  원심펌프 성능 및 흡입 실험2 (위생설비실험 레포트)

  펌프의 회전수는 IGBT 인버터 를 사용하여, 고효율로 속도를 조절할 수 있으며, 디지털 속도계로 1분장 회전수 (rpm, revolution per minute)를 측정한다.

  리포트 | 73페이지 | 4,000원 | 등록일 2024.01.04

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  광주교통공사 차량직 전공면접 기출

  IGBT소자를 사용한 CVCF정지형 인버터가 있습니다. 냉방기와 보안장치인 ATC/ATO장치가 있습니다. ... 서비스장치는 냉난방장치, 공기압축기, 실내형광등 등이 있습니다.추진장치IGBT소자를 사용한 VVVF인버터를 사용하여 회생제동력을 최대로 해주는 장치입니다. ... VVVF는 전동차에 요구되는 견인력을 발생시키기 위해 사용하는 장치입니다.보조전원장치IGBT소자를 사용한 CVCF 방식으로, 열차의 서비스장치를 구동하기 위한 장치입니다.

  자기소개서 | 6페이지 | 3,000원 | 등록일 2024.04.11 | 수정일 2024.07.17

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  현대오트론 반도체직무 합격자소서 입니다

  특히, 제가 있었던 부서는 IGBT모듈 부서로 자동차 반도체와 많은 프로젝트를 수행했습니다. ... 이 과정으로 MOSFET, IGBT, SiC 등 다양한 소자와 더불어 공정, 디자인, 모듈에 대해서도 배울 수 있었습니다.

  자기소개서 | 3페이지 | 3,000원 | 등록일 2023.12.01

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  전력산업 시스템(기술) 이해 및 스마트그리드를 활용한 개선방향 분석

  Valve)를 채용하여 스위덴 본토와 코틀랜드 섬(Gotland)을 연계하는 세계 최초의 HVDC 시스템이 건설된 이후 반도체 소자 기술의 발달에 힘입어 현재에는 사이리스터 및 IGBT ... 설비될 직류 계통과는 연동이 어렵다.전압형 HVDC(VSC-HVDC)전압형 HVDC(Voltage Source Converter-HVDC)는 1990년대에 최초로 상용화된 기술로 IGBT

  리포트 | 5페이지 | 4,000원 | 등록일 2021.01.06

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