"incremental type" 검색결과 1-20 / 198건

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  A+ 전자회로설계실습_MOSFET 소자 특성 측정

  값이 5V와 가까운 4.5V의 Condition 값을 선택하였다. , , 의 type 값을 선택하였다. ... Voltage source→VDC 이름 적기(Gate 전압), Start value→ 0V, End value→5V, Increment→0.1V]위의 결과를 이용하여 VT를 구하고 ... 이름 적기 (Drain 전압), Start value→0V, End value→5V, Increment→0.1V ② Secondary Sweep 클릭, Sweep variable→

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2024.08.21

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  전자회로설계실습 4번 예비보고서

  (E) PSPICE를 이용하여 iD-vDS 특성곡선을 제출하여라.참고: [Current Marker: Drain단 위치, 시뮬레이션 세팅: ① Analysis type→DC Sweep ... (VDS=5V를 이용하여 측정)참고: [Current Marker: Drain단 위치, 시뮬레이션 세팅: Analysis type→DC Sweep, Sweep variable→Voltage ... source→VDC 이름 적기(Gate 전압), Start value→ 0V, End value→5V, Increment→0.1V](C) 위의 결과를 이용하여 VT를 구하고 Data

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2024.08.16

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  [중앙대학교 A+] 전자회로설계실습 MOSFET 소자 특성 측정 예비보고서

  (E) PSPICE를 이용하여 특성곡선을 제출하여라.참고 : [Current Marker : Drain단 위치, 시뮬레이션 세팅 : Analysis type → DC Sweep, Sweep ... variable → Voltage, source → VDC 이름 적기(Drain 전 압), Start value → 0 V, End value → 5V, Increment → 0.1 ... Sweep variable → Voltage source → VDC 이름 적기(Gate 전압), Start value → +0.5 V, End value → +0.7 V, Increment

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.03.19

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  [A+] 전자회로설계실습 4차 예비보고서

  (D) PSPICE를 이용하여 iD-vDS 특성곡선을 제출하여라.참고: [Current Marker : Drain단 위치, 시뮬레이션 세팅: ① Analysis type→DC Sweep ... (VDS=5V를 이용하여 측정)참고: [Current Marker : Drain단 위치, 시뮬레이션 세팅: Analysis type→DC Sweep, Sweep variable→Voltage ... source→VDC 이름 적기(Gate 전압), Start value→ 0V, End value→5V, Increment→0.1V](C) 위의 결과를 이용하여 VT를 구하고 Data

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2023.06.21 | 수정일 2023.06.23

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  중앙대학교 전자회로설계실습 예비보고서4

  (VDD=5V를 이용하여 측정)참고: [Current Marker: Drain단 위치, 시뮬레이션 세팅: Analysis type→DC Sweep, Sweep variable→Voltage ... (E) PSPICE를 이용하여 - 특성곡선을 제출하여라.참고: [Current Marker: Drain단 위치, 시뮬레이션 세팅: ① Analysis type→DC Sweep, Sweep ... variable→Voltage source→VDC 이름 적기(Drain 전압), Start value→0V, End value→5V, Increment→0.1V ② Secondary

  리포트 | 5페이지 | 2,000원 | 등록일 2024.03.10

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  (22년) 중앙대학교 전자전기공학부 전자회로설계실습 예비보고서 4. MOSFET 소자 특성 측정

  .(=5V를 이용하여 측정)참고: [Current Marker : Drain단 위치, 시뮬레이션 세팅: Analysis type -> DC Sweep, Sweep variable - ... (E) PSPICE를 이용하여 - 특성곡선을 제출하여라.참고: [Current Marker : Drain단 위치, 시뮬레이션 세팅: eq \o\ac(○,1) Analysis type ... > 0V, End value -> 5V, Increment -> 0.1V]cut off region에서 triode region으로 들어가는 threshold voltage 는 1.9V로

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2023.02.12

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  중앙대 전자회로설계실습 (예비) 4. MOSFET 소자 특성 측정 A+

  (E) PSPICE를 이용하여 iD-vDS 특성곡선을 제출하여라.참고: [Current Marker : Drain단 위치, 시뮬레이션 세팅: ① Analysis type→DC Sweep ... (VDS=5V를 이용하여 측정)참고: [Current Marker : Drain단 위치, 시뮬레이션 세팅: Analysis type→DC Sweep, Sweep variable→Voltage ... source→VDC 이름 적기(Gate 전압), Start value→ 0V, End value→5V, Increment→0.1V](C) 위의 결과를 이용하여 VT를 구하고 Data

  리포트 | 4페이지 | 2,500원 (10%↓) 2250원 | 등록일 2022.04.09

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  [A+][예비보고서] 중앙대 전자회로설계실습 4. MOSFET 소자 특성 측정

  (VDS=5V를 이용하여 측정) 참고: [Current Marker: Drain단 위치, 시뮬레이션 세팅: Analysis type→ DC Sweep, Sweep variable→ ... 참고: [Current Marker : Drain단 위치, 시뮬레이션 세팅: ① Analysis type →DC Sweep, Sweep variable→Voltage source→VDC ... Voltage source→VDC 이름 적기(Gate 전압), Start value→ VT+0.5V, End value→VT+0.7V, Increment→0.1V]

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.04.08

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  4. MOSFET 소자 특성 측정 예비보고서 - [전자회로설계실습 A+ 인증]

  (D) PSPICE를 이용하여 iD-vDS 특성곡선을 제출하여라.참고: [Current Marker : Drain단 위치, 시뮬레이션 세팅: ① Analysis type→DC Sweep ... (VDD=5V를 이용하여 측정)참고: [Current Marker : Drain단 위치, 시뮬레이션 세팅: Analysis type→DC Sweep, Sweep variable→Voltage ... source→VDC 이름 적기(Gate 전압),Start value→ 0V, End value→5V, Increment→0.1V](C) 위의 결과를 이용하여 VT를 구하고 Data

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.03.16 | 수정일 2023.01.03

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  C언어에서 메모리를 효율적으로 활용하기 위하여 포인터가 매우 유용하게 활용된다. 포인터가 무엇인지에 대한 포인터 정의 그리고, 포인터 변수가 무엇인지에 대하여 설명하고, 각각의 예제를 들어서 설명하시오.

  이를 통해 메모리를 효율적으로 활용할 수 있다.포인터 변수를 선언하는 방법은 다음과 같다.data_type *pointer_name;여기서 data_type은 포인터 변수가 가리키는 ... increment 함수는 int형 포인터를 인자로 받아, 해당 포인터가 가리키는 변수의 값을 1 증가시킨다. main 함수에서 num의 주소를 increment 함수에 인자로 전달하여 ... 따라서 *ptr = 20;은 num의 값을 20으로 변경하는 것이다.함수의 인자로 포인터를 사용하여 함수 외부의 변수에 접근할 수 있다.void increment(int *ptr)

  리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.04.14

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  [A+]중앙대학교 전자회로설계실습 MOSFET 소자 특성 측정 예비보고서

  참고: [Current Marker : Drain단 위치, 시뮬레이션 세팅: ① Analysis type →DC Sweep, Sweep variable→Voltage source→VDC ... source→VDC 이름 적기(Gate 전압), Start value→ VT+0.5V, End value→VT+0.7V,Increment→0.1V]->Answer ... 이름 적기(Drain 전압), Start value→0V, End value→5V, Increment→0.1V ② Secondary Sweep 클릭, Sweep variable→Voltage

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.03.09

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  A+ 2022 중앙대학교 전자회로설계실습 예비보고서 4 MOSFET 소자 특성 측정

  참고: [Current Marker : Drain단 위치, 시뮬레이션 세팅: ① Analysis type →DC Sweep, Sweep variable→Voltage source→VDC ... (VDS=5V를 이용하여 측정) 참고: [Current Marker : Drain단 위치, 시뮬레이션 세팅: Analysis type→DC Sweep, Sweep variable→Voltage ... Voltage source→VDC 이 름 적기(Gate 전압), Start value→ VT+0.5V, End value→VT+0.7V, Increment→0.1V]

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2023.02.25

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  [A+][중앙대학교 전자회로설계실습] 실습4 MOSTFET 소자 특성 측정 예비보고서

  참고: [Current Marker : Drain단 위치, 시뮬레이션 세팅: ① Analysis type→DC Sweep, Sweep variable→Voltage source→VDC ... (VDD=5V를 이용하여 측정)참고: [Current Marker : Drain단 위치, 시뮬레이션 세팅: Analysis type→DC Sweep, Sweep variable→Voltage ... source→VDC 이름 적기(Gate 전압), Start value→ 0V, End value→5V, Increment→0.1V](C) 위의 결과를 이용하여 VT를 구하고 Data

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.03.30 | 수정일 2022.04.20

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  [중앙대 전자회로설계실습 4 예비보고서] MOSFET 소자 특성 측정

  참고: [Current Marker : Drain단 위치, 시뮬레이션 세팅: ① Analysis type→DC Sweep, Sweep variable→Voltage source→VDC ... (VDS=5V를 이용하여 측정) 참고: [Current Marker : Drain단 위치, 시뮬레이션 세팅: Analysis type→DC Sweep, Sweep variable→Voltage ... source→VDC 이름 적기(Gate 전압), Start value→ VT+0.5V, End value→VT+0.7V, Increment→0.1V]

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.08.09

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  [중앙대학교 3학년 1학기 전자회로설계실습] 예비보고서4 구매 시 절대 후회 없음(A+자료)

  → Voltage source → VDC 이름 적기(Gate 전압), Start value → 0 V, End value → 5 V, Increment → 0.1 V]V _{DS} ... E) PSPICE를 이용하여i _{D`} -v _{GS} 특성곡선을 제출하여라.참고 : [Current Marker : Drain단 위치, 시뮬레이션 세팅 : ① Analysis type ... (V _{DS} =5`V를 이용하여 측정)참고 : [Current Marker : Drain단 위치, 시뮬레이션 세팅 : Analysis type → DC Sweep, Sweep variable

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2023.08.28

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  MOSFET 소자 특성 측정 예비보고서

  (E) PSPICE를 이용하여 iD-vDS 특성곡선을 제출하여라.참고: [Current Marker : Drain단 위치, 시뮬레이션 세팅: ① Analysis type →DC Sweep ... (VDS=5V를 이용하여 측정) 참고: [Current Marker : Drain단 위치, 시뮬레이션 세팅: Analysis type→DC Sweep, Sweep variable→Voltage ... source→VDC 이름 적기(Gate 전압), Start value→ 0V, End value→5V, Increment→0.1V](C) 위의 결과를 이용하여 VT를 구하고 Data

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.06.18

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  [A+]중앙대 전자회로설계실습 예비보고서 설계실습4. MOSFET 소자 특성 측정

  (VDS=5V를 이용하여 측정)참고: [Current Marker : Drain단 위치, 시뮬레이션 세팅: Analysis type->DC Sweep, Sweep variable-> ... (E) PSPICE를 이용하여 iD-vDS 특성곡선을 제출하여라.참고: [Current Marker : Drain단 위치, 시뮬레이션 세팅: ① Analysis type->DC Sweep ... Voltage source->VDC 이름 적기(Gate 전압), Start value->0V, End value->5V, Increment->0.1V](iD-vGS특성곡선)(C) 위의

  리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.12.24 | 수정일 2022.01.10

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  MOSFET의 특성측정 예비보고서

  →Voltage source→VDC 이름 적기(Gate 전압), Startvalue→ 0V, End value→5V, Increment→0.1V](C) 위의 결과를 이용하여V _{T ... (V _{DS}=5V를 이용하여 측정)참고: [Current Marker : Drain단 위치, 시뮬레이션 세팅: Analysis type→DC Sweep, Sweep variable ... →DCSweep, Sweep variable→Voltage source→VDC 이름 적기(Drain 전압), Startvalue→0V, End value→5V, Increment→

  리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2023.01.21

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  중앙대 전자전기공학부 전자회로설계실습 예비보고서(실험4)

  (E) PSPICE를 이용하여 iD-vDS 특성곡선을 제출하여라.참고: [Current Marker : Drain단 위치, 시뮬레이션 세팅: ① Analysis type→DC Sweep ... (VDS=5V를 이용하여 측정)참고: [Current Marker : Drain단 위치, 시뮬레이션 세팅: Analysis type→ DC Sweep, Sweep variable→Voltage ... source→VDC 이름 적기(Gate 전압), Start value→ 0V, End value→5V, Increment→0.1V](C) 위의 결과를 이용하여 VT를 구하고 Data

  리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2021.08.18

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  시스템분석설계 ) 문제 설계 전략 기술중 거래 분석(Transaction Analysis)에 대해서 설명하시오. 문제 2. 점증적 개발 모델(Incremental model)의 장단점에 대해서 쓰시오

  점증적 개발 모델(Incremental model)의 장단점에 대해서 쓰시오문제 3. ... 내에서 설계, 구현, 시험, 설치, 운영(또는 유지보수)의 순서에 따라 시스템을 관리한다.시스템의 접근 관점에서 볼 때, 점증적 개발 모델은 가장 상위의 계층이 원형(Proto type ... 점증적 개발 모델(Incremental model)의 장단점에 대해서 쓰시오문제 3.

  리포트 | 7페이지 | 5,000원 | 등록일 2022.02.17

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