"onsemi device" 검색결과 1-5 / 5건

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  22년 상반기 Onsemi 온세미 Device engineer 직무 서류 합격 자기소개서

  22년 상반기 Onsemi(온세미) Device engineer 직무서류 합격 자소서1. 왜 Onesmi에 지원하셨나요? 지원 동기와 포부를 얘기해주세요. ... [협업: Onsemi 전력반도체 성능/수율/품질 향상의 Key]Device 엔지니어로서 개발/양산 전력반도체에 발생한 이슈들을 팀원뿐만 아니라 Process, Quality, FA팀 ... 또한 끊임없는 직무 역량 강화로 Device 전문가가 되어 후배들과 소통과 협업으로 ‘전력반도체 글로벌 1위’란 목표를 달성하며 Onsemi 일원 모두와 함께 발전하는 엔지니어가 되겠습니다

  자기소개서 | 4페이지 | 3,000원 | 등록일 2022.08.04

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  온세미컨덕터 AE직무 인턴 합격자소서

  그리고 BJT소자의 특성과 전류 전압 식에 관해서 배우면서 BJT의 소자의 경우 minority carrier device로 증폭 응용 상의 장점과, 스위칭 응용의 단점 부분에 대해서 ... 이러한 onsemi만의 독자적인 기술과 결과는 앞으로의 onsemi를 더욱 기대하게 하고, 저 또한 onsemi의 새로운 전력반도체의 개발을 함께하고 싶다는 생각을 들게 하였습니다.그렇기 ... [함께 나아가는 발전]Onsemi는 전기자동차의 수요의 증가로 인해, 변화되는 반도체 시장을 선두하고 있습니다.

  자기소개서 | 2페이지 | 3,000원 | 등록일 2024.02.12

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  Trench MOSFET 실험 레포트

  따라서 고집적화에 의해 다른 power device에 비해서 낮은 게이트 전압에서 충분한 전류 구동이 가능하다. ... id=FSB50760SFT" http://www.onsemi.com/PowerSolutions/product.do? ... Application Note AN-5232, Fairchild Semiconductor (2013).[4] Hyperlink "http://www.onsemi.com/PowerSolutions

  리포트 | 3페이지 | 2,500원 | 등록일 2021.11.08

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  MOSFET Circuit 사전보고서

  .- Hyperlink "http://www.onsemi.com" www.onsemi.com에서 2N7000 트랜지스터의 Pspice model Library를 다운받았으나, 추가가 ... saturation 상태에서 전압-전류 식이 다음과 같다. [1-1]에서 구한 값들을 통하여 트랜지스터의 bN 및 VTHN 값을 구하시오.2) Materials (Equipment, Devices

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2015.03.23

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  MOSFET Circuit 결과보고서

  .- Hyperlink "http://www.onsemi.com" www.onsemi.com에서 2N7000 트랜지스터의 Pspice model Library를 다운받았으나, 추가가 ... = (5.ion 상태에서 전압-전류 식이 다음과 같다. [1-1]에서 구한 값들을 통하여 트랜지스터의 bN 및 VTHN 값을 구하시오.2) Materials (Equipment, Devices

  리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2015.03.09

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