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"p-n junction" 검색결과 1-20 / 922건

  • 반도체의 원리(P-N Junction)
    리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2023.11.22 | 수정일 2023.11.25
  • P-N junction을 이용한 금속산화물 반도체의 가스 센싱 감응변화 분석 실험보고서
    신소재공학종합설계1P-N junction을 이용한 금속산화물 반도체의 가스 센싱 감응변화 분석실험내용1. ... TeO2 나노선이 형성된 SnO2 나노선의 가스 센서특성을 측정하고 이전 실험값과 비교한다.실험결과P-N junction을 통해 SnO2 나노선의 전자들이 TeO2 나노선으로 이동하고 ... 센서특성 향상을 위해 TeO2 나노선에 p-type TeO2 나노선을 추가로 공정하여 실험한다.4.
    리포트 | 3페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.03.08
  • 반도체 제조 공정 (P-N Junction) 반도체 공학
    PH( 농도 7 이하 ): 산성 ) P-type Si Wafer SiO ₂ SiO ₂ P-N Junction 이 가능한 P-type Wafer 완성반도체 제작 공정 4-1 확산과 이온 ... 주입 P-type Si Wafer SiO ₂ SiO ₂ N-type Dopant Gas Diffusion or Ion Implantation N-type Dopant Gas 를 주입 ... 반도체 공학 P-N Juntion 반도체 제작 공정목 차 1-1 실리콘 산화 1-2 실리콘 산화의 방식 2 -1 광 노광 공정 3-1 선택적 식각 (Selective etching)
    리포트 | 15페이지 | 2,500원 | 등록일 2013.11.18 | 수정일 2013.11.21
  • SOD(Spin-on dopant)법을 이용한 p-n Junction Solar Cell 제작 (실험 사전 보고서)
    대부분 보통의 태양전지는 대면적의 p-n 접합 다이오드(p-n junction diode)로로 전하(charge) 의 불균형이 생기고 이 때문에 전기장(electric field)이 ... 이때 p-type반도체에서 여기된 전자들과 n-type반도체에서 만들어진 정공을 각각의 minority carrier라고 부르 며, 기존 접합전의 p-type또는 n-type반도체내의 ... carrier(p-type의 정 공, n-type의 전자) 는 이와 구분해 majority carrier라고 부른다.
    리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.04.04
  • 투명전극 결과보고서 [A+ 레포트]
    반도체를 N형 반도체라고 한다.②P-N junction-P형 반도체와 n형 반도체를 붙여놓으면 p-type의 holes가, n-type의 electrons가 majority carrier로써 ... 이로 인해 N-type의 전자들은 p-type의 공핍영역으로, P-type의 홀은 N-type의 공핍영역으로 가게 되어 E-field의 방향은 기존의 방향과 반대이다.II) PN junction ... region에서 생긴 E-field에 의해 전자는 n-type쪽으로, 홀은 p-type쪽으로 가속되어 전류가 발생한다.
    리포트 | 15페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.06.01
  • pn junction 에너지밴드
    Bias Voltage 크기에 따른 p-n Junction Diode의 동작 상태 설명p-n Junction Diode의 ‘Log I ? ... 이때의 전류가 바로 Break Down 전류이다.4. p-n Junction Diode의 I-V 방정식p-n Junction Diode의 I-V 방정식을 유도하고, I-V 특성 곡선을 ... 1. p-n Junction의 정성적 설명반도체 p-n 접합의 형성 원리를 정성적으로 설명하시오.PN 접합이란 반도체 내부에서의 불순물의 종류와 비율에 따라 P형과 N형으로 나뉘게
    리포트 | 11페이지 | 2,500원 | 등록일 2023.05.13
  • PN Junction 발표 PPT
    P side: excess of holes N side: excess of electrons - metallurgical junction PN Junction at Thermal Equilibrium ... It is a boundary between two types of semiconductor materials, p-type and n-type. ... donor ions, holes(p-type) diffuse into the n-region leaving negatively acceptor ions.
    리포트 | 14페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.11.08
  • 부경대학교 VLSI 과제(CMOS 인버터) 실험보고서
    bodyinit silicon c.boron=1e17 twostruc outfile=mesh.str2) n-well# n-welldeposit oxide thick=0.5 div= ... 도핑농도, Junction depth1) NMOS의 도핑농도, Junction depth2) PMOS의 도핑농도, Junction depth3. ... .x=22.5 rightetch oxide thick=0.025) S/D_NMOS#S/D_NMOSdeposit photoresist thick=0.5 div=5## lith4(n-select
    리포트 | 16페이지 | 5,000원 | 등록일 2023.12.24
  • [물리전자2] 과제4 요약 과제 Zener effect부터
    In a p-n junction, current typically flows only in the forward direction. ... Additionally, the diode equation resembles the following expression for a p-n junction.14. ... other areg an n-type & p-type semiconductor with a metal.
    리포트 | 7페이지 | 3,000원 | 등록일 2023.12.21 | 수정일 2023.12.30
  • part.1 신소재공학(재료공학) 대학원 전공 면접 (1/4)
    P doping, N doping 시, 페르미 준위 변화junction에서 일어나는 물리 현상 (diffusion, drift, depletion layer), 그림 숙지forward ... 신소재공학(재료공학) 대학원 전공 면접 part.1반도체P-type 반도체와 N-type 반도체원리, 밴드 구조, 도핑 방법왜 dopants가 substitutional site에 ... 가는지 (interstitial 말고)Junction 원리P가 많이 도핑 되었을 때 에너지 밴드는?
    자기소개서 | 3페이지 | 8,000원 | 등록일 2023.05.03 | 수정일 2023.05.04
  • [물리전자2] 과제5 내용 요약 Load line부터 (6단원)
    For figure 6-10, Explain the on & off for n-type, p-type MOSFET regarding VG.A transistor with an n+ ... well created using a p-type substrate is referred to as an n-MOS, whereas its counterpart with a p+ well ... of P-type semiconductor as discussed in the class.
    리포트 | 7페이지 | 2,500원 | 등록일 2023.12.21 | 수정일 2023.12.30
  • 신소재공학 대학원 (카이스트) 면접 기출 및 예상문제
    Phonon과 열용량 관계 설명.2. p-type과 n-type 반도체의 원리 및 밴드 구조, junction 형성 원리 등3. ... 확산(구동력, fick's law, steady state) 설명+1. n-type p-type 반도체 설명, 도핑 법2. diffusion 공식, 문제3. phase diagram ... 상평형, eutectic인 경우Volume free energy와 surface free energy.6. eutectic, hyper-eutectic, hypo-eutectic 미세조직
    자기소개서 | 2페이지 | 5,000원 | 등록일 2023.05.03 | 수정일 2023.05.10
  • 한양대 공과대학 신소재공학과 학업계획서(전문가 도움, 최종합격)
    M-S junction 태양전지p,n 타입의 Si wafer와 Ni, Ag, Al, Mn, Au등 의 물질을 조합하여 Schottky barrier의 크기, built in voltage ... 뉴로모픽 반도체 전문가가 되고자 한양대학교 신소재공학과 진학을 희망하게 되었습니다.물리전자를 처음 배웠을 땐 p-n junction을 이해하면서 전자들의 움직임에 따라 다이오드, 태양전지 ... 세미나 주제로 Taylar급수, Polar form, 복소적분, 격자구조, MOSFET, 슈뢰딩거 방정식, Built-in Voltage, velocity saturation, p-n
    자기소개서 | 3페이지 | 3,000원 | 등록일 2020.03.24
  • 전기전자재료 과제2 솔루션
    The step junction profile can be applied to not only p+-n and n+-p, but also regular n-p. ... True or false:(a) The step junction is an idealized doping profile used to model p+-n and n+-p junctions.Answer ... False, but due to bad wording of the problem, both False and True will be accepted as answers.The step junction
    시험자료 | 4페이지 | 2,000원 | 등록일 2022.11.09
  • 성균관대 정보통신대학 전자전기컴퓨터학과 학업계획서(전문가 도움, 최종합격)
    변수를 두어 제작 및 평가를 해 보게 되었습니다.M-S junction 태양전지는 p,n 타입의 Si wafer와 Ni, Ag, Al, Mn, Au등 의 물질을 조합하여 Schottky ... 결국 모든 소자나 회로가 MOSFET이나 P-N 접합다이오드 같은 기본 소자모형에서 시작되는 걸 알았고, 이러한 소자들이 모여 스마트폰이나 컴퓨터같은 엄청난 시스템을 만들어 낸다는 ... 이러한 경험을 통해 필요한 실험과 최신논문들을 익혀서 능동적으로 사회에 필요하고 획기적인 소자들을 연구할 계획입니다.④기타저는 M-S junction 태양전지와 DSSC를 여러 가지
    자기소개서 | 4페이지 | 3,000원 | 등록일 2020.06.22
  • 유니스트 에너지공학과 대학원 면접기출질문
    질문Quantum Physics: Definition of Quantum Confinement Effect, Direct/IndirectSolid State Chemistry: p-n ... junction diagram, Carrier Concentration
    자기소개서 | 2페이지 | 3,000원 | 등록일 2021.04.08 | 수정일 2021.04.28
  • [물리전자2] 과제7 내용 요약 한글판 8단원 Optoelectric devices
    source가 없어서 p-n junction이 배터리처럼 사용되어 power를 공급한다. ... Solar cell에서는 p-n junction에 저장된 한정된 energy에서 얼마나 많은 power를 생산할 수 있느냐가 성능의 지표가 된다. ... 이렇게 전자들이 갇혔기에 simple p-n junction보다 더 적은 전류로 lasor를 사용할 수 있게 해준다.Page PAGE \* MERGEFORMAT2
    리포트 | 3페이지 | 2,500원 | 등록일 2023.12.21 | 수정일 2023.12.30
  • 홀 효과(Hall effect) 측정 실험 레포트
    “Modeling of InGaN p-n junction solar cells.” ... 흡수율을 가지고 있어 태양광을 흡수하고, p-type junction, n-type junction 간에 전기가 흐르게 되어 태양 전지를 작동시키는 원동력이 된다. ... 고찰실험 결과를 통해 해당 시편은 정공 운반자이기 때문에 p-type 반도체임을 알게 되었다. p-type 반도체는 n-type 반도체와 PN 접합(PN junction)을 형성하며
    리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2023.05.21
  • [A+자료] 반도체 물성과 소자 8장~9장 정리
    이때 전위 장벽 (qV_bi)이 생성되며 홀의 이동을 막는다.• Reverse bias : reverse bias 가 걸리면 p영역에는 -전압이, n영역에는 +전압이 인가된다. ... + 전압이, n 영역에는 = 전압이 인가된다. ... : Assumption >1) non-degenerately doped step junction, depletion approximation: 도핑농도가 매우 높지 않고 적당한 수준의
    리포트 | 14페이지 | 3,000원 | 등록일 2023.07.17 | 수정일 2024.01.28
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2024년 07월 20일 토요일
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