"sno2 pecvd" 검색결과 1-17 / 17건

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  반도체 - CVD, PVD

  이웃집과학자(http://www.astronomer.rocks)PECVD제조사SINGULUS (독일)사진Generis PECVD특징- Adaptable to every solar cell ... whole process sequence- Complete PECVD sequence without vacuum interruption- Economic gas consumption ... architecture- Throughput scalable, number and sequence of process modules configurable- IC-PECVD guarantees

  리포트 | 18페이지 | 2,500원 | 등록일 2021.01.28

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  ASML CSE 합격 자소서

  [공정 실습] PECVD 공정을 실습하며 박막 공정을 이해하고 온도,압력,N2,SiH4,N2O와 같은 Parameter을 조정하며 측정된 data의 특성을 비교해 봤습니다. ... First, there is no fear of dealing with problems that have no fixed answers.At first, I had a lot of ... in the PECVD process.

  자기소개서 | 8페이지 | 4,000원 | 등록일 2023.05.25 | 수정일 2023.05.28

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  [태양전지실험] Study of Organic and Inorganic Solar Cells

  All of the parameters show better performances when there are no additives. ... Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) PAGull lines). ... and (d) P3HT:PCBM2 + additive2Table SEQ Table \* ARABIC 4 Dark saturation current density and ideality

  리포트 | 40페이지 | 30,000원 | 등록일 2020.11.16

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  Patterning and treatment of SiO2 thin films 예비보고서 A+

  /한국 고분자 학화/27 NO.6/p~124 ... 윤현민외 2명/반도체공학3판/북두출판사/2012/pp84~101[3] 남지윤, 조성진/Fabrication of microscale silicon thin film solar cells ... TCO의 저항성분으로 인해 일반적으로 직렬연결로 제조가 되는데, 제조공정은, 유리위에 TCO를 증착하고, 그위에 패터닝을 실시하고 이후 p-i-n 막을 증착(PECVD)한후 그것을

  리포트 | 6페이지 | 2,000원 | 등록일 2021.01.02

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  PECVD 공정

  No RF bias Vacuum: 0.5~1 torr 0.02-0.1 W/cm 2 power densityPECVD ( Plasma Ehanced Chemical Vapor Deposition ... electrodeWHY PECVD ? ... SiH 4 + NH 3 → SiN + 7/2 H 2 ( 400C o )Ratio of (DCS or) silane and NH3 Temperature Plasma parameter

  리포트 | 24페이지 | 3,000원 | 등록일 2018.06.15

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  AFM을 이용한 PECVD에 의해 증착된 Sb-doped SnO2 박막의 표면형상에 관한 연구

  한국재료학회 윤석영, 김근수, 이원재, 김광호

  논문 | 7페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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  Design Project for LED fabrication process- 조명 White LED 제작 공정

  Lett . 58, 2021 (1991) phys. stat. sol. (a) 192, No. 2, 246–.253 (2002) Appl. Phys. ... O 3 N 2 녹색 형광체 활성제 : Eu 2+ 이온 - B a 2 SiO 4 , Sr 2 SiO 4 , SrAl 2 O 4 , Sr 4 Al 14 O 25 , SrGa 2 S 4 ... , Glycerin 7 Scribing/BreakingCHIP PROCESS Equipment PECVD 투명전극 Au / Ni 증착 특징 높은 전도도 투과성 P 형 질화물 반도체에

  리포트 | 39페이지 | 3,000원 | 등록일 2014.03.26

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  Design and fabrication of electrowetting microfluidic devices

  =1.75st=2.0sEWOD Chip PerformanceMerging two droplets2㎕ d.i. water droplets, frequency=2 Hz @ 80 V (300 ... =0.5st=1.7st=2.9st=4.1st=0.2sEWOD Chip Performance- Results and discussionSplitting and merging droplets1.4 ... IntroductionMicro-channelDiscrete dropletChannel-less architecture - easily reconfigurable Direct droplet manipulation - no

  리포트 | 32페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.10.08

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  [공학기술]박막

  더 좋은 step coverage. 방사성 데미지 적음.1. 화학 기상 증착 (CVD) ① LPCVD ② APCVD ③ PECVD ④ MOCVD 2. ... Cluster 화에 불리.Batch(Furnace)처리방식Cluster화에 유리(No vacuum break). 대구경 Wafer 에 유리. ... (불순물원인) 산화물(oxide) or 질화물(nitride)에 사용.PECVD가열기전극웨이퍼전극RF 동력 입력가스 배출구, 펌프가스 주입구 (SiH4, O2)플라즈마PECVD 구조MOCVD

  리포트 | 38페이지 | 2,000원 | 등록일 2007.05.23

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  MOCVD의 구성 및 원리

  2 way valve no, nc)Pneumatic ValveMass Flow ControllerDiff Pressure TransmitterMFC, PCPneumatic valve ... (3/2 way valve)Pneumatic Valve ( 5/2 way valve )MO source ( T.M.I )MO source (DEZn- 1)MO source (Cp2Fe ... (Atmospheric Pressure CVD) : 1atm LPCVD (Low Pressure CVD) : mTorr ~ Torr 반응기 열원에 따른 분류 Thermal CVD PECVD

  리포트 | 30페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.12.24

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  반도체 Packaging의 신뢰성문제, Bilayer passivation in DRAM device (PPT자료)

  Passivation thickness splitExperiments2. ... (tetraethyl orthosilicate) PECVD-SiN *PECVD (plasma enhanced chemical vapor deposition) - Passivation ... No.4 1998 P.527~530 -The effect of Modifying the Bilayer Passivation Structure Reliability in DRAM Device

  리포트 | 12페이지 | 2,000원 | 등록일 2006.12.22 | 수정일 2017.11.04

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  화학기상증착(cvd)

  대량 생산이 가능8. step coverage가 좋다.9. 기판을 in-situ etching 가능-CVD의 단점1. 반응 변수가 많다.2. 위험한 가스의 사용3. ... APCVD, LPCVD 그리고 PECVD등 다양한 종류의 CVD등이 모두 IC 제조공정에서 전형적으로 사용되고 있다.*CVD의 장 / 단점-CVD의 장점1. 저온공정2. ... Batch(Furnace)동시에 복수 Wafer 처리 가능(High throughput)대구경 Wafer에 부적합.Cluster 화에 불리-Single waferCluster화에 유리(No

  리포트 | 11페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.05.28

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  차세대 메모리

  Addition of dopants such as La, Nb, etc.. 2. ... 칼코게나이드(GST) 박막은 고진공 하에서 화학기상증착(CVD: Chemical Vapor Deposition), 플라즈마 화학기상증착(PECVD: Plasma Enhanced CVD ... Stand-by Current )Fast Write Cycle ( Same as Read Cycle )High Endurance ( Over 10E15 )Non-volatility ( No

  리포트 | 25페이지 | 3,000원 | 등록일 2009.10.27

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  TFT-LCD의 원리와 제조 공정

  이와 같은 관계를 수식으로 표현해 보면 다음과 같이 된다.M = 2n(R) X 2n(G) X 2n(B) = 23n , n : No. of bit결과적으로 LCD에서 표현할 수 있는 ... 결정된다고 할 수 있다.색 표현의 과정을 다시 한 번 정리해보면 color filter를 통과하는 빛의 양은 액정을 이용하여 제어하고, 이러한 액정을 동작 하는데 필요한 정압은 source ... 실제 PECVD Chamber에서의 전극과 Substrate의 위치에 따라 단계별 반응을 나타낸 것으로 Plasma전극에서 유입된 기체 화합물이 분해되는 1차 반응, 분해된 Gas

  리포트 | 25페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.05.14 | 수정일 2016.07.27

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  금속재료실험 과제물

  (b) PVD와 CVD의 박막 증착 방법의 각각 세 가지 예를 들어라.PVD: 진공증착법, 스퍼터링, Ion PlantingCVD: 분무법, PECVD, Dipping#참고문헌: 재료실험2 ... 재료실험2 결과 리포트#1박막 증착 결과 리포트1. ... 사진은 scratch test machine이다.참고문헌: http://serve.me.nus.edu.sg/mat/Nanotribology.htm2.

  리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.02.12

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  [박막공학] MOCVD,CVD.VPE

  가능 LDS의 Key technology - No clogging No particle generation Vaporizer의 성능이 매우 중요LDS(Liquid delivery ... mechanism - Thickness is controlled the # of reaction step ▣ ALD Process Application Oxides : Al2O3, ... Eq) for Si, GaAs, InP SiCl₄(g) + 2H₂(g) → Si(s) + 4HCl Ga(g) + AsH₃(g) → GaAs(s) + H₂ Application Various

  리포트 | 34페이지 | 2,000원 | 등록일 2004.11.02

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  [재료공학]박막의 증착 공정

  이 중에서 공업적으로 이용이 활발한 플라즈마는 저온 글로우 방전 플라즈마로서 반도체 공정에서 플라즈마 식각(plasma etching) 및 증착 (PECVD,Sputarget) 사용시 ... No. 5121)를 사용하여 1mm 간격으로 가로와 세로로 금을 그어 100칸을 형성한 다음 그 위를 셀로판테이프를 밀착시킨 후 45°잡아당겨 떨어지지 않은 도막의 수를 측정(Cross ... 형성과 타겟의 오염을 피하기 위해 공정의 주의 깊은 조절이 필요(2) compound-coated cathode간단하나 스퍼터링 속도가 느리다. (∵ 대부분의 화합물 타겟은 sputtering

  리포트 | 14페이지 | 1,500원 | 등록일 2006.04.09

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