"titanium silicide" 검색결과 1-13 / 13건

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  Ti 및 Si 혼합 분말의 전기방전소결에 의한 Titanium Silicide의 합성 연구 (Synthesis of Titanium Silicide by Electro-Discharge-Sintering of Ti and Si Powder Mixture)

  한국분말야금학회 천연욱, 오낙현, 김영훈, 변창섭, 이상호, 이원희

  논문 | 6페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.01 | 수정일 2023.04.05

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  복합 티타늄실리사이드 공정에서 발생한 공극 생성 연구

  한국재료학회 정성희, 송오성

  논문 | 6페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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  Grain boundary diffusion에 의한 Si 기판에서의 TiSi2 성장

  Murarkaand Guldan[8-9] also concluded that the silicide growth had (time)1/2dependence.-. ... Many experimental studies of TiSi2formation kinetics have been carried out.-.

  리포트 | 29페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.12.10

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  다층 박막 분석 및 평가

  -Titanium Silicide의 형성 시 multi layer의 수가 silicide의 형성에 미치는 영향에 대해 이해한다. ... -Titanium Silicide가 실제 반도체 산업에서 어떻게 응용되고 있는지에 대해 이해한다.2.이론적 배경(1)Titanium Silicide-Titanium Silicide는 ... 증착하고자 하는 물질이 채워져 있는 도가 니에 유도 되어 충돌됨으로써 증착되는 target material이 가열되어 증착된다.E-BeamEvaporator장점단점증착속도가 빠름(50Å/sec

  리포트 | 6페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.12.17

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  PVD와 CVD의 비교 및 분석

  Advanced semiconductor의 요소의 생산에 우수한 CVD에 의해 생산된 Tungsten silicon oxide, metal silicides 및 other coatings ... Uncoated toll 보다 크게 우세하고 산업에의 적용성이 빨라진 Titanium carbide와 Titanium nitride CVD-coated carbide toll4. ... Diamond thin film으로 coating된 향상된 음향성질의 speaker diaphragm Plasma CVD2.

  리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.05.15

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  반도체공정 (Metallization)

  단점들은 metal-silicide에 의해 cover되며 다른 우수한 property 도 많이 가지고 있다.1. ... Stack의 시작은 si 표면의 silicidation으로 형성된 barrier layer로 시작된다. 이것은 surface와 다음 layer 간의 저항을 줄이기 위함이다. ... 각각은 silicide 형성 후 thermal step이수반되는 deposition이 포함된다.◎ Silicon 위에 pure metal의 depositiring level이 사용될

  리포트 | 18페이지 | 4,500원 | 등록일 2007.01.27

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  MOSFET(모스펫)

  공정에서 질화물 (실리사이드)는 게이트 전극과 소스를 형성하는 것이고 드레인 영역은 살리사이드 ( self-aligned silicide, salicide)라고 부른다.트랜지스터가 ... 더 전도력을 향상시키기위해 가끔씩 텅스텐, 티타늄, 코발트, 최근에는 니켈같은 고온금속은 폴리실리콘의 상위막으로 합금된다. 이렇게 혼합된 물질은 규화물이라고 부른다. ... MOSFET의 정의금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터 (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor)는 디지털 회로와 아날로그 회로에서

  리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.01.13

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  [공학기술]반도체증착기술

  요소의 생산에 우수한 CVD에 의해 생산된 Tungstensilicon oxide, metal silicides 및 other coatings(1)-2. ... Plasma CVD3 Uncoated toll 보다 크게 우세하고 산업에의 적용성이 빨라진 Titanium carbide와Titanium nitride CVD-coated carbide ... toll4 MO CVD에 의해 증착된 Ir은 2000 까지의 온도 범위에서 small rocket nozzle의 부식저항성에 두드러진 향상을 나타낸다.5 Advanced semiconductor의

  리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.07.19

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  금속계 세라믹계 신소재

  지난 10년간 Nb/Nb-silicide 복합재료를 구조용 내열재료로 사용하기 위한 다양한 연구가 이루어져 왔다. ... 리퀴드메탈(Liquidmetal) - 금속계'21세기 꿈의 신소재‘로 불리는 리퀴드메탈은 티타늄보다 3배의 강도를 나타내며 부식성이 전혀 없고 공정과정이 플라스틱과 우사해 공정비용을

  리포트 | 11페이지 | 2,500원 | 등록일 2009.05.13

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  cvd 와 pvd의 특징과 비교

  요소의 생산에 우수한 CVD에 의해 생산된 Tungstensilicon oxide, metal silicides 및 other coatings필요 조건① 반응 Gas, 반응 Energy ... Plasma CVD③ Uncoated toll 보다 크게 우세하고 산업에의 적용성이 빨라진 Titanium carbide와Titanium nitride CVD-coated carbide ... toll④ MO CVD에 의해 증착된 Ir은 2000℃까지의 온도 범위에서 small rocket nozzle의 부식 저항성에 두드러진 향상을 나타낸다.⑤ Advanced semiconductor의

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.10.14

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  [합금] 티타늄합금

  내에서 silicide를 형성하는데 silicide 석출은 균열발생을 촉진시켜 구조물을 파손 시킨다. ... Titanium Alloys20011332 안 명 원1.티타늄의 발견영국의 한 성직자가 교회 앞의 작은 냇가에서 검은색으로 빛나는 자성을 가지고 있는 모래를 그 당시에 위력적인 화약이 ... *Poisson's ratio - 재료에 생긴 가로변형[橫變形]과 세로변형[縱變形]과의 비.티타늄은 타 소재의 추종을 불허할 정도로 내식성이 우수한데, 이는 티타늄 표면에 형성되는

  리포트 | 21페이지 | 무료 | 등록일 2003.10.13

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  [재료공학실험] CVD와 PVD

  요소의 생산에 우수한 CVD에 의해 생산된 Tungstensilicon oxide, metal silicides 및 other coatings1.1.2. ... Plasma CVD3 Uncoated toll 보다 크게 우세하고 산업에의 적용성이 빨라진 Titanium carbide와Titanium nitride CVD-coated carbide ... toll4 MO CVD에 의해 증착된 Ir은 2000 까지의 온도 범위에서 small rocket nozzle의 부식 저항성에 두드러진 향상을 나타낸다.5 Advanced semiconductor의

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.11.17

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  PVD, CVD 그리고 Nucleation

  요소의 생산에 우수한 CVD에 의해 생산된 Tungstensilicon oxide, metal silicides 및 other coatings1.1.2. ... Plasma CVD③ Uncoated toll 보다 크게 우세하고 산업에의 적용성이 빨라진 Titanium carbide와Titanium nitride CVD-coated carbide ... toll④ MO CVD에 의해 증착된 Ir은 2000℃까지의 온도 범위에서 small rocket nozzle의 부식저항성에 두드러진 향상을 나타낸다.⑤ Advanced semiconductor의

  리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.05.23

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