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3주차-함수발생기 사용법
1. 전원 코드를 연결한 다음 전면패널 전원 on/off 스위치를 눌러 임의/함수 발생기를 켭니다. 2. 임의/함수 발생기의 CH1 출력에서 오실로스코프 입력 커넥터로 BNC 케이블을 연결합니다. 3. 전면 패널..
공학/기술
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2020.10.02
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2주차-실험1 예비 - 다이오드 응용회로
1. 실험 목적 - 순방향과 역방향 바이어스 전압이 접합 다이오드 전류에 미치는 효과를 측정한다. - 접합 다이오드의 전압-전류 특성을 측정하고 도시한다. - 반파/전파 정류 회로의 입, 출력 파형을 이해한다...
공학/기술
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2020.10.02
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8페이지
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조회(141)
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9주차-설계2 예비 - BJT 버퍼 증폭기 설계
1. 실험 목적 BJT를 이용한 CC 버퍼 증폭기를 설계한다. 2. 설계 어떤 신호원이 주파수는 1kHz이고, 출력 임피던스는 100k이다. 이 신호를 CE 혹은 CB와 같은 증폭기에 연결하면 입력 임..
공학/기술
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2020.10.02
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5페이지
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조회(271)
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5주차-실험4 예비 - BJT 공통 콜렉터(CE) 및 베이스(CB) 증폭기 특성
실험제목 : BJT 공통 콜렉터(CE) 및 베이스(CB) 증폭기 특성 1. 실험 목적 커패시터 결합 BJT 공통 콜렉터(CC) 및 베이스(CB) 증폭기의 소신호 이득, 입력 저항 및 출력 저항을 실험한다...
공학/기술
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2020.10.02
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8주차-실험8 예비 - MOSFET 기본특성2- 문턱전압, 이동도, "on"저항 Ron
문턱전압이란 전계효과 트랜지스터 (field-effect-transistor, FET)에서 소스와 드레인 사이에 전도채널을 형성시켜 소스와 드레인에 전압을 인가하면 이에 비례하는 전류를 흐르게 할 수 있는 게이트에 ..
공학/기술
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2020.10.02
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조회(147)
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3주차-실험2 예비 - BJT DC 특성
트랜지스터는 PN Junction Diode의 응용입니다. 왜냐하면 P형 반도체와 N형 반도체의 접합에 다시 N형이나 P형 반도체를 붙여서 만들었기 때문입니다. 하지만 사실 요즘 FET(Field-effect Tr..
공학/기술
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2020.10.02
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6페이지
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조회(100)
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8주차-실험7 예비 - MOSFET 기본특성1- 역전압 다이오드의 접합 캐패시턴스, MOSFET 게이트 캐패시턴스
역전압이 인가된 PN접합과 MOSFET의 게이트 캐패시턴스를 측정하는 것을 목표로 한다. 이들 캐패시턴스의 용량은 매우 작아 (대략 pF크기) 실험자는 breadboard와 스코프 프로브의 기생 캐패시턴스 효과..
공학/기술
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2020.10.02
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조회(69)
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MOSFET기본특성
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9주차-실험9 예비 - MOSFET I-V 특성 - 전류 미러를 이용한 Id-Vds 특성
1. 실험 목적 본 실험의 목적은 MOSFET의 여러 동작 범위에서의 특성을 측정하고자 한다. 본 실험을 수행함으로써 실험자는 다음을 습득하게 된다. - N-채널 MOSFET의 I _{D} -V _{..
공학/기술
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2020.10.02
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4주차-실험3 예비 - BJT 공통 에미터 CE 증폭기 특성
실험제목 : BJT 공통 에미터(CE) 증폭기 특성 1. 실험 목적 캐패시터 결합 BJT 공통 에미터 증폭기의 소신호 이득, 입력 저항 및 출력 저항을 실험한다. 2. 이론 트랜지스터의 바이어..
공학/기술
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2020.10.02
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5페이지
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조회(185)
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4주차-실험15 예비 - 플립플롭의 기능
실험제목 : 플립플롭의 기능 실험목적 : (1) 래치 회로의 기능을 이해하고 R-S 플립플롭의 구조와 동작원리를 이해한다. (2) D, JK 플립플롭의 동작을 이해한다. 실험준비물 ..
공학/기술
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2020.10.02
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조회(732)
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