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MOSFET 스위치 결과 report
- 실험 시 오차가 나는 요인으로 다음 것들을 생각할 수 있다. 실험 시 오차가 나는 요인으로는 이번 실험에서는 내부 저항에 의한 오차가 제일 크다고 본다. 저항을 이용한 실험이었던 만큼 내부 저항에 의한 오차로 ..
공학/기술
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2016.06.26
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조회(106)
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JFET의 특성 결과 REPORT
- 실험 시 오차가 나는 요인으로 다음 것들을 생각할 수 있다. 전자회로 실험에서 오차가 나는 요인은 여러 가지가 있겠지만, 모든 실험에 공통적으로 일어나는 실험의 오차는 내부저항의 요인이 일단 있는 것 같다. 내..
공학/기술
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2016.06.26
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JFET의 특성 결과 REPORT
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CE 증폭기의 bias와 이득 예비 REPORT
1. 실험 제목 CE 증폭기의 bias와 이득 2. 실험 목적 · CE 증폭기가 증폭할 수 있는 최대 출력파형에 대하여 실험하고 온도에 대하여 변화하는 트랜지스터 이득에 대하여 알아본다. · NPN ..
공학/기술
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2016.06.26
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조회(171)
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한국의 문화유산 답사 보고서(덕수궁)
답사장소 : 덕수궁 선정이유 : 덕수궁은 규모가 크지 않은 편이고 그 안에 미술관도 있어서 그런지 서울에 있는 다른 궁들에 비해 방문한 적이 많은 궁이었습니다. 그렇지만 덕수궁이 어떤 역사를 가지고 있는지에 대해서..
독후감/창작
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2016.06.26
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조회(623)
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기본 논리 함수 및 gate와 가산기 결과 report
1. 실험 제목 기본 논리 함수 및 gate와 가산기 2. 결과 분석 [참고] 논리회로 실험에서 논리상태 입력과 출력상태 확인은 다음과 같은 방법을 이용하면 좋다 가. 논리회로 동작은 빠른 전압 상..
공학/기술
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2016.06.26
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기본 논리 함수 및 gate와 가산기 예비 report
1. 실험 제목 기본 논리 함수 및 gate와 가산기 2. 실험 목적 ․ 기본논리소자를 이용하여 조합논리 회로를 구성하고 기본논리 특성을 이해한다. ․ 몇 개의 IC들의 논리도 및 핀 접속도를 참조하..
공학/기술
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2016.06.26
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MOSFET 스위치 예비 report
MOSFET란? MOSFET(Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)또는 MOS 트랜지스는 금속막, 산화막,반도체영역으로 구성된 트랜지스터의 일종이다. MOS 트랜..
공학/기술
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2016.06.26
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JFET의 특성 예비 REPORT
1. 실험 제목 JFET의 특성 2. 실험 목적 ․ 드레인 전류 Id에 관한 드레인-소스 사이의 전압 Vds의 영향을 결정한다. ․ Id에 관한 게이트-소스 사이의 역 바이어스 전압 Vgs의 영향을 결정..
공학/기술
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2016.06.26
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CE 증폭기의 bias와 이득 결과 REPORT
- 실험 시 오차가 나는 요인으로 다음 것들을 생각할 수 있다. 단자의 전선의 내부 저항에 의해서 오차가 발생할 수 있다. 또한 회로를 구성할 때 커패시터를 연결함에 있어, 제대로 연결이 안 될 수도 있다. 이번 실..
공학/기술
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2016.06.26
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CE구성의 특성곡선 및 측정 결과REPORT
A. β측정 1. 주어진 트랜지스터의 형(type)과 에미터, 베이스, 콜렉터 단자를 테스터의 다이오드 시험기능을 사용하여 확인하라. 2. 그림 4.1의 회로를 구성하라. 스위치 S1과 S2를 열고, 가변저항..
공학/기술
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2016.06.26
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국내의 사물인터넷 상용화 사례를 찾아보고, 앞으로 기업에 사물인터넷이 어떤 영향을 미칠지 기술하시오
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