Low-k 물질의 최근 동향

목차

Low-k Dielectric 기술동향
통합이 최선책
차세대 유전물질

본문내용

Low-k Dielectric 기술동향
low-k 유전체는 copper 배선과 더불어 디바이스 속도를 보다 빠르게 하고 첨단 디바이스의 상호간섭(crosstalk)을 저감해 줄 수 있는 대안으로 알려져 있다.
유전체는 다음과 같이 두 가지 유형으로 요약해 볼 수 있는 데 각기 장단점을 가지고 있다.
첫 번째 유형은 열적 안정성이 우수하고, 撚度가 높아 단단하고(hard) 깨지기 쉬운( fragile) silicate film이다
두 번째 유형은 tough/soft하며 열적 안정성이 양호한 유기재료이다.
low-k 유전체는 물질특성으로 인하여 공정통합에 상당한 어려움을 주고 있는데, resist poisoning, CMP 공정 중 adhesion 및 실질적인 공정변화 등이 통합에 따른 문제로 등장하고 있다.
차세대 ultralow-k (k<2.2) 유전물질(keff=2.5)의 경우 film의 k값이 2.7에서 2.2~ 2.0으로 이행할 것으로 내다보고 있다. 따라서 dense material에서 동일물질에 다공성(porosity)을 보강하는 쪽으로의 이행은 상당히 수월할 것으로 보인다. 현재 여러 기관에서 다공성막특성, pore 발생/제어방법, 細孔사이즈 구현방법, 撚度가 높은 막과 낮은 막의 강도측정방법 등 통합에 따른 여러 가지 문제를 해결하기 위한 연구가 진행되고 있다.

참고 자료

없음